<p>新闻：微电子</p>
<p>Navitas 在 NVIDIA GTC 发布 800V–6V DC–DC 电源传输板</p>
<p>Navitas Semiconductor Corp（美国加州托伦斯）——提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体——宣布其最新的 DC–DC 电源传输板（PDB），该板采用 GaNFast 技术，能够在一个功率阶段内直接将 800V 转换为 6V。这消除了计算服务器托盘内传统的 48V 中间总线转换器（IBC）阶段，最大化了系统效率、可靠性和宝贵的空间，为支持先进的 NVIDIA AI 基础设施提供了简单的电源传输解决方案。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg"/></p>
<p>围绕传统 54V 机架电源分配构建的企业和云架构，越来越无法支持未来加速计算平台所需的兆瓦机架密度。Navitas 表示，解决这些不断上升的电力需求需要对数据中心电源架构进行根本性转变。</p>
<p>NVIDIA 正在引领向 800VDC 数据中心电源基础设施的过渡，而 Navitas 正在提供支持这一转变的技术。Navitas 表示，其 800V–50V DC–DC 平台的推出在效率和功率密度方面是一次突破；然而，800V 到 50V 的转换仍然需要一个额外的功率转换阶段，以供电压调节模块（VRM）使用，通常在 12V 或以下工作。</p>
<p>随着 NVIDIA MGX 架构的发展，未来机架设计将用于高计算和功率密度系统，以提高 AI 性能，它们将需要直接的 800V 到 6V（或 12V）转换，以最大化机架功率密度和整体效率。直接从 800V 转换消除了 50V IBC 阶段，减少了转换损耗，释放了宝贵的电路板空间，并提高了端到端系统效率。Navitas 的 6V 输出架构通过将 VRM 转换比率减半，提高了系统性能，相比其他已发布的 PDB。</p>
<p>Navitas 的 800V–6V DC–DC PDB 旨在在满载时提供高达 96.5% 的峰值效率，开关频率为 1MHz，实现 2100W/in3 的功率密度。其超薄设计比手机薄约 20%，超低的高度允许与 GPU 板进行极其紧密的集成，最大化瞬态性能并增强电力分配效率。</p>
<h2>下一代 800V–6V DC–DC PDB 消除了 48V IBC 阶段，提高了系统效率、可靠性并节省了 PCB 面积</h2>
<p>主侧采用 16 个 650V GaNFast FET，采用最新的 DFN8x8 双冷却封装，配置为堆叠全桥。中心抽头输出使用 25V 硅 MOSFET。1MHz 的开关频率使得可以使用最小的被动元件和平面磁性元件，从而实现最大功率密度。</p>
<p>“凭借我们行业领先的 800V 到 6V DC–DC PDB，Navitas 正在为数据中心电源架构设定新的基准，” 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示。“通过消除整个转换阶段，我们降低了系统成本和功率损耗，同时释放了宝贵的电路板空间，使客户能够将更多空间用于计算、内存和 GPU，从而为 AI 工作负载释放最大性能，” 他补充道。“我们最新的基于 GaNFast 的解决方案展示了 Navitas 如何推动 AI 数据中心电源的边界。”</p>
<p>该 PDB 将在美国加州圣荷西的 NVIDIA GPU 技术大会（GTC 2026）（3 月 16 日至 19 日）和德克萨斯州圣安东尼奥的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）（3 月 22 日至 26 日）展出，展位号为#2027。</p>
<p>Navitas 展示了针对 AI 数据中心、电网和能源基础设施、高性能计算和工业电气化的解决方案</p>
<p>Navitas 支持 NVIDIA 下一代 AI 工厂计算平台的 800VDC 电源架构</p>
<p>电力电子</p>
<p>www.nvidia.com/gtc</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.navitassemi.com</p>

