$Roundhill Memory ETF(DRAM.US)的价格主要受 AI 需求推动而大幅上涨，第一季度合约价格几乎翻倍，预计第二季度还将进一步显著上涨。近期零售/现货市场的月度涨幅有所放缓，但整体价格水平仍处于高位，预计供应紧张将持续到 2026 年底。

核心原因是 AI 超级周期：

对 HBM（高带宽内存，一种高端 DRAM）以及用于 AI 服务器和数据中心的高容量/高密度传统 DDR5 的爆炸性需求。

主要生产商（三星、SK 海力士、美光）正在重新分配晶圆产能，并优先生产高利润的服务器/AI 产品（包括 HBM 和高容量 RDIMM），而非用于 PC、智能手机和工业应用的标准 DRAM。

预计到 2026 年，HBM 将占 DRAM 晶圆总产量的约 25%，需求同比增长约 70%。这实际上挤占了日常 DRAM 的供应。

供应商库存低、分配控制以及长交货期（通常 30-40 周以上）加剧了短缺。

超大规模企业（云/AI 巨头）通过多年协议锁定供应并接受更高价格，这波压力传导到了其他买家。

@Bridge Buzz SG