AI 需求浪潮推动三星电子半导体部门今年有望创下历史最佳业绩，但这家全球最大存储芯片制造商已开始为下一轮周期低谷未雨绸缪。
据知情人士透露，三星电子 DS（半导体）事业部管理层正与业务支持团队共同研判全球存储半导体市场或于 2028 年前后出现逆转的可能性。
核心逻辑在于：随着各大厂商持续扩产，到 2028 年前后，三星、SK 海力士与美光的产能将集体跃升至新量级，届时供需平衡面临重新洗牌的风险。
这一内部评估折射出存储行业的深层矛盾——AI 基础设施投资热潮在拉动需求的同时，也令需求预测的不确定性大幅上升。过度投资一旦遭遇需求放缓，将以巨额亏损的形式反噬，三星对此有过切身教训。
<h2 style="text-align: left">AI 热潮驱动 HBM 需求，今年扩产方向无争议</h2>
当前，存储市场正处于供不应求的景气周期。英伟达、AMD、博通等大型科技公司对高带宽内存（HBM）的需求旺盛，预计将延续至明年。三星电子与 SK 海力士的 DRAM 总销售额中，HBM 占比均已超过一半。
两家公司将越来越多的产能分配至 HBM，导致面向智能手机、PC 及服务器的普通 DRAM 出现短缺。在此背景下，今年扩大 DRAM 与 HBM 供给的必要性在业内并无异议。
三星正在华城基地推进下一代 DRAM 制程转换，并扩建新产线。业界预计，三星今年将继续推进 10 纳米第五代（1b）DRAM 制程转换，同时以平泽工厂为核心，通过新产线扩建为 10 纳米第六代（1c）DRAM 确保产能。SK 海力士则在利川、清州、龙仁等主要生产基地持续推进积极的投资计划，新建的 M15X 工厂正在建设下一代 DRAM 产线。
<h2 style="text-align: left">2028 年产能集中释放，供需逆转风险浮现</h2>
市场担忧的核心在于，全球主要存储厂商的扩产计划将在 2028 年前后同步落地。美光正在新加坡及美国扩建 DRAM 产线，并自去年起大规模下单采购设备以提升 HBM 供给能力。考虑到建设产线通常需要约两年时间，从 2028 年起，三星、SK 海力士与美光的产能预计将整体跃升至新水平。
韩国政府主导的龙仁半导体集群开发项目亦是重要变量。该集群将成为韩国半导体产业的核心生产基地，基础设施建设与工厂建造正分阶段推进。业界认为，龙仁集群第一期投资完成后，将启动追加建厂与量产，并于 2028 年前后通过第二期投资进一步扩大产能。
NAND 闪存领域的供给压力更为突出。与 DRAM 市场由三星、SK 海力士、美光三强主导不同，NAND 市场参与者更多，铠侠及中国长江存储均在持续扩充技术实力与产能。若当前扩产节奏持续，NAND 供给超过需求的时间点可能早于 DRAM。近年来 NAND 价格竞争已趋于激烈，三星与 SK 海力士均难以避免亏损压力。
<h2 style="text-align: left">需求预测失灵，三星力求避免重蹈过度投资覆辙</h2>
此轮景气周期的突然性，令业界对需求预测能力产生深刻反思。一位熟悉三星内部情况的人士表示，&#34;就在去年夏天，三星和 SK 海力士都无法预料到如今这种繁荣局面，这充分说明半导体市场状况和投资计划的预测已变得多么困难。&#34;该人士补充称，&#34;正因如此，三星业务支持团队正在对投资决策进行审慎研判，力求与充分的市场验证和预测相匹配。&#34;
分析人士指出，AI 热潮过后，存储需求呈现出不规律性，供给周期也在缩短，这使得准确判断生产规模与所需投资变得愈发困难。三星面临的挑战在于，如何在持续推进下一代 HBM 产线及先进制程转换的大规模投资的同时，为难以预测的需求放缓制定应急预案——在享受 AI 红利的当下，为下一轮寒冬预留足够的缓冲空间。

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大厂的扩产计划将在 2028 年前后同步落地，届时全球产能将跃升至新量级，供需逆转风险隐现。而过度投资一旦遭遇需求放缓，将以巨额亏损的形式反噬，三星对此有过切身教训。因此，三星启动内部预警机制，在享受 AI 红利的当下，提前为下一轮寒冬备好” 防寒衣”。

- 三星电子半导体部门预计今年创佳绩，但需防范周期低谷风险。  
- 2028 年前，全球存储市场或出现供需逆转，产能将显著提升。  
- 三星正审慎评估投资，力求避免因需求波动引发亏损。

AI 拉动业绩创新高，三星却开始担心：存储供需或在 2028 年逆转？