<p>新闻：微电子</p>
<p>意法半导体将 700V PowerGaN 器件添加至 STPOWER 产品组合</p>
<p>来自瑞士日内瓦的意法半导体的新型氮化镓（GaN）功率半导体旨在提高高电压电源在支持电气化的高需求应用中的效率和功率密度。STPOWER 产品组合中的 700V PowerGaN 器件解决了如 AI 服务器功耗上升和超越传统硅技术限制的高性能功率转换需求等挑战。</p>
<p>新型 PowerGaN 器件的设计工作电压为 700V，支持可靠的高功率操作和更高频率的拓扑结构。PowerGaN 固有的优势，包括低导通损耗、高工作频率下极低的开关损耗和零反向恢复电荷，使得系统尺寸、重量和工作温度得以降低。这些特性对于用于机器人、工业电源和智能电网转换器的功率半导体在能源生成、分配和存储中至关重要。</p>
<p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" width="800" height="450" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg"/></p>
<p>“通过新 700V 器件扩展我们的 PowerGaN 产品组合，将氮化镓技术的优势延伸至中功率和高功率应用，” 意法半导体功率与分立子集团执行副总裁 Mario Aleo 表示。“我们将继续扩展产品组合，增加更多电压等级和特性，强化我们对未来 AI 服务器、人形机器人、工业电源和包括家电在内的先进消费电源应用的 GaN 承诺。”</p>
<p>现在加入 ST 的 700V PowerGaN 系列的七款新型 GaN 增强模式高电子迁移率晶体管（HEMTs）覆盖了从 6A 到 29A 的广泛连续电流等级，典型 RDS(on) 从 53mΩ到 270mΩ。每个器件还具有超低的内部电容和低栅极电荷，这些特性源于 GaN 宽带隙技术，其 Qg x RDS(on) 的优越性显著领先于传统硅器件。</p>
<p>符合意法半导体的可靠性标准，这些 700V 器件被认为扩展了选择范围，并确保领先的性能和效率。它们可以作为 MOSFET 的替代品直接应用于功率转换电路，或启用新的更高频率的拓扑结构。它们在高开关频率下的操作能力减少了磁性元件和被动元件的尺寸，从而实现更紧凑的功率阶段和更高的功率密度。</p>
<p>这些器件采用 DPAK、TO-LL 和 PowerFLAT 表面贴装封装，经过实践验证，并得到主要电子设计自动化库和工具链的广泛支持。TO-LL 和 PowerFLAT 器件提供了 Kelvin 源连接，将栅极控制电路与主电源路径分开，以最大限度地提高抗干扰能力，保护栅极驱动器，并保持时序裕度。新器件（典型 RDS(on)）包括：</p>
<p>• SGT350R70GTK（6A，270mΩ），采用 6.10mm x 6.60mm 的 3 引脚 DPAK 封装，带可焊接的引脚；</p>
<p>• SGT070R70HTO（26A，53mΩ），采用无引脚 TO-LL 封装，具有热效率高的漏极和源极连接；</p>
<p>• SGT080R70ILB（29A，60mΩ），SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），SGT140R70ILB（17A，106mΩ），SGT190R70ILB（11.5A，138mΩ），SGT240R70ILB（10A，165mΩ），采用带可焊接源极垫的 PowerFLAT 8x8 封装，以增强热性能。</p>
<p>新的 700V PowerGaN 晶体管现已投入生产，并可通过 eSTore 或分销商购买，价格从每千件 0.63 美元到 2.25 美元不等。</p>
<p>意法半导体</p>
<p>www.ims-ieee.org</p>
<p>www.st.com/en</p>

意法半导体

标普半导体 ETF - SPDR

动态半导体 ETF - Invesco

纳斯达克半导体 ETF - First Trust

STHH

半导体 3 倍做多 - Direxion

半导体 ETF - VanEck Vectors

费城交易所 半导体 ETF - iShares

<p>意法半导体扩展了其 STPOWER 产品组合，新增了 700V PowerGaN 器件，旨在提高高压应用中的效率和功率密度。这些基于氮化镓的半导体解决了 AI 服务器功耗方面的挑战，并支持更高性能的电源转换。新设备提供多种电流等级，具有低导通损耗和减小系统尺寸等优势，适用于机器人、工业电源和智能电网应用。目前这些器件已进入生产，批量订单价格在 0.63 美元至 2.25 美元之间</p>

