1970 年英特尔全球第一款量产 DRAM 动态内存，1988 年英特尔实现 NOR Flash 商用量产（NAND 闪存 1987 年东芝发明）。

1992 年：三星量产 64Mb DRAM，正式跻身全球高端 DRAM 第一梯队，完成对日系存储弯道超车。

1999 年：海力士收购 LG 半导体，补齐高端 DRAM 工艺，跨入全球 TOP3；2013 年全球首发 HBM1 量产（行业最早 HBM 商用）；

2016 年长江存储（3D NAND 闪存）、2016 年长鑫存储（DRAM 内存）成立，用遗留的奇梦达技术全力发展，10 年时间，这是又准备弯道超车了吗？🤣🤣🤣