<p>TradingKey - 4 月 9 日，行业消息人士透露，SK 海力士的 1c DRAM 良率已上升至 80%，今年超过一半的生产能力已转向新工艺，预计到年底月产量将达到 190,000 片，EUV 设备投资将增加三倍。这项技术是下一代 HBM4E 的核心，将用于 NVIDIA (NVDA) 的&#34;Vera Rubin Ultra&#34; AI 加速器，计划在明年下半年推出，公司计划在今年内交付样品。</p><p>早前，SK 海力士于 3 月 25 日向美国证券交易委员会秘密提交了上市申请，计划通过 ADR 在美国股市上市，目标上市日期为 2026 年下半年。</p><p>这些举措与内存芯片超级周期相吻合：在 2026 年第一季度，DRAM 合同价格环比飙升超过 90%，NAND 价格上涨超过 50%。在三星于 4 月 7 日创下季度利润纪录后，韩国半导体行业次日反弹，SK 海力士的股价在一天内上涨近 15%。SK 海力士的美国上市不仅仅是为了筹集资金；它是为了估值恢复和技术布局的战略安排。</p><h2 id="uumc2uueu">I. 为什么 SK 海力士的估值低于美光？</h2><p>SK 海力士在技术上处于领先地位，但其在韩国股市的估值低于美光（MU）。美光的前瞻市盈率约为 7.8 倍，而 SK 海力士仅为 5.9 倍——这意味着每赚取 1 美元的收益，美光的股票估值为 7.80 美元，而 SK 海力士的仅为 5.90 美元。这就是所谓的&#34;韩国折扣&#34;，由零售主导市场、大型企业不透明的公司治理和地缘政治风险等因素造成。</p><p>然而，SK 海力士的基本面强劲。预计到 2026 年，它将在下一代 HBM4 内存市场占据 54% 的份额，并已锁定约 70% 的 Nvidia 下一代 AI 平台订单。如果此次美国上市成功，美国机构投资者将能够直接购买其股票，其估值可能与美国同行对齐，类似于台积电的轨迹。</p><p>该计划涉及发行约 2%-3% 的新股，以筹集 96 亿至 144 亿美元。由于之前取消的库存股数量大致等于新发行的股份，因此对现有股东的稀释将有限。</p><h2 id="w5fv91lq">II. 为什么 SK 海力士的股价在一天内飙升近 15%？</h2><p>4 月 8 日，SK 海力士收盘上涨近 13%（盘中接近 15%），达到 103.3 万韩元。直接催化因素是三星第一季度营业利润达到 57.2 万亿韩元（同比增长 800%），创下韩国公司纪录，加上美国与伊朗的临时停火和地缘政治风险的缓解。</p><p>更深层的逻辑是，SK 海力士的 DRAM、NAND 和 HBM 产能已预订至 2026 年底。微软（MSFT）、谷歌（GOOGL）等云服务提供商甚至愿意支付 10%-30% 的定金，以确保三年的长期合同。内存芯片正在从周期性商品转变为&#34;基础设施级&#34;稀缺资源。 Hana 证券已将 SK 海力士的全年营业利润预测上调 47%，目标价为 160 万韩元。</p><h2 id="jy390vrlf">III. SK 海力士如何扩大与美光和三星的差距？</h2><p>HBM 是 AI 芯片的&#34;皇冠&#34;，而 1c DRAM 是这颗皇冠中最闪亮的宝石，直接决定了 HBM4 和 HBM4E 的性能上限。</p><p>SK 海力士最近披露了几个关键数据：</p><ul><li><strong>良率已达到 80%</strong>。对于 10nm 级 DRAM，80% 的良率表明该技术已高度成熟，完全准备好进行大规模生产。</li><li><strong>在今年内转型超过一半的生产能力</strong>。SK 海力士计划在今年内将超过一半的 DRAM 生产线转向 1c 工艺，目标是在年底前实现每月约 190,000 片的产能。这是一个激进的扩张计划。</li><li><strong>EUV 光刻设备的投资相比原计划增加了大约三倍</strong>。该设备是生产 1c DRAM 的必要工具，增加的投资显示出公司对这项技术的充分信心。</li></ul><p>那么，1c DRAM 与 SK 海力士的 AI 业务有什么关系？答案在于 HBM4E。</p><p>HBM（高带宽内存）是 AI 芯片的&#34;伙伴&#34;，负责以高速将数据传输到 Nvidia 的 GPU。每一代 HBM 都需要更先进、更节能和更快的基础 DRAM 芯片。