<p>News: Microelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>新闻：微电子</p>
</div><p>ST adds 700V PowerGaN devices to STPOWER portfolio</p>
<div class="lb-trans"><p>意法半导体将 700V PowerGaN 器件添加至 STPOWER 产品组合</p>
</div><p>New gallium nitride (GaN)-based power semiconductors from STMicroelectronics of Geneva, Switzerland are designed to improve efficiency and increase power density in high-voltage power supplies for high-demand applications that support electrification. The 700V PowerGaN devices in the STPOWER portfolio address challenges such as rising AI server power consumption and the need for higher-performance power conversion beyond the limits of conventional silicon technologies.</p>
<div class="lb-trans"><p>来自瑞士日内瓦的意法半导体的新型氮化镓（GaN）功率半导体旨在提高高电压电源在支持电气化的高需求应用中的效率和功率密度。STPOWER 产品组合中的 700V PowerGaN 器件解决了如 AI 服务器功耗上升和超越传统硅技术限制的高性能功率转换需求等挑战。</p>
</div><p>Engineered for a 700V operating rating, the new PowerGaN devices support reliable high-power operation and higher-frequency topologies. PowerGaN’s inherent advantages, including low conduction losses, very low switching loss at high operating frequencies, and zero reverse-recovery charge, enable reduced system size, weight, and operating temperature. These attributes are important for power semiconductors used in robotics, industrial power supplies, and smart-grid converters for energy generation, distribution and storage.</p>
<div class="lb-trans"><p>新型 PowerGaN 器件的设计工作电压为 700V，支持可靠的高功率操作和更高频率的拓扑结构。PowerGaN 固有的优势，包括低导通损耗、高工作频率下极低的开关损耗和零反向恢复电荷，使得系统尺寸、重量和工作温度得以降低。这些特性对于用于机器人、工业电源和智能电网转换器的功率半导体在能源生成、分配和存储中至关重要。</p>
</div><p><img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg" alt="" original-src="https://semiconductor-today.com/news_items/2026/may/N4776I-May-26-2026-PowerGaN_PR-IMAGE-LO-RES.jpg"/></p>
<p>“Broadening our PowerGaN portfolio with new 700V devices extends the benefits of gallium nitride technology into medium-power and high-power applications,” says Mario Aleo, executive VP, Power &amp; Discrete Sub-Group, at ST. “We will continue to expand the portfolio with additional voltage ratings and features, reinforcing our commitment to GaN for tomorrow’s AI servers, humanoid robotics, industrial power, and advanced consumer power applications including home appliances.”</p>
<div class="lb-trans"><p>“通过新 700V 器件扩展我们的 PowerGaN 产品组合，将氮化镓技术的优势延伸至中功率和高功率应用，” 意法半导体功率与分立子集团执行副总裁 Mario Aleo 表示。“我们将继续扩展产品组合，增加更多电压等级和特性，强化我们对未来 AI 服务器、人形机器人、工业电源和包括家电在内的先进消费电源应用的 GaN 承诺。”</p>
</div><p>The seven new GaN enhancement-mode high-electron-mobiliity transistors (HEMTs) now joining ST’s 700V PowerGaN series cover a wide range of continuous current ratings, from 6A to 29A, and typical RDS(on) from 53mΩ to 270mΩ. Also featuring ultra-low internal capacitances and low gate charge, inherent in GaN wide-bandgap technology, each has a Qg x RDS(on) figure of merit (FoM) significantly ahead of traditional silicon devices, it is reckoned.</p>
