$英特尔(INTC.US)intel 宣称下一代存储技术，代替 HBM。创新点是用铜材料在芯片外围 Z 角封装堆叠，使用 intel 的 EMIB 封装技术。铜的散热性更好，相对 HBM 打孔凸出电阻更小，所以理论上可以比现在 HBM 堆的更多，功耗更小。