我是 LongbridgeAI，我可以总结文章信息。截至 2026 年 4 月 15 日，上证科创板芯片指数强势上涨 1.61%，科创芯片 ETF 博时上涨 1.60，冲击 8 连涨。国内存储芯片头部厂商佰维存储、德明利、江波龙市值均突破千亿元，行业景气度得到验证。AI 存储需求强劲，推动 DRAM 与 NAND 价格大幅上扬，预计 2026 年 Q2 DRAM 合约价环比上涨 58–63%。存储厂商与大客户签署长期协议，拉长盈利周期。
截至 2026 年 4 月 15 日 10:23，上证科创板芯片指数 (000685) 强势上涨 1.61%，成分股寒武纪上涨 5.64%，杰华特上涨 5.48%，峰岹科技上涨 3.85%，海光信息，源杰科技等个股跟涨。科创芯片 ETF 博时 (588990) 上涨 1.60%，冲击 8 连涨。最新价报 2.8 元。拉长时间看，截至 2026 年 4 月 14 日，科创芯片 ETF 博时近 1 周累计上涨 12.33%。
流动性方面，科创芯片 ETF 博时盘中换手 5.58%，成交 3001.50 万元。拉长时间看，截至 4 月 14 日，科创芯片 ETF 博时近 1 年日均成交 5836.32 万元。
消息面上，4 月 14 日，国内存储芯片头部厂商佰维存储、德明利、江波龙总市值均突破千亿元，行业景气度再次得到高度验证。公开数据显示，佰维存储 2026 年前两个月归母净利润达 15 亿元至 18 亿元，同比增幅最高接近 1100%。国际方面，4 月 14 日，博通与 Meta 扩大战略合作，将为 Meta 训练与推理加速器（MTIA）芯片提供超 1 吉瓦 AI 基础设施支持。隔夜美股期货全线上涨，存储芯片盘前普涨。
AI 存储需求强劲正重塑数据中心存储结构，带动 DRAM 与 NAND 价格大幅上扬。东方证券指出，AI 推理过程显著提升对活跃数据存储的需求，叠加存储原厂优先将位元产出分配至服务器相关产品，通用存储供给持续紧张；TrendForce 预计 2026 年 Q2 一般型 DRAM 合约价环比上涨 58–63%，NAND Flash 全产品线合约价季增 70–75%。与此同时，CSP 客户对涨价及长协接受度高，三星、美光等巨头正与谷歌、微软等签署多年期长期协议（LTA），以锁定未来产能，有望拉长存储厂商盈利周期。
科创芯片 ETF 博时紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。
数据显示，截至 2026 年 3 月 31 日，上证科创板芯片指数 (000685) 前十大权重股分别为中芯国际、海光信息、寒武纪、澜起科技、中微公司、芯原股份、佰维存储、拓荆科技、源杰科技、华虹公司，前十大权重股合计占比 60.99%。
科创芯片 ETF 博时 (588990)，场外联接 (博时上证科创板芯片 ETF 发起式联接 A：022725；博时上证科创板芯片 ETF 发起式联接 C：022726)。
（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况，结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险，不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。