<p>中国在半导体自给自足方面的推动正从广泛的愿景转向对关键材料的精准打击，光刻胶——这种对在硅晶圆上蚀刻微观电路至关重要的光敏化学品——正成为新的战场。根据国内主要光刻胶供应商徐州 B&amp;C 化学的董事长傅志伟的说法，该行业预计将在未来几年进入 “加速突破和大规模应用” 的关键阶段。傅志伟同时也是全国人民代表大会的代表，他在上周的 “两会” 年度政治会议上告诉《南华早报》，公司计划在五年内实现多种用于先进工艺的核心光刻胶材料的量产。这一评论标志着中国在新的第十五个五年计划下，扩大芯片自给自足努力的最新举措，正值与美国在先进芯片制造领域的技术竞争加剧之际。光刻胶用于光刻和光刻蚀等工艺，以在表面形成图案涂层，是芯片制造的关键原料。该材料按曝光波长分类，包括宽带紫外线、G 线、I 线、KrF、ArF、EUV 和电子束类型。其中，KrF、ArF 和 EUV 是最先进的。傅志伟表示，随着努力的增加，国内光刻胶领域正经历从 “单点突破” 到 “系统发展” 的转变。中国的第十五个五年计划在 “两会” 期间提出，呼吁 “精炼和强化成熟节点，提升先进工艺技术能力，加快关键设备、材料和组件的发展，推进高性能处理器和高密度存储器的进展”。尽管中国在用于功率芯片和 LED 的老旧 G 线和 I 线光刻胶方面的自给自足率已超过 20%，但高端市场仍然被包括 JSR、东京应化、信越化学、富士胶片电子材料和杜邦在内的日本和美国公司主导。根据东兴证券引用中国电子材料行业协会的数据，这些外国公司共同占据了国内市场近 95% 的份额，KrF 和 ArF 光刻胶的本土化率分别低至 3% 和不到 1%。对于徐州 B&amp;C 化学来说，主要目标是在瓶颈领域实现关键突破——特别是 KrF 和 ArF 光刻胶。傅志伟表示：“我们将动员我们最强大的资源，全面进攻高端光刻胶的开发，以满足更先进工艺节点的需求。” 他补充说，公司已实现全链条自主——涵盖单体、树脂、光酸和最终产品光刻胶。其 KrF 和 ArF 中高端产品已 “通过领先代工厂的验证”，并开始规模化生产。该公司在江苏省东部的徐州市设有生产设施，并在上海设有研发中心，是被视为中国在先进光刻胶领域实现自给自足的最佳希望之一。专注于 ArF 光刻胶的 Nata 光电材料在 2 月份表示，其年产能力为 50 吨，并能够为其早期订单保持稳定供应。该行业的其他竞争者包括上海新阳、红大道和苏州的晶瑞。大多数在入门级材料方面取得了进展，现在正瞄准高端市场的份额。</p>

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<p>中国正在加大半导体自给自足的努力，重点关注对芯片制造至关重要的光刻胶材料。徐州 B&C 化学的董事长傅志伟宣布，计划在五年内实现先进光刻胶的大规模生产，这是中国第十五个五年计划的一部分。目前，外国公司主导着高端光刻胶市场，KrF 和 ArF 等先进类型的本土化率非常低。该公司旨在在这些领域取得突破，动员资源进行高端光刻胶的开发，因为该行业的竞争日益激烈</p>

<p>China’s push for semiconductor self-sufficiency is shifting from broad aspiration to a precision strike on chokepoint materials, with photoresist – the light-sensitive chemical essential for etching microscopic circuits onto silicon wafers – emerging as a new battlefield. The sector, which provides the key material for lithography, was expected to enter a critical stage of “accelerated breakthroughs and large-scale application” over the coming years, according to Fu Zhiwei, chairman of Xuzhou B&amp;C Chemical, a major domestic supplier of photoresist. Fu, also a deputy to the National People’s Congress, told the South China Morning Post during the “two sessions” annual political gathering last week that the company aimed to achieve mass production of several core photoresist materials used in advanced processes within five years. The comments mark the latest effort by China to expand the scope of its chip self-sufficiency drive under the new 15th five-year plan, amid an intensified tech race with the US in advanced chipmaking. Photoresist, used in processes such as photolithography and photoengraving to form patterned coatings on surfaces, is a key input in chip manufacturing. The material is classified by exposure wavelengths, including broadband UV, G-line, I-line, KrF, ArF, EUV, and electron beam types. KrF, ArF, and EUV are the most advanced. With increased efforts, the domestic field of photoresist was undergoing a transition from “single-point breakthroughs” to “systemic development”, Fu said. China’s 15th five-year plan, proposed during the “two sessions”, calls for efforts to “refine and strengthen mature nodes, enhance capabilities in advanced process technologies, accelerate development of key equipment, materials and