ZAM 在性能指标上展现出对标甚至超越 HBM 的潜力。初步讨论数据显示，得益于 Z-Angle 互连技术，新内存的功耗相比现有方案降低了 40% 至 50%。更引人注目的是，其单芯片存储容量最高可达 512GB，这一数据远超当前主流内存产品的规格。