<p>新闻：微电子</p>
<p>Navitas 展示 AI 数据中心、能源基础设施、性能计算和工业电气化的解决方案</p>
<p>在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）上，Navitas Semiconductor Corp（位于加利福尼亚州托伦斯）展示了其最新的 AI 数据中心、性能计算、能源和电网基础设施以及工业电气化的创新，展位号为#2027。该公司提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体。</p>
<p>Navitas 推出了 10kW 的 ‘氮化镓驱动’800V 至 50V 直流 - 直流平台，采用 650V 和 100V GaNFast FETs，采用三电平半桥架构和同步整流，提供 98.5% 的峰值效率。该全砖封装设计平台实现了 2.1kW/in3 的功率密度，并支持±400VDC 标准，适用于 AI 数据中心。此外，Navitas 还展示了一款 12kW 的 AI 数据中心电源，利用 IntelliWeave 数字控制实现了声称无与伦比的效率、功率密度和性能，以及一款 8.5kW 的 OCP 电源和 4.5kW 的 CRPS 电源。</p>
<p>针对下一代固态变压器（SST）应用，Navitas 展示了其最新的 SiCPAK 功率模块，满足行业领先的效率要求——从中压电网（13.8kVAC 至 34.5kVAC）转换到 800VDC 或 1500VDC，适用于 AI 数据中心和先进的能源基础设施，转换效率超过 98%。该产品组合包括超高压（UHV）3300V 和 2300V 解决方案，以及 1200V 高压选项，提供声称的突破性性能、可扩展性和可靠性，适用于关键任务电力系统。新发布的用于动态表征 UHV SiCPAK 功率模块的栅极驱动器评估板也在展出。</p>
<p>为了推动 AI 驱动的高性能计算的未来，Navitas 首次推出基于其最新 GaNFast IC 创新的超紧凑型 240W 和 300W 电源解决方案，以实现卓越的效率和功率密度。Navitas 还展示了高效率的基于氮化镓的电机控制解决方案，功率范围从 400W 到 1kW，适用于先进的工业应用。</p>
<p>Navitas 在 APEC 的演讲环节包括：</p>
<ul>
<li>3 月 24 日（上午 8:55–9:20 CT，地点：IS01.2）‘通过先进的功率器件和封装技术最大化 MVHV SiC 性能和可靠性，以满足关键能源基础设施应用’ 由 Sumit Jadav 主讲；</li>
<li>3 月 25 日（上午 11:05–11:30 CT，地点：IS07.6）‘高功率 GaN IC 在 800V AI 数据中心直流 - 直流砖解决方案中提供领先的效率和功率密度’ 由 GaN 业务部门副总裁兼总经理 Llew Vaughan-Edmunds 主讲；</li>
<li>3 月 26 日（上午 11:35–11:50 CT，地点：IS27.4）‘由 GaN 双向开关启用的单级功率转换器’ 由 Llew Vaughan-Edmunds 主讲。</li>
</ul>
<p>Navitas 推出第五代 SiC 沟槽辅助平面 MOSFET 技术</p>
<p>Navitas 正在采样 3300V 和 2300V 超高压碳化硅产品组合</p>
<p>SiC 功率 MOSFET</p>
<p>www.navitassemi.com</p>

