台积电正式确认，计划 2028 年在日本生产 3 纳米芯片。3 月 31 日周二，根据台积电文件披露，台积电日本第二厂将采用 3 纳米先进制程技术，月产能规划为 1.5 万片 12 英寸晶圆。这一计划在今年 2 月已由台积电 CEO 魏哲家在会见日本首相高市早苗期间对外披露，此次文件提交进一步落实了相关细节。台积电于 2021 年在日本设立子公司&#34;日本先进半导体制造&#34;（JASM），初期获得索尼半导体解决方案公司的支持，此后日本电装（DENSO）及丰田汽车相继以少数股东身份加入。<div><h2 id="6db0eb32">从成熟制程到先进制程的战略转变</h2></div>此前，台积电在日本的布局主要集中于成熟制程技术。根据 2024 年公布的计划，台积电日本第一厂与第二厂合计月产能为 10 万片 12 英寸晶圆，采用 40 纳米、22/28 纳米、12/16 纳米及 6/7 纳米等制程技术，两厂合计投资额超过 200 亿美元。此次修订方案的出炉，意味着第二厂的技术定位已作出调整。由原定的较成熟制程升级至 3 纳米先进制程，这与台积电近期在全球范围内加速先进制程产能部署的整体战略方向一致。台积电日本第一厂已于 2024 年底启动量产，进展顺利。第二厂若按计划于 2028 年投产。据日本媒体此前报道，日本第二厂投资额将约达 170 亿美元，但台积电迄今未披露具体数字。

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台积电正式确认，计划 2028 年在日本第二厂量产 3 纳米芯片，月产能 1.5 万片 12 英寸晶圆。此前第二厂原定采用较成熟制程，第一厂已于 2024 年底顺利投产，两厂合计投资超 200 亿美元。

- 台积电确认 2028 年在日本生产 3 纳米芯片，月产能 1.5 万片。  
- 第二厂采用先进制程，符合全球产能部署战略。  
- 总投资额预计约 170 亿美元，第一厂已于 2024 年底量产。

台积电计划 2028 年开始在日本生产 3 纳米芯片