Roundhill T-Rex 2X Long DRAM Dly TrgtETF

另一个主要因素是需求的强劲结构性增长，这一点显然得到了满足。

最直接的原因是英伟达需要不断升级其 “代币工厂” 硬件，以提供更高的代币吞吐量。这推动了 HBM 带宽和 HBM 容量（大小）的极快代际升级，导致需求呈指数级增长。

正如早先的 AI 半导体分析所总结的，代币吞吐量等于 HBM 大小乘以 HBM 带宽，而这一数值大约每代翻一番。平均而言，每个 GPU 的 HBM 大小每年增长超过 40%。

这条需求曲线增长如此陡峭，以至于供应方很难跟上。即使晶圆产量增长 14%，内存密度提高 9%，整体$Roundhill T-Rex 2X Long DRAM Dly TrgtETF(RAM.US)DRAM 供应增长也根本无法匹配 AI 驱动的 HBM 需求步伐。

在硬件架构中，注意力阶段的 KV 缓存既需要极高的带宽，也需要非常大的内存容量。这赋予了 HBM 独特且不可替代的地位。即使 HBM 价格上涨三到五倍，通过投资更多 HBM 获得的额外代币吞吐量，其成本效益仍然远高于将资金花在任何其他地方。

其他内存技术，如 SRAM、HBF、CXL 和 PIM，目前在关键的 KV 缓存和注意力工作负载方面无法与 HBM 直接竞争。至少在接下来的五年内，甚至可能更长时间，都没有可行的替代方案。

@Bridge Buzz SG

万物皆有周期，而$Roundhill T-Rex 2X Long DRAM Dly TrgtETF(RAM.US)存储芯片行业尤其具有周期性。主要驱动因素是产能扩张的交付周期极长。当需求突然下降时，你根本无法足够快地提高产量以避免供需错配。

有一些方法可以显著减少甚至很大程度上规避传统的繁荣 - 萧条周期。

1. 定制化：产品不可互换。产能无法轻易转给其他客户，因此买家必须签订长期合同。

2. 结构性指数级需求增长：需求本身增长非常迅猛，并持续超过供应。

3. 快速代际升级：每一代新产品都迅速使前一代产品过时。

即使满足其中一条，也能减轻传统周期的一些痛苦。满足两条或三条则可以消除大部分痛苦。

@Bridge Buzz SG