英伟达首席执行官黄仁勋向全球存储芯片厂商发出强烈信号：尽管扩产，英伟达照单全收。
周一，黄仁勋在摩根士丹利科技大会上表示，芯片供给短缺对英伟达而言是&#34;极好的消息&#34;，因为资源受限会促使客户更倾向于直接选择性能最强的解决方案。他更直接向 DRAM 厂商喊话：&#34;产能扩多少，我们（英伟达）就会用掉多少。&#34;
这一表态被业界视为对 DRAM 产业景气的强力背书，也预示着 AI 算力军备竞赛对存储资源的需求将持续攀升。
业界认为，黄仁勋此番表态的背后，是英伟达即将推出的新一代 Vera Rubin 平台对存储资源的庞大需求。随着英伟达全力冲刺新平台，鸿海、广达、纬创等代工伙伴的接单前景也同步看好。
<h2 style="text-align: left">供给受限反成优势，英伟达全力扫货</h2>
黄仁勋在会上阐述了其对资源短缺的独特逻辑：在数据中心土地、电力、建筑等各类资源均受限的环境下，客户在采购决策上会更加审慎，并更倾向于一步到位选择最强方案。这一趋势对于存储器尤为明显。
他的表态意味着，即便 DRAM 价格因供给紧张而持续上涨，英伟达仍将维持强劲的采购力度，不会因成本压力而缩减备货。这为三星、SK 海力士、美光等全球三大 DRAM 厂商提供了明确的需求能见度。
英伟达对存储资源的渴求，与其新一代 AI 平台的技术路线密切相关。以现有的 GB300 为例，其支持的高带宽存储器（HBM）容量已高达 288GB，较 GB200 的 192GB 大幅提升。
进入 Vera Rubin 世代后，HBM 容量虽维持 288GB，但规格将从 HBM3E 升级至 HBM4。HBM4 采用 16 层堆叠设计，较 HBM3E 的 12 层堆叠更为复杂，产能自然耗损率也随之提高，单位产出消耗的存储资源将更为庞大，预计将进一步加剧 DRAM 供给短缺的局面。
<h2 style="text-align: left">三大 DRAM 厂扩产，消费端缺口短期难解</h2>
尽管三星、SK 海力士及美光均已启动扩产计划，但业界指出，三大厂商当前扩增的产能主要集中于 HBM 及企业级 DRAM，消费性 DRAM 的供给短缺问题至少在未来一年内仍难以缓解。
与此同时，HBM 以及数据中心用 LPDDR4、LPDDR5 和新一代 DDR6 的价格，预计将持续走高。供需结构的持续偏紧，为存储芯片厂商的盈利前景提供了支撑。
机构看好，英伟达持续扩大存储备货、冲刺新世代 AI 平台商机，将带动其供应链伙伴的订单动能持续升温。鸿海、广达、纬创等主要代工厂作为英伟达 AI 服务器的核心组装伙伴，有望在这一轮需求扩张中同步受益。

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黄仁勋在摩根士丹利科技大会放话：DRAM 厂商产能扩多少，英伟达就用掉多少。随着英伟达新一代 Vera Rubin 平台采用更复杂的 HBM4 规格，存储资源耗损倍增，三大 DRAM 厂扩产仍难填其缺口。

- 英伟达首席执行官发出信号，扩产与采购并行。  
- 他表示资源短缺将促使客户选择高性能方案，强化对 DRAM 需求。  
- 三大 DRAM 厂商虽扩产，消费性 DRAM 短缺问题预计难解。

黄仁勋喊话 DRAM 厂尽管扩产：有多少就买多少