$美光科技(MU.US)$闪迪(SNDK.US)$西部数据(WDC.US)

在 2026 年 2 月 11 日的 Wolfe Research 汽车、汽车科技与半导体会议上，美光高管的演讲彻底打消了市场对 HBM 竞争与行业周期的疑虑。以下是本次演讲的核心要点：

一、HBM：需求全满，超级周期拉长至 2028 年

1. 订单与产能：全线饱和，无库存压力

美光明确表示，2026 年 HBM 产能已被客户订单全数锁定，当前处于「有多少产能就能卖多少」的状态，供不应求格局至少延续至 2028 年。这直接回应了市场对三星 HBM4 量产挤压份额的担忧，美光作为核心供应商，份额与定价权并未受到实质威胁。

2. 技术与产品：HBM4 进展顺利，客户验证积极

针对下一代 HBM4 技术，美光透露研发进度符合预期，已与英伟达等头部 AI 客户开展联合验证，量产节点与竞品差距极小。同时，当前主力 HBM3E 产品在性能、功耗上仍具领先优势，完全支撑英伟达 H200、B200 等主力 GPU 的需求。

3. 市场空间：TAM 三年翻三倍，AI 驱动爆发

美光上调 HBM 市场规模预期，预计 2028 年 HBM 总体可触及市场（TAM）将达到 1000 亿美元，较 2025 年的 350 亿美元实现三年翻三倍。这一增长主要由 AI 数据中心、边缘计算等场景驱动，存储作为 AI 算力的「瓶颈环节」，需求增速将持续跑在行业平均水平之上。

二、存储行业：价格持续上涨，供需紧缺结构化

1. DRAM/NAND 价格：环比大幅提升，短缺覆盖全终端

美光指出，当前 DRAM 和 NAND 闪存价格已进入持续上涨通道，不仅 AI 服务器端需求旺盛，消费电子、汽车电子等传统终端的存储短缺也在加剧。

2. 供应约束：产能扩张缓慢，短缺至少持续至 2028 年

与德银此前观点一致，美光强调新的 DRAM 晶圆厂至少需要两年时间才能投产，现有工厂扩张能力有限，无法快速缓解需求压力。供应紧缺不再是短期周期性现象，而是由 AI 需求爆发带来的「结构性短缺」，行业盈利周期将被显著拉长。

三、盈利与资本开支：2026 年 EPS 预期上调，全力押注 AI 存储

1. 盈利展望：EPS 有望突破 50 美元，估值处于低位

结合大摩同日将美光目标价上调至 450 美元的预测，美光 2026 财年每股收益（EPS）有望达到 52.53 美元。当前股价对应的 2026 年市盈率仅约 11 倍，处于行业周期低位。

2. 资本开支：200 亿美元全力扩产，聚焦 AI 核心产品

美光确认 2026 财年资本开支（capex）为 200 亿美元，全部用于扩张 HBM 和 1-gamma DRAM 等 AI 相关产能。爱达荷、纽约的新晶圆厂建设进度符合甚至提前计划，为长期供应能力提供支撑，同时避免了盲目扩产导致的周期性风险。

总结：守得云开见月明，AI 存储周期刚刚开始