面对人工智能驱动的内存芯片需求激增，韩国两大存储巨头三星电子与 SK 海力士正加速推进新建晶圆厂的投产进程，战略重心由此前的谨慎控货转向积极扩产，以抢占行业 “超级周期” 红利。
据韩国《朝鲜日报》报道，SK 海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年 2-3 月，在竣工日期前着手启动。三星电子亦将平泽 P4 工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。两家公司均将在新产线重点部署高附加值产品，如高性能 DRAM 与 HBM（高带宽内存）。
本轮提速扩产的背景，是全球 AI 数据中心扩张带来的服务器芯片需求井喷。KB 证券数据显示，截至今年 2 月，主要客户的内存芯片需求满足率仅约 60%，短缺程度较去年四季度进一步加剧。三星电子内存出货量中已有约 70% 被 AI 数据中心企业吸收。
市场普遍预期供应紧张态势将持续至 2027 年。花旗集团预测，今年 DRAM 与 NAND 闪存的供给增速分别为 17.5% 和 16.5%，而需求增速则高达 20.1% 和 21.4%。
<h2 style="text-align: left">新产线提前数月投产</h2>
SK 海力士正在龙仁半导体集群建设一期晶圆厂，目标是明年 5 月竣工。该项目外部框架工程已完成约一半，6 个洁净室中的 3 个正在同步建设中。这座三层结构的工厂规模相当于其清州 M15X 晶圆厂的 6 倍。
据《朝鲜日报》报道援引知情人士，SK 海力士准备在预定竣工时间之前启动试运行，最早可能在明年 2-3 月。公司计划在率先建成的洁净室快速安装设备，优先投产 AI 时代需求激增的高性能 DRAM（如 DDR5）和 HBM 产品。
三星电子正在平泽建设 P4（第四工厂）晶圆厂，原定明年一季度竣工，现计划提前至今年四季度，生产时间表压缩约三个月。三星电子根据市场行情在内存和晶圆代工设备间灵活调配，P4 预计将专注生产当前供应紧张的高性能内存。据悉，三星电子最近制定战略，在 P4 工厂新建用于 HBM 的 10 纳米第六代（1c）DRAM 生产线，该产线月产能预计达 10 万至 12 万片晶圆。
据《朝鲜日报》援引一位半导体行业人士：
<blockquote>
&#34;韩国内存企业为提前生产时间正处于非常忙碌的状态。&#34;
</blockquote>
<h2 style="text-align: left">产能扩张仍难追需求增速</h2>
市场研究机构 Omdia 数据显示，三星电子的 DRAM 年产能（以晶圆计）将从 2024 年的 747 万片增至今年的 817.5 万片。SK 海力士同期产能将从 511.5 万片扩大至 639 万片。随着新工厂提前投产，明年产量有望进一步增长。
两家公司加速扩产的核心驱动力是 AI 数据中心扩张导致的服务器高性能 DRAM 需求激增。由于生产线集中生产高附加值的 HBM 芯片，通用 DRAM 的产量相对减少，加剧了供应紧张。
KB 证券指出：
<blockquote>
&#34;截至 2 月，内存芯片供应短缺强度较去年四季度加剧，主要客户的内存芯片需求满足率仅为 60%。三星电子内存出货量的 70% 被 AI 数据中心企业吸收。&#34;
</blockquote>
花旗集团分析，今年 DRAM 供应增长率为 17.5%，NAND 闪存供应增长 16.5%。相比之下，DRAM 需求增长率预计达 20.1%，NAND 闪存需求增长率为 21.4%，需求持续超过供应。
晨星和摩根大通等主要市场研究机构预测，内存供应短缺将持续至 2027 年。DS 投资证券表示：
<blockquote>
&#34;如果 2027 年供应增长仅为 1%，本轮 DRAM 周期将至少持续到 2027 年。以服务器为中心的 DRAM 需求与竞争力直接相关，难以轻易削减，价格上涨预计将持续至 2026 年三季度。&#34;
</blockquote>
<h2 style="text-align: left">企业确认大幅增加资本支出</h2>
三星电子和 SK 海力士在最近的业绩发布会上均表示，将增加今年的资本支出以应对内存短缺。三星电子内存事业部副总裁 Kim Jae-june 表示：
<blockquote>
&#34;随着 AI 相关需求预计持续，我们计划在 2026 年大幅扩大设备投资规模。但今年和明年设备扩张将受到限制，供应短缺现象可能加剧。&#34;
</blockquote>
这一表态凸显了半导体产能扩张的时滞特性。尽管企业加大投资并提前投产时间，但从建设到稳定量产仍需时间，短期内难以完全缓解供需失衡。
一位半导体行业人士解释提前试运行的战略意图：
<blockquote>
&#34;这是为了快速进入试运行阶段，稳定量产系统，同时向客户发出能够稳定供应的信号。&#34;
</blockquote>

国泰中证半导体材料设备主题ETF

动态半导体 ETF - Invesco

国联安科创芯片设计ETF

SK 海力士计划将其龙仁一期晶圆厂的试运行时间提前至明年 2-3 月，三星电子将平泽 P4 工厂的投产时间从明年一季度提前至今年四季度，生产规划前移约三个月。调整源于 AI 数据中心扩张导致供应严重短缺，主要客户需求满足率仅 60%。市场普遍预期供应紧张将持续至 2027 年，需求增速持续高于供给。

- 韩国三星电子与 SK 海力士加速新建晶圆厂，以满足 AI 需求。  
- SK 海力士计划明年 2-3 月启动试运行，三星 P4 工厂投产时间前移。  
- 预计内存芯片供应短缺将持续至 2027 年，需求增长高于供应。

三星、海力士 “调整战略”：新存储工厂生产计划提前