NVTS

标普半导体 ETF - SPDR

纳斯达克半导体 ETF - First Trust

动态半导体 ETF - Invesco

费城交易所 半导体 ETF - iShares

半导体 3 倍做多 - Direxion

NVTX

半导体 ETF - VanEck Vectors

<p>Navitas Semiconductor Corp 正在德克萨斯州圣安东尼奥的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）上展示其最新创新。该公司展出了用于人工智能数据中心、高性能计算、能源基础设施和工业电气化的解决方案，包括一个 10kW 氮化镓（GaN）驱动的 DC-DC 平台和一个 12kW 人工智能数据中心电源。Navitas 还展示了超高压碳化硅（SiC）功率模块和高效的氮化镓（GaN）电机控制解决方案。演讲环节将涵盖 SiC 性能和用于人工智能数据中心的 GaN 集成电路的最新进展</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>Navitas exhibiting solutions for AI data-center, grid and energy infrastructure, performance computing, and industrial electrification</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 展示 AI 数据中心、能源基础设施、性能计算和工业电气化的解决方案</p>
</div><p>In booth #2027 at the IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC 2026) in San Antonio, Texas (22–26 March), Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA — which provides GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors — is exhibiting its latest innovations for AI data centers, performance computing, energy and grid infrastructure, and industrial electrification.</p>
<div class="lb-trans"><p>在美国德克萨斯州圣安东尼奥举行的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）上，Navitas Semiconductor Corp（位于加利福尼亚州托伦斯）展示了其最新的 AI 数据中心、性能计算、能源和电网基础设施以及工业电气化的创新，展位号为#2027。该公司提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体。</p>
</div><p>Navitas is unveiling the 10kW ‘GaN-powered’ 800V–to–50V DC–DC platform that employs 650V and 100V GaNFast FETs in a three-level half-bridge architecture with synchronous rectification to deliver 98.5% peak efficiency. The full-brick package design platform achieves 2.1kW/in3 power density and also supports ±400VDC standard for AI data centers. Additionally, Navitas is featuring a 12kW AI data-center power supply, which leverages IntelliWeave digital control to achieve what is claimed to be unmatched efficiency, power density and performance, along with an 8.5kW OCP power supply and 4.5kW CRPS power supply.</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 推出了 10kW 的 ‘氮化镓驱动’800V 至 50V 直流 - 直流平台，采用 650V 和 100V GaNFast FETs，采用三电平半桥架构和同步整流，提供 98.5% 的峰值效率。该全砖封装设计平台实现了 2.1kW/in3 的功率密度，并支持±400VDC 标准，适用于 AI 数据中心。此外，Navitas 还展示了一款 12kW 的 AI 数据中心电源，利用 IntelliWeave 数字控制实现了声称无与伦比的效率、功率密度和性能，以及一款 8.5kW 的 OCP 电源和 4.5kW 的 CRPS 电源。</p>
</div><p>For next-generation solid-state transformer (SST) applications demanding industry-leading efficiency — exceeding 98% conversion from medium-voltage grids (13.8kVAC to 34.5kVAC) to 800VDC or 1500VDC for AI data centers and advanced energy infrastructure — Navitas is showcasing its latest SiCPAK power modules. The portfolio features ultra-high-voltage (UHV) 3300V and 2300V solutions, along with 1200V high-voltage options, delivering what is claimed to be breakthrough performance, scalability and reliability for mission-critical power systems. The newly released gate driver evaluation board for dynamic characterization of UHV SiCPAK power modules is also on display.</p>
<div class="lb-trans"><p>针对下一代固态变压器（SST）应用，Navitas 展示了其最新的 SiCPAK 功率模块，满足行业领先的效率要求——从中压电网（13.8kVAC 至 34.5kVAC）转换到 800VDC 或 1500VDC，适用于 AI 数据中心和先进的能源基础设施，转换效率超过 98%。该产品组合包括超高压（UHV）3300V 和 2300V 解决方案，以及 1200V 高压选项，提供声称的突破性性能、可扩展性和可靠性，适用于关键任务电力系统。新发布的用于动态表征 UHV SiCPAK 功率模块的栅极驱动器评估板也在展出。</p>
</div><p>Advancing the future of AI-enabled high-performance computing, Navitas is debuting ultra-compact 240W and 300W power solutions built on its latest GaNFast IC innovations for superior efficiency and power density. Navitas is also showcasing high-efficiency GaN-based motor control solutions ranging from 400W to 1kW for advanced industrial applications.</p>
<div class="lb-trans"><p>为了推动 AI 驱动的高性能计算的未来，Navitas 首次推出基于其最新 GaNFast IC 创新的超紧凑型 240W 和 300W 电源解决方案，以实现卓越的效率和功率密度。Navitas 还展示了高效率的基于氮化镓的电机控制解决方案，功率范围从 400W 到 1kW，适用于先进的工业应用。</p>
</div><p>Navitas speaking sessions at APEC include the following:</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 在 APEC 的演讲环节包括：</p>
</div><ul>
<li>24 March (8:55–9:20am CT, Location: IS01.2) ‘Maximizing MVHV SiC Performance and Reliability with Advanced Power Device and Packaging Technologies for Mission-Critical Energy Infrastructure Applications’ by Sumit Jadav;</li>
<li>25 March (11:05–11:30am CT, Location: IS07.6) ‘High-Power GaN ICs Deliver Leading Efficiency and Power Density in 800V AI Data Center DC–DC Brick Solutions’ by Llew Vaughan-Edmunds, VP &amp; general manager, GaN business unit;</li>
<li>26 March (11:35–11:50am CT, Location: IS27.4) ‘Single-stage Power Converter Enabled by GaN Bidirectional Switches’ by Llew Vaughan-Edmunds.</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>3 月 24 日（上午 8:55–9:20 CT，地点：IS01.2）‘通过先进的功率器件和封装技术最大化 MVHV SiC 性能和可靠性，以满足关键能源基础设施应用’ 由 Sumit Jadav 主讲；</li>
<li>3 月 25 日（上午 11:05–11:30 CT，地点：IS07.6）‘高功率 GaN IC 在 800V AI 数据中心直流 - 直流砖解决方案中提供领先的效率和功率密度’ 由 GaN 业务部门副总裁兼总经理 Llew Vaughan-Edmunds 主讲；</li>
<li>3 月 26 日（上午 11:35–11:50 CT，地点：IS27.4）‘由 GaN 双向开关启用的单级功率转换器’ 由 Llew Vaughan-Edmunds 主讲。</li>
</ul>
</div><p>Navitas unveils fifth-generation SiC Trench-Assisted Planar MOSFET technology</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 推出第五代 SiC 沟槽辅助平面 MOSFET 技术</p>
</div><p>Navitas sampling 3300V and 2300V UHV silicon carbide product portfolio</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 正在采样 3300V 和 2300V 超高压碳化硅产品组合</p>
</div><p>SiC power MOSFET</p>
<div class="lb-trans"><p>SiC 功率 MOSFET</p>
</div><p>www.navitassemi.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.navitassemi.com</p>
</div>

Navitas exhibiting solutions for AI data-center, grid and energy infrastructure, performance computing, and industrial electrification

SemiConductor

Navitas Semiconductor

Tradr 2X Long NVTS Daily ETF

Navitas 展示了用于人工智能数据中心、电网和能源基础设施、高性能计算以及工业电气化的解决方案