$Roundhill Memory ETF(DRAM.US) 已成为 2026 年波动最剧烈、最引人注目的主题 ETF 之一，它追踪全球内存/半导体公司，重仓 DRAM/HBM 厂商，如美光、三星和 SK 海力士。其价格走势与 AI 驱动的内存市场繁荣以及芯片定价/盈利的任何变化密切相关。

自成立以来大幅上涨，峰值时几乎翻了三倍，但也经历了剧烈的回调。例如，在 6 月 5 日，由于美光等内存股业绩指引引发担忧，该 ETF 单日下跌约 15%，但随后强劲反弹（例如，6 月 25 日上涨 9.95%）。

六月初的抛售（跌幅超过 15%）是由业绩指引不及预期和内存股疲软引发的，抹去了短期涨幅。更广泛的芯片板块情绪，如美光财报，继续推动其价格波动。近期的反弹反映了市场对 AI 的持续乐观情绪。

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