SK 海力士的 1c DRAM 正是为下一代 HBM4E 准备的核心材料。</p><p>而 HBM4E 的最大客户是谁？Nvidia。Nvidia 计划在明年下半年推出其下一代 AI 加速器&#34;Vera Rubin Ultra&#34;，该加速器将采用 HBM4E。SK 海力士必须在今年内完成样品开发，以跟上 Nvidia 的步伐。</p><p><strong>80% 的良率、在今年内转型超过一半的生产能力以及每月 190,000 片的产能</strong>——这三个数据共同发出明确的信号：SK 海力士不仅仅是在口头上承诺其技术领先；它正在投入大量资本将这一优势转化为实际生产能力。一旦这一产能释放，将进一步拉大与美光和三星的差距。</p><h2 id="1r8ye5hap">IV. SK 海力士与美光：哪个是更好的投资？</h2><figure class="image"><img src="https://pub.pbkrs.com/uploads/2026/ea6c5dbbcadcdbd79cc04a7eb2c4e5ad?x-oss-process=style/lg" alt="" width="1512" height="924" original-src="https://pub.pbkrs.com/uploads/2026/ea6c5dbbcadcdbd79cc04a7eb2c4e5ad"/></figure><p><strong>SK 海力士在 HBM 领域占据明显领先地位。</strong> 在 2025 年第四季度，SK 海力士在全球 HBM 市场的收入占比达到 57%，是美光的两倍多。对于下一代 HBM4，它已锁定约 70% 的 Nvidia 订单，预计到 2026 年其全球市场份额将达到 54%，而美光仅为 18%。</p><p><strong>在 1c DRAM 工艺技术中，差距可能更大。</strong> SK 海力士披露了 80% 的良率和激进的产能转换计划，这使其在即将到来的 HBM4E 竞争中处于更有利的位置。虽然美光也在推进其尖端 DRAM，但尚未发布可比的进展数据。</p><p><strong>在标准 DRAM 市场上，美光紧随其后。</strong> 美光最近一个季度的收入达到了 238.6 亿美元，同比大幅增长 196%，传统 DRAM 是主要贡献者。该公司对下一个季度提供了非常乐观的指引，预计收入高达 342.5 亿美元。美光上个季度的实际毛利率约为 75%，预计下个季度将上升至约 81%。</p><p>SK 海力士拥有更先进的技术、更充足的订单和更激进的产能扩张，但其估值仍然较低。这一估值不匹配是 SK 海力士寻求在美国上市的最直接原因。</p><h2 id="md7l2q1n">5. SK 海力士为何急于上市？</h2><h3 id="jkr5v2zse"><strong>1: 行业达到超级周期的顶峰</strong></h3><p>在 2026 年第一季度，DRAM 价格上涨超过 90%，预计在第二季度将进一步上涨约 60%。分析师认为，这一价格上涨仅刚刚进入 “中期阶段”，真正的盈利爆发点可能发生在 2026 年第四季度到 2027 年第二季度之间。在行业高峰期间上市可以实现最大资本募集，并吸引最多的关注。</p><h3 id="4jaykxg6o"><strong>2: 1c DRAM 技术突破；HBM4E 即将推出</strong></h3><p>英伟达计划在明年下半年推出搭载 HBM4E 的 “维拉·鲁宾超算”。作为主要供应商，SK 海力士必须在此之前完成产能准备。建设新工厂、购买极紫外（EUV）光刻设备和扩展研发团队都需要大量资金。通过 IPO 筹集的 96 亿到 144 亿美元可以直接用于扩展 1c DRAM 和 HBM4E 的生产能力。</p><p>SK 海力士首席执行官郭诺正表示，公司打算利用此次上市确保在任何情况下都能进行长期战略投资，并迅速响应全球客户订单。公司还设定了 “净现金超过 100 万亿韩元” 的目标——这比目前的 12.7 万亿韩元大幅跃升，使得 IPO 成为关键一步。</p><h3 id="sbcgnasvh"><strong>3: 客户订单充足</strong></h3><p>SK 海力士占据了英伟达下一代 AI 平台维拉·鲁宾的 HBM4 供应的约 70%，远超市场之前预期的 50%。