$Roundhill Memory ETF(DRAM.US)以及整个内存行业在 2026 年初因 AI 驱动进入了一个强劲的超级周期。第一季度价格大幅飙升，预计第二季度将迎来另一波大幅上涨，之后涨幅可能放缓。供应紧张和高企的价格预计将持续到 2026 年，并可能延续到 2027 年及以后，期间新产能的缓解将是渐进的。

超大规模云服务商和 AI 数据中心对每个系统的内存需求远高于以往。这包括用于 GPU 的 HBM（高带宽内存）和高密度传统 DRAM（例如 DDR5 RDIMM）。AI 工作负载正在吸收不成比例的产能。

三星、SK 海力士和美光正在将生产转向利润率更高的 HBM 和先进/服务器 DRAM，从而减少了可用于标准 PC、移动设备（LPDDR）和消费级 DRAM 的供应。生产 HBM 会挤占大量传统 DRAM 的产出。

晶圆厂扩建需要 12-18 个月以上才能达产；通过工艺优化带来的晶圆投入增长是渐进式的，而非主要依靠新建生产线。库存水平较低。

内存制造商（三星、SK 海力士、美光）是明显的赢家。PC/智能手机 OEM 厂商、模组制造商以及工业/嵌入式用户面临分配问题和更高的成本。规模较小或专注于中国市场的厂商正试图填补成熟制程节点的缺口。

@Bridge Buzz SG