闪迪：弯道超车？深度解析高带宽闪存 HBF 机会

HBM 之后的关键一跃

8 月 4 日，SK 海力士 + 闪迪（Sandisk）联合发布了 高带宽闪存（HBF）的首个公开技术规范。联盟成员还包括 $谷歌-A(GOOGL.US) 和 Tenstorrent。针对 HBM 新的替代方案正式提出，存储板块的价值分配正在被重写

一句话概括这个技术："给 NAND 穿上 HBM 的衣服"——用 HBM 的 3D 堆叠和近端封装思路重做 NAND，插在 GPU 旁边当"近端内存"。

它解决的痛点是？

AI 的瓶颈遇到"内存墙"。推理阶段 KV Cache 随上下文长度线性膨胀，但 HBM 容量太小（HBM4 单栈才 36–48GB），权重和缓存被迫在远端 SSD/主机内存反复搬运，GPU 大量时间在等。

HBF 的卖点：接近 HBM 的读带宽 + 8–16 倍容量 + 成本相当。它不完全替代 HBM，而是补一个中间层。

几个硬指标：

• 首版标准：最高 512GB，带宽 0.4–3.0 TB/s，用 UCIe 互联
• 关键取舍：读延迟约 10μs（HBM 是纳秒级）、写寿命约 10 万次 → 只适合"写一次读多次"（正好匹配模型权重/预算好的 KV Cache）
• SK 海力士 H³ 混合架构模拟：超长上下文下 batch size 最高 提升 18.8 倍、吞吐/功耗比 提升 2.69 倍，原本 32 块 GPU 的活可能 2 块搞定

HBF 路线展望

短期（2026–27）影响可忽略（还在样品阶段，HBM 刚需不变）；估值主要靠叙事驱动，中期（2028–30）可能出现分流；长期（2030 后）可能改写 HBM 增长曲线——"HBM 之父"金正浩预测 约 2038 年 HBF 需求规模可能超过 HBM。

风险点在：软件栈适配、生态采用速度、共封装散热，工艺良率、寿命长期验证

闪迪 2026 Q4 财报解读