<p>新闻：微电子</p>
<p>SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块</p>
<p>美国加州湖森林的 SemiQ Inc——一家设计、开发和制造用于高压应用的碳化硅（SiC）功率半导体及 150mm SiC 外延晶圆的公司——推出了 QSiC Dual3 系列，旨在为数据中心冷却系统中的电机驱动、能源存储系统中的电网转换器以及工业驱动器提供 1200V 半桥 MOSFET 模块。</p>
<p>该系列声称能够创造出具有行业领先的转换效率和功率密度的功率转换器。此外，该系列还包括一个可选的并联肖特基势垒二极管，以进一步减少高温环境下的开关损耗。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="1200" height="773" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg"/></p>
<p>该系列六款设备中的两款具有仅为 1mΩ的 RDSon 和来自 62mm x 152mm 封装的 240W/in3 的功率密度。</p>
<p>QSiC Dual3 的开发旨在实现对 IGBT 模块的替换，且无需进行大量重新设计，所有 MOSFET 芯片均经过超过 1450V 的晶圆级栅氧化物老化测试。该模块还具有低结到外壳的热阻，并支持简化的系统设计，配备更小、更轻的散热器。</p>
<p>“数据中心中日益增长的 AI 驱动的功率和热需求正在推动传统冷却和电力系统的极限，” 总裁 Dr Timothy Han 表示。“凭借灵活的设计和行业领先的功率密度，QSiC Dual3 系列支持 250kW 液体冷却器应用，适用于主动前端和压缩机驱动，与传统硅 IGBT 解决方案相比，减少了体积和重量，同时提供了 SiC 的全部效率。”</p>
<p>新系列将在美国德克萨斯州圣安东尼奥的亨利·B·冈萨雷斯会议中心的应用电力电子会议（APEC 2026）展位#1451 展出（3 月 22 日至 26 日）。</p>
<p>SemiQ 在 APEC 上推出针对 AI 数据中心和高功率基础设施的 SiC 电源解决方案</p>
<p>SemiQ 推出用于高功率工业和电动车应用的 Gen3 1200V S3 模块</p>
<p>SiC 功率 MOSFET</p>
<p>www.apec-conf.org</p>
<p>www.SemiQ.com</p>

标普半导体 ETF - SPDR

SEMI

费城交易所 半导体 ETF - iShares

半导体 3 倍做多 - Direxion

半导体 ETF - VanEck Vectors

动态半导体 ETF - Invesco

<p>SemiQ Inc 推出了 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，专为数据中心冷却系统、能源存储电网转换器和工业驱动器等高压应用设计。该模块承诺提供行业领先的转换效率和功率密度，并提供并联肖特基势垒二极管的选项，以减少开关损耗。QSiC Dual3 系列支持 250kW 液体冷却器应用，并将在 2026 年在德克萨斯州圣安东尼奥的 APEC 展会上展示</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>SemiQ launches QSiC Dual3 family of 1200V half-bridge MOSFET modules</p>
<div class="lb-trans"><p>SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块</p>
</div><p>SemiQ Inc of Lake Forest, CA, USA — which designs, develops and manufactures silicon carbide (SiC) power semiconductors and 150mm SiC epitaxial wafers for high-voltage applications — has launched the QSiC Dual3, a family of 1200V half-bridge MOSFET modules for motor drives in data-center cooling systems, grid converters in energy storage systems, and industrial drivers.</p>
<div class="lb-trans"><p>美国加州湖森林的 SemiQ Inc——一家设计、开发和制造用于高压应用的碳化硅（SiC）功率半导体及 150mm SiC 外延晶圆的公司——推出了 QSiC Dual3 系列，旨在为数据中心冷却系统中的电机驱动、能源存储系统中的电网转换器以及工业驱动器提供 1200V 半桥 MOSFET 模块。</p>
</div><p>The family enables the creation of power converters with both industry-leading conversion efficiency and power density, it is claimed. Additionally, the series includes an optional parallel Schottky barrier diode to further reduce switching losses in high-temperature environments.</p>
<div class="lb-trans"><p>该系列声称能够创造出具有行业领先的转换效率和功率密度的功率转换器。此外，该系列还包括一个可选的并联肖特基势垒二极管，以进一步减少高温环境下的开关损耗。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/mar/SemiQ-Dual3-PR-image.jpg"/></p>
<p>Two of the family’s six devices have an RDSon of just 1mΩ and a power density of 240W/in3 from its 62mm x 152mm package.</p>
<div class="lb-trans"><p>该系列六款设备中的两款具有仅为 1mΩ的 RDSon 和来自 62mm x 152mm 封装的 240W/in3 的功率密度。</p>
</div><p>The QSiC Dual3 has been developed to enable the replacement of IGBT modules with minimal redesign, with all MOSFET die having been screened using wafer-level gate-oxide burn-in tests exceeding 1450V. The modules additionally feature a low junction-to-case thermal resistance and enable a simplified system design with smaller, lighter heat-sinks.</p>
<div class="lb-trans"><p>QSiC Dual3 的开发旨在实现对 IGBT 模块的替换，且无需进行大量重新设计，所有 MOSFET 芯片均经过超过 1450V 的晶圆级栅氧化物老化测试。该模块还具有低结到外壳的热阻，并支持简化的系统设计，配备更小、更轻的散热器。</p>
</div><p>“Rising AI-driven power and thermal demands in data centers are pushing the limits of traditional cooling and power systems,” says president Dr Timothy Han. “With a flexible design and industry-leading power density, the QSiC Dual3 series supports 250kW liquid chiller applications on both active front ends and compressor drives, reducing size and weight compared to traditional silicon IGBT solutions while delivering the full efficiency of SiC.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“数据中心中日益增长的 AI 驱动的功率和热需求正在推动传统冷却和电力系统的极限，” 总裁 Dr Timothy Han 表示。“凭借灵活的设计和行业领先的功率密度，QSiC Dual3 系列支持 250kW 液体冷却器应用，适用于主动前端和压缩机驱动，与传统硅 IGBT 解决方案相比，减少了体积和重量，同时提供了 SiC 的全部效率。”</p>
</div><p>The new lineup is on display in booth #1451 at the Applied Power Electronics Conference (APEC 2026) at the Henry B Gonzalez Convention Center, San Antonio, TX, USA (22–26 March).</p>
<div class="lb-trans"><p>新系列将在美国德克萨斯州圣安东尼奥的亨利·B·冈萨雷斯会议中心的应用电力电子会议（APEC 2026）展位#1451 展出（3 月 22 日至 26 日）。</p>
</div><p>SemiQ debuting SiC power solutions for AI data centers and high-power infrastructure at APEC</p>
<div class="lb-trans"><p>SemiQ 在 APEC 上推出针对 AI 数据中心和高功率基础设施的 SiC 电源解决方案</p>
</div><p>SemiQ launches Gen3 1200V S3 modules for high-power industrial and EV applications</p>
<div class="lb-trans"><p>SemiQ 推出用于高功率工业和电动车应用的 Gen3 1200V S3 模块</p>
</div><p>SiC power MOSFET</p>
<div class="lb-trans"><p>SiC 功率 MOSFET</p>
</div><p>www.apec-conf.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.apec-conf.org</p>
</div><p>www.SemiQ.com</p>
<div class="lb-trans"><p>www.SemiQ.com</p>
</div>

SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列的 1200V 半桥 MOSFET 模块