<p>新闻：微电子</p>
<p>英飞凌推出基于 CoolGaN 的高压中间总线转换器参考设计</p>
<p>德国慕尼黑的英飞凌科技公司推出了两款新的高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，以帮助客户加速向由±400V 和 800V 直流电源驱动的 AI 服务器电源架构的过渡。这些设计得益于英飞凌的 650V CoolGaN 开关，旨在满足寻求更高机架功率、更低电力分配损耗和在不断增加的 AI 工作负载下改善热性能的超大规模数据中心、功率架构师和服务器 OEM 的需求。</p>
<p>这些参考设计针对两种不同的架构：800VDC 到 50V 的设计作为下游 48V IBC 模块的中间阶段，而 800VDC 到 12V 的设计则实现了紧凑型服务器板的直接转换。对于定制实现，英飞凌提供了数字控制器 XDPP1188-200C，支持 48V、24V 或 12V 的灵活输出电压。</p>
<p>“我们的 HV IBC 参考设计为客户提供了更快的路径，以利用英飞凌高质量的功率半导体和系统级设计专业知识，构建高压数据中心架构，” 英飞凌电源系统副总裁 Christian Burrer 表示。“通过展示完整的高效实现，客户可以降低开发风险，提高功率密度，并在规模上改善能源效率。”</p>
<p>800VDC 或±400V 到 50V 的 HV IBC 参考设计是为下一代 AI 数据中心开发的，在满载时效率超过 98%。该设计采用英飞凌优化的高压和中压 CoolGaN 开关、EiceDRIVER 门驱动器和 PSOC 微控制器构建，由两个 3kW 的 400V 到 50V 转换器构建模块组成，采用输入串联输出并联（ISOP）配置。该方法可扩展至 6kW TDP，并支持在 400µs 内达到 10.8kW，使用集成变压器的平面 PCB，具有多个同步整流阶段和在所有负载条件下的软开关，以减少电磁干扰。紧凑的实现具有 60mm x 60mm x 11mm 的外形尺寸，达到了卓越的 2.5kW/in3 功率密度。</p>
<p>第二个参考设计是一个超薄的 HV IBC 演示板，直接将 800VDC 总线电压转换为 12V 中间电压。该设计提供 6kW TDP，并支持在 400µs 内达到 10.8kW。它作为 ISOP 半桥 LLC 转换器运行，并采用创新的矩阵变压器设计，在 130mm x 40mm 的占地面积内实现 8mm 的高度。超薄设计的功率密度超过 2300W/in3，并支持创新的服务器板冷却概念。该设计在峰值效率上达到 98.2%，在满载时效率为 97.1%。为了满足这些严格的规格，该设计使用了英飞凌的高端 650V CoolGaN 和 40V OptiMOS 7 开关，配备 EiceDRIVER 门驱动器和 PSOC 微控制器。</p>
<p>这两款 HV IBC 参考设计都经过优化，可与英飞凌广泛的 AI 服务器电源交付产品组合配合使用，涵盖从电网到核心的所有相关电力技术——包括固态变压器和断路器、高压和中间总线转换，以及第二阶段直流转换电源模块。英飞凌利用硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的优势，以实现最高的效率、密度和可靠性，表示为客户提供了一条清晰的路径，通向具有经过验证的高质量组件、一致的设计支持和可扩展性能的端到端电源架构，适用于下一代 AI 服务器平台。</p>
<h2>APEC 2026</h2>
<p>英飞凌将在 2026 年 IEEE 应用电力电子会议与博览会（APEC 2026）上展出其电源器件组合——涵盖所有相关的硅、SiC 和 GaN 电力技术，展位号为#1619，地点位于美国德克萨斯州圣安东尼奥的亨利·B·冈萨雷斯会议中心（3 月 22 日至 26 日）。</p>
<p>英飞凌支持 NVIDIA 的 800VDC 电源架构</p>
<p>英飞凌</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.infineon.com/gan</p>

<p>英飞凌科技股份公司推出了两款高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，旨在增强 AI 服务器电源架构，支持±400V 和 800V 直流电。这些设计采用了英飞凌的 650V CoolGaN 开关，目标客户为超大规模数据中心和服务器原始设备制造商，提供更高的功率密度和效率。800VDC 到 50V 的设计支持下游 48V IBC 模块，而 800VDC 到 12V 的设计则专为紧凑型服务器主板量身定制。这两款设计的效率均超过 98%，并针对英飞凌的 AI 服务器电源交付产品组合进行了优化。英飞凌将在 2026 年德克萨斯州圣安东尼奥的 APEC 展会上展示这些创新</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>Infineon introduces CoolGaN-based high-voltage intermediate bus converter reference designs</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌推出基于 CoolGaN 的高压中间总线转换器参考设计</p>
</div><p>Infineon Technologies AG of Munich, Germany has introduced two new high-voltage intermediate bus converter (HV IBC) reference designs to help customers accelerate the transition to AI server power architectures powered by ±400V and 800V DC. Enabled by Infineon’s 650V CoolGaN switches, the designs target hyperscalers, power architects, and server OEMs seeking higher rack power, lower power distribution losses, and improved thermal performance at rising AI workloads.</p>