现在，随着 1c DRAM 良率的提高，其市场份额预计也将继续在随后的维拉·鲁宾超算平台中保持领先。</p><p>与此同时，微软、谷歌和亚马逊等北美云巨头正在与 SK 海力士签署长期协议，愿意支付比智能手机制造商高出 50%-60% 的溢价以确保产能。这些长期订单为 SK 海力士提供了多年的稳定收入，并为 IPO 提供了坚实的业绩支持。</p><h2 id="z33h5xyz">VI. SK 海力士的上市对美光是利空还是利好？</h2><p>美光长期以来是美国市场上唯一的纯 DRAM 股票，享有 “稀缺溢价”。SK 海力士 ADR 的上市将打破这一格局——美国投资者现在有了一个更便宜且技术更具攻击性的替代选择。一位纽约对冲基金经理表示：“短期资本可能会从美光流向 SK 海力士。”</p><p>然而，影响可能是短期的。KeyBanc 分析师仍然将美光 2026 财年的每股收益预测上调至 64.37 美元，目标价为 600 美元（较当前水平约有 60% 的上涨空间）。从长远来看，两家公司的发展轨迹可能会趋于一致，因为 HBM 供应短缺对双方都有利。</p><h2 id="9of1ie0qs">VII. 投资 SK 海力士前需考虑的关键风险。</h2><p>SK 海力士的美国上市并不意味着它可以高枕无忧。内存芯片行业目前正处于 SK 海力士、三星和美光之间的激烈竞争阶段，未来的格局可能会受到以下四个因素的重塑：</p><ol><li><strong>三星的反击</strong>：三星已订购约 20 台最先进的 EUV 光刻机（价值超过 450 亿人民币），以扩大 1c DRAM 产能；凭借芯片性能的巅峰，旨在重新夺回市场份额。</li><li><strong>美光迎头赶上</strong>：美光已将 2026 年的资本支出提高到超过 250 亿美元，在全球范围内扩展生产，HBM4 验证的差距正在缩小。</li><li><strong>周期性下滑</strong>：HBM 市场的增长放缓，领先制造商已开始调整 NAND 产能以防止价格崩溃。</li><li><strong>地缘政治和技术迭代</strong>：中东紧张局势正在扰动市场；HBM 从 3E 到 4 再到 4E 的演变代表着每一代的重组，SK 海力士可能不会永远领先。</li></ol><h2 id="ss49n4qwg">VIII. 投资者应如何看待这一点？</h2><p>SK 海力士追求美国上市体现了内存芯片从 “配角” 到 “主角” 的转变，以及在 AI 时代从周期性商品到战略资源的转变。凭借 1c DRAM 的 80% 良率、满产能力和来自英伟达的大量订单，该公司不仅在销售叙事，还依赖于经过验证的技术实力。</p><p>如果上市成功，其估值预计将与美光趋于一致，稀释美光的 “唯一玩家溢价”。投资者将首次能够同时在美国市场上配置两只纯 DRAM 股票，估值差距为多空策略提供了空间。</p><p>当然，周期性波动、技术迭代以及 “三巨头” 之间的激烈竞争都预示着风险。正如郭诺正所指出的：“尽管公司处于人工智能时代的中心，但其在全球市场的估值仍然不足。” 2026 年下半年在华尔街的首次亮相将标志着 SK 海力士从 “韩国冠军” 向 “全球巨头” 的重要转变。</p><p>了解更多</p>

DRAM

SOXQ

半导体 ETF - VanEck Vectors

<p>SK 海力士的 1c DRAM 良率已达到 80%，并计划在今年大幅提高生产能力。该公司已申请在美国上市，目标筹集高达 144 亿美元。尽管与美光科技相比估值较低，SK 海力士预计将在 HBM4 内存市场中占据重要份额。近期市场动态，包括三星创纪录的利润和云服务提供商的强劲需求，导致 SK 海力士的股价上涨近 15%。该公司的积极扩张和技术进步使其在半导体行业中处于有利位置</p>

SK Hynix vs. Micron: Which Memory Chip Is the Better Investment?

- SK Hynix 的 1c DRAM 厂产量已提升至 80%，年内计划提升至每月 190,000 片。  
- 其美国上市计划目标是在 2026 年下半年，计划筹集约 96 亿至 144 亿美元。  
- 年初至今，DRAM 合约价格暴涨 90%，市场对记忆芯片的需求强劲。

SK 海力士与美光科技：哪个内存芯片是更好的投资选择？