
$闪迪(SNDK.US)三星据悉与英伟达合作加速研发下一代 NAND 闪存
金十数据 3 月 13 日讯,据报道,三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代 NAND 闪存芯片。由三星半导体研究所、英伟达及佐治亚理工学院组成的联合研究团队,成功开发出一种 “物理信息神经算子” 模型。该模型分析铁电基 NAND 设备性能的速度,比现有模型快逾万倍,相关成果已对外公布。基于相关研究成果,三星正与英伟达合作开发和商业化铁电 NAND 闪存。
(来自金十数据 App)
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