<div class="lb-trans"><p>德国慕尼黑的英飞凌科技公司推出了两款新的高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，以帮助客户加速向由±400V 和 800V 直流电源驱动的 AI 服务器电源架构的过渡。这些设计得益于英飞凌的 650V CoolGaN 开关，旨在满足寻求更高机架功率、更低电力分配损耗和在不断增加的 AI 工作负载下改善热性能的超大规模数据中心、功率架构师和服务器 OEM 的需求。</p>
</div><p>The reference designs address two different architectures: the 800VDC-to-50V design serves as an intermediate stage for downstream 48V IBC modules, while the 800VDC-to-12V design enables direct conversion for compact server boards. For custom implementations, Infineon offers the digital controller XDPP1188-200C, which supports flexible output voltages of 48V, 24V or 12V.</p>
<div class="lb-trans"><p>这些参考设计针对两种不同的架构：800VDC 到 50V 的设计作为下游 48V IBC 模块的中间阶段，而 800VDC 到 12V 的设计则实现了紧凑型服务器板的直接转换。对于定制实现，英飞凌提供了数字控制器 XDPP1188-200C，支持 48V、24V 或 12V 的灵活输出电压。</p>
</div><p>“Our HV IBC reference designs are giving customers a faster path to high-voltage data-center architectures leveraging Infineon’s high-quality power semiconductors with system-level design expertise,” says Christian Burrer, vice president Power Systems at Infineon. “By showcasing complete, high-efficiency implementations, customers can de-risk development, raise power density, and improve energy efficiency at scale.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“我们的 HV IBC 参考设计为客户提供了更快的路径，以利用英飞凌高质量的功率半导体和系统级设计专业知识，构建高压数据中心架构，” 英飞凌电源系统副总裁 Christian Burrer 表示。“通过展示完整的高效实现，客户可以降低开发风险，提高功率密度，并在规模上改善能源效率。”</p>
</div><p>The 800VDC or ±400V to 50V HV IBC reference design was developed for next-generation AI data centers and demonstrates more than 98% efficiency at full load. Built using Infineon’s solution-optimized high-voltage and medium-voltage CoolGaN switches, EiceDRIVER gate drivers and a PSOC microcontroller, it consists of two 3kW 400V-to-50V converter building blocks, which are configured in an input-series-output-parallel (ISOP) arrangement. The approach scales to 6kW TDP and supports up to 10.8kW for 400µs, using a planar PCB integrated transformer with multiple synchronous rectifier stages and soft switching across all load conditions to reduce EMI. The compact implementation has a 60mm x 60mm x 11mm form factor and achieves an exceptional 2.5kW/in3 power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>800VDC 或±400V 到 50V 的 HV IBC 参考设计是为下一代 AI 数据中心开发的，在满载时效率超过 98%。该设计采用英飞凌优化的高压和中压 CoolGaN 开关、EiceDRIVER 门驱动器和 PSOC 微控制器构建，由两个 3kW 的 400V 到 50V 转换器构建模块组成，采用输入串联输出并联（ISOP）配置。该方法可扩展至 6kW TDP，并支持在 400µs 内达到 10.8kW，使用集成变压器的平面 PCB，具有多个同步整流阶段和在所有负载条件下的软开关，以减少电磁干扰。紧凑的实现具有 60mm x 60mm x 11mm 的外形尺寸，达到了卓越的 2.5kW/in3 功率密度。</p>