纳斯达克半导体 ETF - First Trust

费城交易所 半导体 ETF - iShares

标普半导体 ETF - SPDR

半导体 3 倍做多 - Direxion

NVTS

NXTG

半导体 ETF - VanEck Vectors

动态半导体 ETF - Invesco

<p>Navitas Semiconductor 在 NVIDIA GTC 上推出了一款 800V–6V 直流 - 直流电源传输板，采用 GaNFast 技术进行直接转换，消除了对 48V 中间总线转换器的需求。这一创新提升了系统的效率和可靠性，满足了先进 AI 基础设施的电力需求。该电源板的目标是达到 96.5% 的峰值效率和 2100W/in3 的功率密度，展示了数据中心电源架构的重大进展。该产品将在 NVIDIA GTC 和 IEEE APEC 2026 上展出</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>Navitas debuts 800V–6V DC–DC power delivery board at NVIDIA GTC</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 在 NVIDIA GTC 发布 800V–6V DC–DC 电源传输板</p>
</div><p>Navitas Semiconductor Corp of Torrance, CA, USA — which provides GaNFast gallium nitride (GaN) and GeneSiC silicon carbide (SiC) power semiconductors — has announced its latest DC–DC power delivery board (PDB) powered by GaNFast technology, enabling direct conversion from 800V to 6V in one power stage. This eliminates the traditional 48V intermediate bus converter (IBC) stage within the compute server trays, maximizing system efficiency, reliability and valuable real-estate, to deliver a simple power delivery solution to support advanced NVIDIA AI infrastructure.</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas Semiconductor Corp（美国加州托伦斯）——提供 GaNFast 氮化镓（GaN）和 GeneSiC 碳化硅（SiC）功率半导体——宣布其最新的 DC–DC 电源传输板（PDB），该板采用 GaNFast 技术，能够在一个功率阶段内直接将 800V 转换为 6V。这消除了计算服务器托盘内传统的 48V 中间总线转换器（IBC）阶段，最大化了系统效率、可靠性和宝贵的空间，为支持先进的 NVIDIA AI 基础设施提供了简单的电源传输解决方案。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/PR437-20kW.jpg"/></p>
<p>Traditional enterprise and cloud architectures built around legacy 54V in-rack power distribution are increasingly unable to support the megawatt rack densities demanded by future accelerated computing platforms. Addressing these escalating power requirements requires a fundamental shift in data-center power architecture, says Navitas.</p>
<div class="lb-trans"><p>围绕传统 54V 机架电源分配构建的企业和云架构，越来越无法支持未来加速计算平台所需的兆瓦机架密度。Navitas 表示，解决这些不断上升的电力需求需要对数据中心电源架构进行根本性转变。</p>
</div><p>NVIDIA is leading the transition to 800VDC data-center power infrastructure, and Navitas is delivering the technologies to support this shift. Navitas says that its 800V–50V DC–DC platform introduction was a breakthrough in efficiency and power density; however, 800V to 50V conversion still required one more power conversion stage to deliver to voltage regulator modules (VRM), which typically operated at 12V or below.</p>
<div class="lb-trans"><p>NVIDIA 正在引领向 800VDC 数据中心电源基础设施的过渡，而 Navitas 正在提供支持这一转变的技术。Navitas 表示，其 800V–50V DC–DC 平台的推出在效率和功率密度方面是一次突破；然而，800V 到 50V 的转换仍然需要一个额外的功率转换阶段，以供电压调节模块（VRM）使用，通常在 12V 或以下工作。</p>
</div><p>As NVIDIA MGX architecture evolves with the future rack design for high compute and power-density systems for greater AI performance, they will require direct 800V-to-6V (or 12V) conversion to maximize rack power density and overall efficiency. Converting directly from 800V eliminates the 50V IBC stage, reducing conversion losses, freeing valuable board space, and improving end-to-end system efficiency. Navitas’s 6V output architecture improves system performance versus other already released PDBs by cutting the VRM conversion ratio in half.</p>
<div class="lb-trans"><p>随着 NVIDIA MGX 架构的发展，未来机架设计将用于高计算和功率密度系统，以提高 AI 性能，它们将需要直接的 800V 到 6V（或 12V）转换，以最大化机架功率密度和整体效率。直接从 800V 转换消除了 50V IBC 阶段，减少了转换损耗，释放了宝贵的电路板空间，并提高了端到端系统效率。Navitas 的 6V 输出架构通过将 VRM 转换比率减半，提高了系统性能，相比其他已发布的 PDB。</p>
