
公司成立于 2006 年。公司自产 IGBT、FRD、SiC、GaN 芯片技术已达国际先进、国内领先水平,打破国外垄断,填补了多项国内空白。公司是国内功率半导体器件行业领军企业之一,2021 年,成功登陆科创板。公司始终专注于以 IGBT、FRD、SiC、GaN 为核心的功率半导体芯片、单管及模块的设计、研发、生产与销售。公司的主要产品包括 1000V/1200V M7iU 系列 IGBT 和 M7d FRD 芯片、750V M7i+EDT3 芯片、1200V300A M7i 大电流芯片、1200V40mohm SiC MOSFET 芯片、SiC SBD 芯片、GaN650V75mohm 芯片、NCB SiC 模块、光伏用 1000V 三电平定制模块、储能用 650V 三电平产品、M7i 芯片平台完成系列化功率模块产品、280-820A/750V 灌封模、400-800A/750V 双面/单面散热塑封模块、EDT3 芯片平台车规模块、车规级 1200VSiC 自研模块、1700V 系列化产品等。企业荣誉:公司曾荣获 “新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019 中国电动汽车用 IGBT 最具发展潜力企业称号” 和 “中国电气节能 30 年杰出贡献企业”、荣获 “新型电力半导体器件领军企业”、“苏南国家自主创新示范区瞪羚企业”、“PSIC2019 中国电动汽车用 IGBT 最具发展潜力企业称号” 和 “中国电气节能 30 年杰出贡献企业”、“国家级专精特新小巨人企业”、“国家绿色供应链企业”、“博士后科研工作站”、“江苏省智能车间” 等荣誉称号。