<p>新闻：供应商</p>
<p>美国明尼苏达州查汉森的 Agnitron Technology Inc 表示，其 Agilis 100 MOCVD 系统已被德国德累斯顿莱布尼茨固态与材料研究所（IFW）材料化学研究所选中，用于其 MOCVD 和 ALD 能力中心。</p>
<p>该能力中心选择 Agilis 100 以支持其在前驱体化学和金属有机化学气相沉积（MOCVD）及原子层沉积（ALD）工艺开发方面的研究。IFW 德累斯顿以开发旨在实现新半导体器件类别的创新化学而闻名。</p>
<p>选择 Agnitron 工具的一个关键驱动因素是需要在灵活的研发反应器中部署新合成的低蒸气压前驱体，并展示其在实际工艺中的实用性。安装的配置结合了一种从安瓿到晶圆的特殊前驱体热控制方法，以及一种专利的喷头设计，旨在实现稳健的交付和重复性。</p>
<p>“我们发现与 Agnitron 的合作为我们提供了所需的灵活性和执行我们在商业反应器中合成和测试新前驱体计划所需的支持，” IFW 德累斯顿 MOCVD 和 ALD 能力中心主任 Anjana Devi 教授评论道。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1200" height="865" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg"/></p>
<p><em>图片：IFW 主任 Anjana Devi 教授与 Agnitron Agilis 100 MOCVD 系统。</em></p>
<p>该中心的初步重点将是使用新开发的金属有机前驱体生长掺铈的氮化铝（AlN）。超宽带隙半导体合金掺铈氮化铝（ScAlN）具有显著增强的压电系数和强自发极化。预计 ScAlN 将在下一代高频、高功率和声学半导体器件中发挥变革性作用，从而提高带宽、信号质量和热稳定性。</p>
<p>“由于 Agilis 100 的成功和材料生长性能，我们选择 Agnitron 提供第二个 MOCVD 系统，以进一步增强我们对氧化物薄膜的前驱体开发，” IFW 德累斯顿纳米结构薄膜材料研究团队负责人 Harish Parala 博士指出。“第二个生长系统将使我们能够使用和测试新的镓化学以生长氧化镓（Ga2O3）薄膜。”</p>
<p>Ga2O3 是另一种超宽带隙半导体，Agnitron 在 MOCVD 生长该材料的纯度方面保持记录。IFW 德累斯顿的化学开发与 Agnitron 的 Ga2O3 MOCVD 设备和工艺专业知识的结合预计将加速可靠氧化物薄膜生长的进展。</p>
<p>“IFW 德累斯顿是理想的合作伙伴：一个世界级的研究团队，拥有出色的设施，能够为 Agilis 100 平台创造尖端材料，该平台采用专利喷头和低蒸气压化学传输系统，” Agnitron 创始人兼首席执行官 Andrei Osinsky 博士评论道。“我们很高兴能够支持他们的 ScAlN 路线图，并感谢他们对用第二个系统扩展氧化物项目的信任。我们共同将有前景的材料转化为可靠的、工业相关的工艺。”</p>
<p>布里斯托尔安装氧化镓 MOCVD 系统</p>
<p>Agnitron 开发 10kV+ beta 相氧化镓开关的 MOCVD 能力</p>
<p>AlNScAlN MOCVD</p>
<p>www.ifw-dresden.de</p>
<p>www.agnitron.com</p>

<p>Agnitron Technology 的 Agilis 100 MOCVD 系统已被德累斯顿 IFW 的能力中心选中，用于前驱体化学和超宽带隙材料的研究。该系统将支持铝氮化物和铝钪氮化物的开发，以用于下一代半导体设备。IFW 德累斯顿计划通过第二台 Agilis 100 系统来增强其在氧化镓薄膜方面的研究，利用 Agnitron 在 MOCVD 过程中的专业知识。此次合作旨在加速可靠的氧化物薄膜生长和创新半导体材料的发展</p>

