第一季度，SK 海力士营收达 52.6 万亿韩元，环比大增 60.2%，营业利润 37.6 万亿韩元，环比接近翻倍，整体业绩与最新市场一致预期基本吻合。
据追风交易台，伯恩斯坦（Bernstein）4 月 23 日报告指出，SK 海力士 2026 年第一季度业绩证明，存储芯片价格强势并非昙花一现。公司明确表示，供应短缺具有结构性特征，当前的有利定价环境将比以往周期持续更长时间。
值得关注的是，受铠侠股权重估收益拉动，净利润高达 40.3 万亿韩元，环比飙升 164.6%，显著超出预期。公司指引显示，第二季度 DRAM 和 NAND 出货量均将回升，存储市场景气度有望延续。
展望方面，SK 海力士判断 HBM（高带宽内存）需求在未来三年将远超自身供给能力，并计划 2026 年全年资本支出较上年大幅提升。
<h2 style="text-align: left">定价强势，公司判断短缺具结构性</h2>
SK 海力士第一季度 DRAM 均价环比上涨中 60% 区间，NAND 均价涨幅则达中 70% 区间。对比来看，美光同期 DRAM 均价涨幅同样处于中 60% 区间，NAND 涨幅则在高 70% 区间，两家公司定价走势高度一致。
SK 海力士明确表示，当前存储供应短缺属于结构性问题，客户普遍将确保供应置于压价之上。公司因此判断，强劲定价环境的持续时间将长于以往周期，现货价格的阶段性回落亦不代表本轮周期已见顶。
从利润率角度看，这一判断有据可依：第一季度 SK 海力士整体毛利率达 79.3%，DRAM 毛利率升至中 80% 区间，NAND 毛利率亦可能突破 60%，公司整体毛利率水平已明显超越 2017 至 2018 年的历史峰值。
<img class="wscnph" src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/2abe9a9f-5cbe-49bb-b586-6562458c1e43.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1310" height="750" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/2abe9a9f-5cbe-49bb-b586-6562458c1e43.png"/>
<h2 style="text-align: left">HBM 需求持续旺盛，未来三年供不应求</h2>
HBM 业务是本季度 DRAM 收入超预期的核心驱动。
SK 海力士表示，未来三年 HBM 需求将远超其自身供给能力，公司将在 HBM 与传统 DRAM 之间保持产能的平衡配置。
在产品路线图上，HBM4 将按客户时间表推进量产，但未披露具体时间节点；HBM4E 已于 2026 年下半年进入客户送样阶段，计划于 2027 年正式量产。
出货量方面，第一季度 DRAM 出货量环比持平，低于伯恩斯坦原本预测中有所增长的判断；NAND 出货量则环比下降约 10%。
公司指引第二季度 DRAM 出货量将实现高个位数百分比增长，NAND 出货量也将由跌转升，实现环比反弹。
<img class="wscnph" src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/76ec2301-3ab2-496b-a652-2dffecda0d14.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1304" height="1176" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/76ec2301-3ab2-496b-a652-2dffecda0d14.png"/>
<h2 style="text-align: left">资本支出大幅提升，产能扩张有序推进</h2>
SK 海力士指引 2026 年全年资本支出将较上年显著增加，但未披露具体金额。
据伯恩斯坦预测，全年资本支出约为 420 亿韩元（约合 420 万亿韩元量级），高于 2025 年的 275 亿韩元。公司表示，支出将重点投向基础设施建设与战略性设备采购。
在具体产能规划上，位于龙仁的第一晶圆厂（Y1）第一期洁净室预计于 2027 年 2 月建成，规划用于 DRAM 生产，整体项目共规划六期。
NAND 方面，SK 海力士正通过技术升级实现产能扩充，计划于 2026 年底前将 50% 的国内产能迁移至 321 层堆叠工艺。
尽管第一季度资本支出环比有所下降，主要受季节性因素影响，但仍明显高于 2025 年大部分季度的水平。
<img class="wscnph" src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/abe78e0c-aa83-46e0-b85e-be59167fd4dd.png?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="1310" height="750" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/abe78e0c-aa83-46e0-b85e-be59167fd4dd.png"/>

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SK 海力士一季度营收环比大增 60%，营业利润环比近乎翻倍。公司明确表示，供应短缺具有结构性特征，当前的有利定价环境将比以往周期持续更长时间；判断 HBM（高带宽内存）需求在未来三年将远超自身供给能力，并计划 2026 年资本支出大幅提升。

- SK 海力士第一季度营收达 52.6 万亿韩元，营业利润 37.6 万亿韩元，超预期。  
- 存储芯片涨价强劲，预计将持续，需求超供。  
- 资本支出预计达 420 亿韩元，重点投向基础设施与设备。

关于存储，SK 海力士 Q1 释放了什么信号？