存储芯片现货市场整体陷入僵局。供应商静待四月中旬合约价格官宣，买方因终端需求疲软持续压缩采购，多重因素叠加导致交投持续低迷，DRAM 与 NAND 现货价格双双承压。据集邦咨询（TrendForce）最新现货价格追踪报告，主流 DRAM 芯片 DDR4 1Gx8 3200MT/s 现货均价本周小幅下滑 0.48%，由上周（4 月 8 日）的 33.56 美元降至本周（4 月 14 日）的 33.40 美元。NAND 闪存方面，512Gb TLC 晶圆现货价格本周（4 月 13 日）跌幅扩大至 3.13%。两大细分市场的走势均指向同一症结：终端消费需求复苏动能不足，买卖双方均不愿率先打破僵局，市场成交量持续萎缩。<h2 style="text-align: left">DRAM：供应商惜售候价，买方拒绝高位建库</h2>DRAM 现货市场本周受季末效应与假期因素影响，交投气氛明显趋淡。供给端整体策略保守。多数现货卖方选择按兵不动，等待 DRAM 原厂于四月中旬发布的官方合约定价，以此作为调整报价的参考依据。仅有少数卖家因资金周转压力零星下调报价，但未能有效激活市场需求。需求端同样缺乏主动意愿。终端消费市场需求回暖力度不足，采购方严格管控成本，普遍不愿在当前价位高位囤货，导致整体需求端表现被动，成交量持续收缩。<h2 style="text-align: left">NAND：卖方迫于资金压力让价，价格继续下跌</h2>NAND 闪存现货市场本周延续上周格局，交易整体偏向谨慎。买方持续受制于高价位，多数持观望态度，入市意愿有限。卖方一方面期待合约价格上涨带动市场好转，另一方面部分卖家迫于资金压力，选择妥协降价以完成交割，但整体市场动能并未出现明显改观。512Gb TLC 晶圆现货价格本周跌幅达 3.13%，反映出在供需双方均缺乏明确方向指引的情况下，NAND 现货价格仍面临下行压力。<h2 style="text-align: left">短期展望：合约定价窗口临近，市场等待方向信号</h2>综合两大市场表现来看，四月中旬 DRAM 原厂合约定价的官方公告，将成为短期内影响现货市场走向的关键变量。若合约价格如卖方预期出现上调，或有助于提振市场信心，推动买卖双方重启谈判；反之，若定价低于预期，则可能进一步加剧现货端的抛售压力。在官方定价落地之前，买卖双方的观望情绪预计仍将主导市场，成交量难以出现实质性回升。

美光科技

三星电子

DRAM

闪迪

南方两倍做多海力士

南方两倍做多三星

存储芯片现货市场卖方等待四月中旬合约价格公布以调整报价；买方受制于终端需求疲软与成本管控，普遍不愿高位囤货；市场成交量持续萎缩。DRAM 方面，主流芯片 DDR4 1Gx8 3200MT/s 均价本周小幅下滑 0.48%；NAND 闪存方面，512Gb TLC 晶圆现货价格本周跌幅扩大至 3.13%。

- 存储芯片现货市场交投低迷，DRAM 与 NAND 价格双双承压。  
- 终端需求疲软使采购方减少采购，市场成交量萎缩。  
- 四月中旬合约价格官宣将影响市场走向，买卖双方观望情绪浓厚。

存储现货市场观望加剧：DRAM 卖家惜售，DDR4 小幅下跌，NAND 延续跌势