</div><p>The second reference design is an ultra-thin HV IBC demo board, which converts an 800VDC bus voltage directly to a 12V intermediate rail. The design delivers 6kW TDP and supports up to 10.8kW for 400µs. It operates as an ISOP half-bridge LLC converter and uses an innovative matrix-transformer design to achieve an 8mm height in a 130mm x 40mm footprint. The ultra-thin design has a power density above 2300W/in3 and enables innovative server board cooling concepts. The design reaches up to 98.2% peak efficiency and 97.1% efficiency at full load. To meet these stringent specifications, the design uses Infineon’s premium 650V CoolGaN and 40V OptiMOS 7 switches, with EiceDRIVER gate drivers and a PSOC microcontroller.</p>
<div class="lb-trans"><p>第二个参考设计是一个超薄的 HV IBC 演示板，直接将 800VDC 总线电压转换为 12V 中间电压。该设计提供 6kW TDP，并支持在 400µs 内达到 10.8kW。它作为 ISOP 半桥 LLC 转换器运行，并采用创新的矩阵变压器设计，在 130mm x 40mm 的占地面积内实现 8mm 的高度。超薄设计的功率密度超过 2300W/in3，并支持创新的服务器板冷却概念。该设计在峰值效率上达到 98.2%，在满载时效率为 97.1%。为了满足这些严格的规格，该设计使用了英飞凌的高端 650V CoolGaN 和 40V OptiMOS 7 开关，配备 EiceDRIVER 门驱动器和 PSOC 微控制器。</p>
</div><p>Both HV IBC reference designs are optimized for use with Infineon’s broad AI server power delivery portfolio from grid to core – spanning solid-state transformers and circuit breakers, high-voltage and intermediate bus conversion, as well as second-stage DC conversion power modules. Leveraging the benefits of silicon, silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) to achieve the highest efficiency, density and robustness, Infineon says that it gives customers a clear path to end-to-end power architectures with proven high-quality components, consistent design support, and scalable performance for next-generation AI server platforms.</p>
<div class="lb-trans"><p>这两款 HV IBC 参考设计都经过优化，可与英飞凌广泛的 AI 服务器电源交付产品组合配合使用，涵盖从电网到核心的所有相关电力技术——包括固态变压器和断路器、高压和中间总线转换，以及第二阶段直流转换电源模块。英飞凌利用硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的优势，以实现最高的效率、密度和可靠性，表示为客户提供了一条清晰的路径，通向具有经过验证的高质量组件、一致的设计支持和可扩展性能的端到端电源架构，适用于下一代 AI 服务器平台。</p>
</div><h2>APEC 2026</h2>
<div class="lb-trans"><h2>APEC 2026</h2>
</div><p>Infineon is exhibiting its power device portfolio — spanning all relevant power technologies in silicon, SiC and GaN — in booth #1619 at the IEEE Applied Power Electronics Conference &amp; Exposition (APEC 2026) at the Henry B. Gonzalez Convention Center in San Antonio, Texas, USA (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌将在 2026 年 IEEE 应用电力电子会议与博览会（APEC 2026）上展出其电源器件组合——涵盖所有相关的硅、SiC 和 GaN 电力技术，展位号为#1619，地点位于美国德克萨斯州圣安东尼奥的亨利·B·冈萨雷斯会议中心（3 月 22 日至 26 日）。</p>
</div><p>Infineon supporting NVIDIA’s 800VDC power architecture</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌支持 NVIDIA 的 800VDC 电源架构</p>
</div><p>Infineon</p>
<div class="lb-trans"><p>英飞凌</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.infineon.com/gan</p>
<div class="lb-trans"><p>www.infineon.com/gan</p>
</div>

英飞凌推出了基于 CoolGaN 技术的高压中间总线转换器参考设计