<div class="lb-trans"><p>现在加入 ST 的 700V PowerGaN 系列的七款新型 GaN 增强模式高电子迁移率晶体管（HEMTs）覆盖了从 6A 到 29A 的广泛连续电流等级，典型 RDS(on) 从 53mΩ到 270mΩ。每个器件还具有超低的内部电容和低栅极电荷，这些特性源于 GaN 宽带隙技术，其 Qg x RDS(on) 的优越性显著领先于传统硅器件。</p>
</div><p>Qualified to ST’s reliability standards, the 700V devices are said to broaden choices and ensure leading-edge performance and efficiency. They can drop into power conversion circuits as a replacement for MOSFETs, or enable new, higher-frequency topologies. Their capability to operate at elevated switching frequencies reduces the size of magnetics and passives, enabling a more compact power stage and higher power density.</p>
<div class="lb-trans"><p>符合意法半导体的可靠性标准，这些 700V 器件被认为扩展了选择范围，并确保领先的性能和效率。它们可以作为 MOSFET 的替代品直接应用于功率转换电路，或启用新的更高频率的拓扑结构。它们在高开关频率下的操作能力减少了磁性元件和被动元件的尺寸，从而实现更紧凑的功率阶段和更高的功率密度。</p>
</div><p>The devices are housed in DPAK, TO-LL and PowerFLAT surface-mount packages that are proven in practice and widely supported by major electronic design automation libraries and toolchains. The TO-LL and PowerFLAT devices provide a Kelvin source connection that separates the gate-control circuit from the main power path to maximize noise immunity, protect the gate driver, and preserve timing margin. The new devices (with typical RDS(on)) are:</p>
<div class="lb-trans"><p>这些器件采用 DPAK、TO-LL 和 PowerFLAT 表面贴装封装，经过实践验证，并得到主要电子设计自动化库和工具链的广泛支持。TO-LL 和 PowerFLAT 器件提供了 Kelvin 源连接，将栅极控制电路与主电源路径分开，以最大限度地提高抗干扰能力，保护栅极驱动器，并保持时序裕度。新器件（典型 RDS(on)）包括：</p>
</div><p>• SGT350R70GTK (6A, 270mΩ) in 6.10mm x 6.60mm 3-pin DPAK with solderable tab;</p>
<div class="lb-trans"><p>• SGT350R70GTK（6A，270mΩ），采用 6.10mm x 6.60mm 的 3 引脚 DPAK 封装，带可焊接的引脚；</p>
</div><p>• SGT070R70HTO (26A, 53mΩ) in leadless TO-LL with thermally efficient drain and source connections;</p>
<div class="lb-trans"><p>• SGT070R70HTO（26A，53mΩ），采用无引脚 TO-LL 封装，具有热效率高的漏极和源极连接；</p>
</div><p>• SGT080R70ILB (29A, 60mΩ), SGT105R70ILB (21.7A, 80mΩ), SGT140R70ILB (17A, 106mΩ), SGT190R70ILB (11.5A, 138mΩ), SGT240R70ILB (10A, 165mΩ) in PowerFLAT 8x8 with solderable source pad for enhanced thermal performance.</p>
<div class="lb-trans"><p>• SGT080R70ILB（29A，60mΩ），SGT105R70ILB（21.7A，80mΩ），SGT140R70ILB（17A，106mΩ），SGT190R70ILB（11.5A，138mΩ），SGT240R70ILB（10A，165mΩ），采用带可焊接源极垫的 PowerFLAT 8x8 封装，以增强热性能。</p>
</div><p>The new 700V PowerGaN transistors are in production now and available from the eSTore or through distributors, from $0.63 to $2.25 for orders of 1000 pieces.</p>
<div class="lb-trans"><p>新的 700V PowerGaN 晶体管现已投入生产，并可通过 eSTore 或分销商购买，价格从每千件 0.63 美元到 2.25 美元不等。</p>
</div><p>STMicroelectronics</p>
<div class="lb-trans"><p>意法半导体</p>
</div><p>www.ims-ieee.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.ims-ieee.org</p>
</div><p>www.st.com/en</p>
<div class="lb-trans"><p>www.st.com/en</p>
</div>

ST adds 700V PowerGaN devices to STPOWER portfolio

SemiConductor

STMicroelectronics NV ADRhedged

ST 将 700V PowerGaN 器件纳入其 STPOWER 产品组合