当 AI 从&#34;生成&#34;走向&#34;自主行动&#34;，算力的瓶颈可能将从 GPU 转移到内存。
据韩国《亚洲经济》等当地媒体报道，被业界誉为&#34;HBM 之父&#34;的韩国科学技术院（KAIST）教授 Joungho Kim 近日发出预言：当前由英伟达主导的 GPU 中心化 AI 架构，终将被以内存为核心的新架构所取代。
这一判断的背后，是 AI 应用形态的根本性转变。从生成式 AI 迈向智能体 AI（Agentic AI），系统需要同时处理海量文档、视频及多模态数据——Kim 将这一趋势称为&#34;上下文工程&#34;（context engineering）的崛起。他指出，为保障速度与精度，内存带宽和容量必须提升最高1000 倍。
数字更为惊人的是需求端：据 Money Today Broadcasting 早前引述 Kim 的说法，输入规模若扩大 100 至 1000 倍，内存需求可能呈指数级跃升，总量膨胀幅度或高达100 万倍。
<h2 style="text-align: left">HBM 将触及天花板，HBF 接棒</h2>
Kim 明确表示，现有 HBM 技术——通过垂直堆叠 DRAM 实现超高速传输，目前主导 AI 加速器内存市场——在智能体 AI 时代将难以为继。
他提出的下一代解决方案是HBF（High Bandwidth Flash，高带宽闪存）：以堆叠 NAND 替代 DRAM，构建一个&#34;巨型书架式&#34;长期记忆体，容量远超现有上限。
类比来看，HBM 更像是桌面上的便签纸——速度快但容量有限；HBF 则像是一整面书墙，能存放的信息量级完全不同。
在架构层面，SK 海力士已在 IEEE 发表的论文中提出&#34;H3&#34;架构——据《韩国经济》2 月报道，该架构将 HBM 与 HBF 并排部署于 GPU 旁侧，而非现有设计中仅有 HBM 紧邻处理器。这意味着 GPU 的角色将从&#34;主角&#34;退化为&#34;配角&#34;，计算单元被嵌入以内存为主体的系统之中。
时间表已逐渐清晰。
据 Kim 的预测，HBF 工程样品预计将于 2027 年前后出现，谷歌、英伟达或 AMD 最早可能在 2028 年采用该技术。
这一节奏与 HBM 当年从实验室走向大规模商用的路径高度相似，也意味着产业窗口期已经开启。
<h2 style="text-align: left">SK 海力士与三星，再度正面交锋</h2>
Kim 同时指出，HBF 领域的竞争格局将复刻 HBM 时代的剧本——SK 海力士与三星电子再度成为主角。
目前，SK 海力士已于今年 2 月联合闪迪成立 HBF 标准化联盟，意在抢占生态系统主导权。三星则一方面持续推进 HBM4E 等下一代 HBM 产品，另一方面同步投入与 HBF 概念相符的 NAND 架构研发，据 Aju News 报道。
两家巨头的布局路径不同，但目标指向同一个赛道。谁能率先完成从标准制定到量产交付的闭环，将在很大程度上决定下一轮 AI 内存市场的格局。

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“HBM 之父” 预言，AI 架构将从 GPU 中心转向内存中心——智能体 AI 时代的内存需求可能膨胀 100 万倍，现有 HBM 技术将触及天花板，以堆叠 NAND 为基础的新一代 HBF 技术有望于 2027 年出现工程样品、2028 年被谷歌或英伟达采用。SK 海力士已联手闪迪抢跑标准制定，三星同步布局。

- AI 自主行动可能导致算力瓶颈从 GPU 转向内存。
- 韩国科学技术院教授 Kim 预言 HBM 技术将在智能体 AI 时代被 HBF 替代。
- SK 海力士与三星在 HBF 领域的竞争将影响未来 AI 内存市场。

“HBM 之父” 预言 AI 架构颠覆：内存将取代 GPU 成为核心