<p>News: Suppliers</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：供应商</p>
</div><p>Agnitron Technology Inc of Chanhassen, MN, USA says that its Agilis 100 MOCVD system has been selected by the Institute for Materials Chemistry (IMC) at the Leibniz Institute for Solid State and Materials Research (IFW) Dresden, Germany, for its MOCVD and ALD Competence Centre.</p>
<div class="lb-trans"><p>美国明尼苏达州查汉森的 Agnitron Technology Inc 表示，其 Agilis 100 MOCVD 系统已被德国德累斯顿莱布尼茨固态与材料研究所（IFW）材料化学研究所选中，用于其 MOCVD 和 ALD 能力中心。</p>
</div><p>The Competence Centre chose the Agilis 100 to support its research in precursor chemistry and the development of metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) and atomic layer depoisition (ALD) processes. IFW Dresden is known for developing innovative chemistries aimed at enabling new semiconductor device categories.</p>
<div class="lb-trans"><p>该能力中心选择 Agilis 100 以支持其在前驱体化学和金属有机化学气相沉积（MOCVD）及原子层沉积（ALD）工艺开发方面的研究。IFW 德累斯顿以开发旨在实现新半导体器件类别的创新化学而闻名。</p>
</div><p>A key driver for selecting the Agnitron tool was the need to deploy newly synthesized, low-vapor-pressure precursors in a flexible R&amp;D reactor and demonstrate their utility in real processes. The installed configuration combines an approach for thermally controlling specialty precursors from ampule to wafer with a patented showerhead designed for robust delivery and repeatability.</p>
<div class="lb-trans"><p>选择 Agnitron 工具的一个关键驱动因素是需要在灵活的研发反应器中部署新合成的低蒸气压前驱体，并展示其在实际工艺中的实用性。安装的配置结合了一种从安瓿到晶圆的特殊前驱体热控制方法，以及一种专利的喷头设计，旨在实现稳健的交付和重复性。</p>
</div><p>“We found partnering with Agnitron provided us with the flexibility we need and the support required to execute our plan to synthesize and test new precursors in a commercial reactor,’ comments professor Anjana Devi, director of IFW Dresden’s MOCVD and ALD Competence Centre.</p>
<div class="lb-trans"><p>“我们发现与 Agnitron 的合作为我们提供了所需的灵活性和执行我们在商业反应器中合成和测试新前驱体计划所需的支持，” IFW 德累斯顿 MOCVD 和 ALD 能力中心主任 Anjana Devi 教授评论道。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg"/></p>
<div class="lb-trans"><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/1761311991602-(1).jpg"/></p>
</div><p><em>Picture: IFW director professor Anjana Devi with the Agnitron Agilis 100 MOCVD system.</em></p>
<div class="lb-trans"><p><em>图片：IFW 主任 Anjana Devi 教授与 Agnitron Agilis 100 MOCVD 系统。</em></p>
</div><p>The centre’s initial focus will be on growing aluminium nitride (AlN) alloyed with scandium using the new metal-organic precursors being developed. The ultra-wide-bandgap semiconductor alloy scandium aluminium nitride (ScAlN) has a dramatically boosted piezoelectric coefficient and strong spontaneous polarization. ScAlN is expected to play a transformative role in next-generation high-frequency, high-power, and acoustic semiconductor devices, enabling improved bandwidth, signal quality, and thermal stability.</p>
<div class="lb-trans"><p>该中心的初步重点将是使用新开发的金属有机前驱体生长掺铈的氮化铝（AlN）。超宽带隙半导体合金掺铈氮化铝（ScAlN）具有显著增强的压电系数和强自发极化。预计 ScAlN 将在下一代高频、高功率和声学半导体器件中发挥变革性作用，从而提高带宽、信号质量和热稳定性。</p>
</div><p>“Due to the success and performance of the Agilis 100 installed and growing material, we’ve chosen Agnitron to provide us with a second MOCVD system to further enhance our precursor development for oxide thin films,” notes Dr Harish Parala, who heads the Nanostructured Thin Film Materials Research Team at IFW Dresden. “The second growth system will allow us to use and test our new gallium chemistries to grow gallium oxide (Ga2O3) thin films.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“由于 Agilis 100 的成功和材料生长性能，我们选择 Agnitron 提供第二个 MOCVD 系统，以进一步增强我们对氧化物薄膜的前驱体开发，” IFW 德累斯顿纳米结构薄膜材料研究团队负责人 Harish Parala 博士指出。“第二个生长系统将使我们能够使用和测试新的镓化学以生长氧化镓（Ga2O3）薄膜。”</p>
</div><p>Ga2O3 is another ultra-wide-bandgap semiconductor, and Agnitron holds the record for the purity of this material grown by MOCVD. The combination of IFW Dresden’s chemistry development and Agnitron’s Ga2O3 MOCVD equipment and process expertise is expected to accelerate progress toward reliable oxide thin-film growth.</p>
<div class="lb-trans"><p>Ga2O3 是另一种超宽带隙半导体，Agnitron 在 MOCVD 生长该材料的纯度方面保持记录。IFW 德累斯顿的化学开发与 Agnitron 的 Ga2O3 MOCVD 设备和工艺专业知识的结合预计将加速可靠氧化物薄膜生长的进展。</p>
</div><p>“IFW Dresden represents the ideal partner: a world-class research team with excellent facilities for creating cutting-edge materials perfect for the Agilis 100 platform which employs patented showerhead and low-vapor-pressure chemistry delivery system,” comments Agnitron’s founder &amp; CEO Dr Andrei Osinsky. “We’re thrilled to enable their ScAlN roadmap today and grateful for their confidence in scaling the oxide program with a second system. Together, we’re turning promising materials into reliable, industrially relevant processes.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“IFW 德累斯顿是理想的合作伙伴：一个世界级的研究团队，拥有出色的设施，能够为 Agilis 100 平台创造尖端材料，该平台采用专利喷头和低蒸气压化学传输系统，” Agnitron 创始人兼首席执行官 Andrei Osinsky 博士评论道。“我们很高兴能够支持他们的 ScAlN 路线图，并感谢他们对用第二个系统扩展氧化物项目的信任。我们共同将有前景的材料转化为可靠的、工业相关的工艺。”</p>
</div><p>Bristol installs gallium oxide MOCVD system</p>
<div class="lb-trans"><p>布里斯托尔安装氧化镓 MOCVD 系统</p>
</div><p>Agnitron develops MOCVD capability for 10kV+ beta-phase gallium oxide switches</p>
<div class="lb-trans"><p>Agnitron 开发 10kV+ beta 相氧化镓开关的 MOCVD 能力</p>
</div><p>AlNScAlN MOCVD</p>
<div class="lb-trans"><p>AlNScAlN MOCVD</p>
</div><p>www.ifw-dresden.de</p>
<div class="lb-trans"><p>www.ifw-dresden.de</p>
</div><p>www.agnitron.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.agnitron.com</p>
</div>

IFW 德累斯顿选择了 Agnitron Agilis 100 MOCVD 平台，以进行前驱体化学和超宽带隙材料的开发