components, and advance high-performance processors and high-density memory”. While China has achieved a self-sufficiency rate of more than 20 per cent in older G-line and I-line photoresist used for power chips and LEDs, the high-end market remains dominated by Japanese and US companies including JSR, Tokyo Ohka Kogyo, Shin-Etsu Chemical, Fujifilm Electronic Materials and DuPont. These foreign companies jointly accounted for nearly 95 per cent of the domestic market, with localisation rates for KrF and ArF photoresist as low as 3 per cent and less than 1 per cent, respectively, according to a Caitong Securities note citing data from the China Electronics Materials Industry Association. For Xuzhou B&amp;C Chemical, the primary objective was to achieve key breakthroughs in bottleneck areas – specifically KrF and ArF photoresist, according to Fu. “We will mobilise our most formidable resources to launch an all-out offensive in the development of high-end photoresist for more advanced process nodes,” he said. Fu said the company had achieved full-chain autonomy – spanning monomers, resins, photoacids, and end-product photoresist. Its KrF and ArF mid-to-high-end products had already “passed verification at leading foundries” and were beginning to scale up, he added. The company, with its research and development centre in Shanghai and production facilities in Xuzhou city, eastern Jiangsu province, is among a handful seen as China’s best hopes for achieving self-reliance in advanced photoresist. Nata Opto-electronic Material, which focuses on ArF photoresist, said in February that it had an annual production capacity of 50 tonnes and could maintain stable supply for its early-stage orders. Other competitors in the sector include Shanghai Sinyang, Red Avenue, and Suzhou-based Jingrui. Most have made progress in entry-level materials and are now eyeing a share of the high-end market.</p>
<div class="lb-trans"><p>中国在半导体自给自足方面的推动正从广泛的愿景转向对关键材料的精准打击，光刻胶——这种对在硅晶圆上蚀刻微观电路至关重要的光敏化学品——正成为新的战场。根据国内主要光刻胶供应商徐州 B&amp;C 化学的董事长傅志伟的说法，该行业预计将在未来几年进入 “加速突破和大规模应用” 的关键阶段。傅志伟同时也是全国人民代表大会的代表，他在上周的 “两会” 年度政治会议上告诉《南华早报》，公司计划在五年内实现多种用于先进工艺的核心光刻胶材料的量产。这一评论标志着中国在新的第十五个五年计划下，扩大芯片自给自足努力的最新举措，正值与美国在先进芯片制造领域的技术竞争加剧之际。光刻胶用于光刻和光刻蚀等工艺，以在表面形成图案涂层，是芯片制造的关键原料。该材料按曝光波长分类，包括宽带紫外线、G 线、I 线、KrF、ArF、EUV 和电子束类型。其中，KrF、ArF 和 EUV 是最先进的。傅志伟表示，随着努力的增加，国内光刻胶领域正经历从 “单点突破” 到 “系统发展” 的转变。中国的第十五个五年计划在 “两会” 期间提出，呼吁 “精炼和强化成熟节点，提升先进工艺技术能力，加快关键设备、材料和组件的发展，推进高性能处理器和高密度存储器的进展”。尽管中国在用于功率芯片和 LED 的老旧 G 线和 I 线光刻胶方面的自给自足率已超过 20%，但高端市场仍然被包括 JSR、东京应化、信越化学、富士胶片电子材料和杜邦在内的日本和美国公司主导。根据东兴证券引用中国电子材料行业协会的数据，这些外国公司共同占据了国内市场近 95% 的份额，KrF 和 ArF 光刻胶的本土化率分别低至 3% 和不到 1%。对于徐州 B&amp;C 化学来说，主要目标是在瓶颈领域实现关键突破——特别是 KrF 和 ArF 光刻胶。傅志伟表示：“我们将动员我们最强大的资源，全面进攻高端光刻胶的开发，以满足更先进工艺节点的需求。” 他补充说，公司已实现全链条自主——涵盖单体、树脂、光酸和最终产品光刻胶。其 KrF 和 ArF 中高端产品已 “通过领先代工厂的验证”，并开始规模化生产。该公司在江苏省东部的徐州市设有生产设施，并在上海设有研发中心，是被视为中国在先进光刻胶领域实现自给自足的最佳希望之一。专注于 ArF 光刻胶的 Nata 光电材料在 2 月份表示，其年产能力为 50 吨，并能够为其早期订单保持稳定供应。该行业的其他竞争者包括上海新阳、红大道和苏州的晶瑞。大多数在入门级材料方面取得了进展，现在正瞄准高端市场的份额。</p>
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精确打击：中国针对美国和日本对光刻胶供应的垄断