我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。SemiQ Inc 推出了 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块，专为数据中心冷却系统、能源存储电网转换器和工业驱动器等高压应用设计。该模块承诺提供行业领先的转换效率和功率密度，并提供并联肖特基势垒二极管的选项，以减少开关损耗。QSiC Dual3 系列支持 250kW 液体冷却器应用，并将在 2026 年在德克萨斯州圣安东尼奥的 APEC 展会上展示
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SemiQ 推出 QSiC Dual3 系列 1200V 半桥 MOSFET 模块
美国加州湖森林的 SemiQ Inc——一家设计、开发和制造用于高压应用的碳化硅（SiC）功率半导体及 150mm SiC 外延晶圆的公司——推出了 QSiC Dual3 系列，旨在为数据中心冷却系统中的电机驱动、能源存储系统中的电网转换器以及工业驱动器提供 1200V 半桥 MOSFET 模块。
该系列声称能够创造出具有行业领先的转换效率和功率密度的功率转换器。此外，该系列还包括一个可选的并联肖特基势垒二极管，以进一步减少高温环境下的开关损耗。
该系列六款设备中的两款具有仅为 1mΩ的 RDSon 和来自 62mm x 152mm 封装的 240W/in3 的功率密度。
QSiC Dual3 的开发旨在实现对 IGBT 模块的替换，且无需进行大量重新设计，所有 MOSFET 芯片均经过超过 1450V 的晶圆级栅氧化物老化测试。该模块还具有低结到外壳的热阻，并支持简化的系统设计，配备更小、更轻的散热器。
“数据中心中日益增长的 AI 驱动的功率和热需求正在推动传统冷却和电力系统的极限，” 总裁 Dr Timothy Han 表示。“凭借灵活的设计和行业领先的功率密度，QSiC Dual3 系列支持 250kW 液体冷却器应用，适用于主动前端和压缩机驱动，与传统硅 IGBT 解决方案相比，减少了体积和重量，同时提供了 SiC 的全部效率。”
新系列将在美国德克萨斯州圣安东尼奥的亨利·B·冈萨雷斯会议中心的应用电力电子会议（APEC 2026）展位#1451 展出（3 月 22 日至 26 日）。
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SiC 功率 MOSFET
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