韩国半导体股票经历了多年来最严重的抛售，投资者重新评估中国快速发展的内存芯片行业所带来的竞争威胁，此次抛售引发了以内存为重点的 ETF 的震荡，尤其是在 长鑫存储科技（CXMT） 在中国市场的首次亮相后。

基准 KOSPI 指数暴跌 10.8%，创下近五个月以来的最大单日跌幅。内存芯片领军企业 SK 海力士 Inc (NASDAQ: SKHY)、美光科技公司 (NASDAQ: MU) 和 闪迪公司 (NASDAQ: SNDK) 周一分别下跌了 7.5%、2.2% 和 11%。此次抛售是由于投资者对 CXMT 在上海成功上市可能加速中国在 DRAM 制造领域的扩张以及加剧对韩国主导内存生产商的竞争感到担忧。

市场情绪进一步受到影响，报道称一家中国国有企业已开始生产浸没式深紫外（DUV）光刻设备，提升了人们对中国正在稳步缩小与全球半导体领导者之间技术差距的预期。

“市场的担忧不在于 CXMT 当前的收益，而在于其加速扩张产能的潜力，”未来资产证券 的分析师 金石焕 告诉路透社，并补充说，投资者越来越关注这家中国公司的长期竞争威胁，而不是其当前的财务表现。

内存 ETF 面临波动性考验

周二的抛售使得市场重新关注集中于内存半导体行业的 ETF。

Roundhill Memory ETF (BATS: DRAM) 是今年表现最好的主题 ETF 之一，受益于对 AI 基础设施和高带宽内存（HBM）芯片的需求激增。SK 海力士作为 Nvidia Corp (NASDAQ: NVDA) AI 加速器中使用的 HBM 的主要供应商，一直是该基金最大的持仓之一，并对其今年的强劲收益做出了重要贡献。

然而，韩国内存巨头的急剧下滑突显了集中投资的风险。任何对内存价格或市场份额的持续压力都可能对重仓该行业的基金造成影响，特别是在投资者重新评估长期收益预期的背景下，随着中国竞争的加剧。

周一 DRAM 下跌了 1.5%，周二盘前下跌超过 8%。

杠杆 ETF 放大波动

对内存行业的杠杆产品影响更为明显。

Roundhill T-REX 2X Long DRAM Daily Target ETF (BATS: RAM) 旨在提供 DRAM 每日表现的 200%，放大收益和损失。周二抛售后，RAM 的日波动幅度显著大于其基础基金，显示出在高波动时期与杠杆投资相关的风险加大。周一 RAM 下跌近 4%，周二盘前暴跌近 18%。

相反，Roundhill T-REX 2X Short DRAM Daily Target ETF (RAMZ)，有趣的是，它在周二推出，旨在从基础内存行业的下跌中获益。

更广泛的杠杆半导体基金，包括 Direxion Daily Semiconductor Bull 3X Shares (NYSE: SOXL) 和 Direxion Daily Semiconductor Bear 3X Shares (NYSE: SOXS)，也预计将受到关注，因为投资者在本周晚些时候 SK 海力士和三星的财报发布前进行布局。周一，SOXL 暴跌超过 6%，周二盘前下跌超过 13%。

监管审查加剧

市场动荡也加剧了对韩国杠杆 ETF 产品的审查。

该国最高金融监管机构表示，如果波动性持续，可能会考虑对单只股票杠杆 ETF 的投资设限。这些产品仅在 5 月推出，吸引了强劲的零售参与，并越来越被视为放大重量级股票的剧烈波动。

周二，外国投资者净卖出 5 万亿韩元（34 亿美元） 的韩国股票，而零售投资者购买了 4 万亿韩元，突显出市场的剧烈波动。

随着 SK 海力士和三星将在本周晚些时候公布季度财报，ETF 投资者将密切关注有关 AI 内存需求、价格趋势和管理层对中国竞争的展望的更新。这些结果可能决定此次抛售是短期修正还是内存芯片 ETF 普遍重新定价的开始。

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