</div><p>Navitas’s 800V–6V DC–DC PDB aims to deliver up to 96.5% peak efficiency at full load with 1MHz switching frequency, enabling a power density of 2100W/in3. About 20% thinner than a mobile phone, its ultra-low profile allows for extremely close integration with the GPU board, maximizing transient performance and enhancing power distribution efficiency.</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 的 800V–6V DC–DC PDB 旨在在满载时提供高达 96.5% 的峰值效率，开关频率为 1MHz，实现 2100W/in3 的功率密度。其超薄设计比手机薄约 20%，超低的高度允许与 GPU 板进行极其紧密的集成，最大化瞬态性能并增强电力分配效率。</p>
</div><h2>Next-gen 800V–6V DC–DC PDB eliminates the 48V IBC stage, increasing system efficiency, reliability and saving PCB area</h2>
<div class="lb-trans"><h2>下一代 800V–6V DC–DC PDB 消除了 48V IBC 阶段，提高了系统效率、可靠性并节省了 PCB 面积</h2>
</div><p>The primary side employs 16 x 650V GaNFast FETs in the latest DFN8x8 dual-cooled package, configured in a stacked full-bridge. Center-tapped outputs use 25V silicon MOSFETs. 1MHz switching enables the use of the smallest passives and planar magnetics, delivering maximum power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>主侧采用 16 个 650V GaNFast FET，采用最新的 DFN8x8 双冷却封装，配置为堆叠全桥。中心抽头输出使用 25V 硅 MOSFET。1MHz 的开关频率使得可以使用最小的被动元件和平面磁性元件，从而实现最大功率密度。</p>
</div><p>“With our industry-leading 800V-to-6V DC–DC PDB, Navitas is setting a new benchmark for data-center power architectures,” says president &amp; CEO Chris Allexandre. “By eliminating an entire conversion stage, we lower system cost and power losses while freeing up valuable board space, enabling customers to dedicate more real-estate to compute, memory and GPUs and to unlock maximum performance for AI workloads,” he adds. “Our latest GaNFast-based solution shows how Navitas is pushing the boundaries of AI data-center power.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“凭借我们行业领先的 800V 到 6V DC–DC PDB，Navitas 正在为数据中心电源架构设定新的基准，” 总裁兼首席执行官 Chris Allexandre 表示。“通过消除整个转换阶段，我们降低了系统成本和功率损耗，同时释放了宝贵的电路板空间，使客户能够将更多空间用于计算、内存和 GPU，从而为 AI 工作负载释放最大性能，” 他补充道。“我们最新的基于 GaNFast 的解决方案展示了 Navitas 如何推动 AI 数据中心电源的边界。”</p>
</div><p>The PDB is being showcased at NVIDIA’s GPU Technology Conference (GTC 2026) in San Jose, CA, USA (16–19 March) and also in booth #2027 at the IEEE Applied Power Electronics Conference (APEC 2026) in San Antonio, Texas (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>该 PDB 将在美国加州圣荷西的 NVIDIA GPU 技术大会（GTC 2026）（3 月 16 日至 19 日）和德克萨斯州圣安东尼奥的 IEEE 应用电力电子会议（APEC 2026）（3 月 22 日至 26 日）展出，展位号为#2027。</p>
</div><p>Navitas exhibiting solutions for AI data-center, grid and energy infrastructure, performance computing, and industrial electrification</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 展示了针对 AI 数据中心、电网和能源基础设施、高性能计算和工业电气化的解决方案</p>
</div><p>Navitas supporting 800VDC power architecture for NVIDIA’s next-gen AI factory computing platforms</p>
<div class="lb-trans"><p>Navitas 支持 NVIDIA 下一代 AI 工厂计算平台的 800VDC 电源架构</p>
</div><p>Power electronics</p>
<div class="lb-trans"><p>电力电子</p>
</div><p>www.nvidia.com/gtc</p>
<div class="lb-trans"><p>www.nvidia.com/gtc</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.navitassemi.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.navitassemi.com</p>
</div>

Navitas 在 NVIDIA GTC 大会上发布 800V–6V DC–DC 电源传输板