由于持续短缺，摩根士丹利对 2026 年的内存前景极其乐观。

2026 年的供应增长对缓解严重的供应短缺作用甚微：三星和 SK 海力士 2026 年第一季度的 DRAM 位出货量均持平或仅略有增长（个位数低位）。三星的 NAND 闪存出货量在此前较低基数的基础上增长了 5%，而海力士则出现负增长。

我们预计今年价格还会进一步上涨。三星并未发布价格指引，但我们认为这可能意味着 2026 年第二季度 DRAM/NAND 闪存的平均售价将环比增长近 50%。即使假设部分价格上涨最终并未转化为公司实际售价，50% 的涨幅也应该算是一个较低的预期。

生产商的资产负债表上库存极低：那些无法获得所需供应的客户无力建立库存，而对于最重要的客户来说也是如此，他们为了提前 30 天获得供应，甚至支付高于现行合同价格的费用，从而获得了所有新增供应。

我们预计，到 2026 年底，DRAM 晶圆开工量同比增长仅为 7%，这主要得益于三星和海力士晶圆厂的产能增长，而上海 CXMT、海力士 M15X 和三星 P4L 等工厂短期内无法弥补这一缺口。美光位于博伊西和与 Powerchip 合作的晶圆厂的产能提升要到 2027 年才能实现。

未来 12 个月内，人工智能的年化收入总额预计将达到 2000 亿美元，但供应却无法跟上这一增长速度：这主要来自：

英伟达预计从现在到 2026 年底，每个季度的收入将增加 300 亿美元；

AMD 的数据中心业务预计将翻一番，达到每季度 100 亿美元。

博通公司的半导体业务预计将翻一番，达到每季度约 250 亿美元；

Marvell 和 Intel 合并后，新增收入达 10 亿美元。

中国内存风险极低：CXMT 和 YMTC 的扩张都受到以​​下因素的限制：

供应短缺——中国存储器厂商的库存也像其他国家一样严重短缺，而且技术水平远落后于主流，尤其是在 DRAM 方面（主要供应 4.8GHz DRAM，而主流为 5.6GHz）；

中国持续面临限制因素使其无法购买美国资本设备，这对市场份额（按收入计）仅为个位数的公司来说是一个重大挑战。