消息顯示，韓國半導體制造商 SK 海力士（SK hynix Inc.）將擴大其高帶寬內存（High Bandwidth Memory）生產設施投資，以應對高性能 AI 產品需求的增加。該公司計劃，對通過硅通孔（TSV）相關的設施投資將比 2023 年增加一倍以上，力圖將產能翻倍，並計劃在 2024 年上半年開始生產其第五代高帶寬內存產品 HBM3E。
SK 海力士財報顯示，該公司第四財季實現了 1131 萬億韓元（約 84.6 億美元）的營收和 3460 億韓元（約 2.59 億美元）的運營利潤，這標誌着該公司連續五個季度營業虧損後再度轉為盈利。
SK 海力士扭虧為盈主要歸因於 HBM3（High Bandwidth Memory 3）和 DDR5（Double Data Rate 5）的強勁銷售。與上一年相比，SK 海力士在 2023 年的 DDR5 和 HBM3 銷售額分別增加了四倍和五倍以上。為了繼續這一上升趨勢，SK 海力士計劃開始大規模生產人工智能芯片 HBM3E，並加快第六代 HBM4 的開發。
“我們預計 HBM3E 產品在 2024 年將會有巨大的需求，計劃在年初開始大規模生產。我們打算根據這一需求將 TSV 產能翻倍，” 公司在一次電話會議中表示。關於是否追加投資，公司還表達了更謹慎的立場，“要等經過對長期需求、市場條件和供應鏈狀況的慎重考慮後再做決定。”
SK 海力士計劃準備生產 MCRDIMM 和 LPCAMM2，前者是一種將多個 DRAM 集成到一個基板上的高容量服務器模塊，後者是一種基於低功耗 (LP) DDR5X 的高性能移動模塊，二者旨在滿足 AI 服務器需求和設備端 AI 市場。
在專注於生產高附加值產品的同時，SK 海力士計劃將資本支出的增長最小化，強調穩定的業務運營。“與上一年相比，我們將投資削減了一半以上，以應對需求疲軟的情況。我們在 2024 年的策略是保持謹慎的態度，專注於確保增長和盈利的領域，同時避免增加投資導致進入供應過剩的週期。” 首席財務官金宇賢表示。
SK 海力士解釋説，自從 2023 年第三季度以，該公司來一直保持謹慎的生產策略，包括減產，導致銷售超過了生產，隨後改善了庫存水平。“我們將繼續保持謹慎的生產策略，直到 2024 年實現庫存正常化，同時預計 DRAM 的產量將在上半年保持穩定，NAND 閃存的產量將在下半年保持穩定，” 該公司表示。
分析師預計，該芯片製造商 2024 年的的運營利潤將 10 萬億韓元（約合 88.5 億美元）。還有分析師預計該公司 2024 年運營利潤將達到 10.6 萬億韓元（約合 94.2 億美元），分析師認為，主要因為人工智能芯片需求預計將增加。
自 2023 年年初以來，SK 海力士股價因其 AI 能力上漲近 50%。

SK 海力士將擴大 HBE 生產設施投資，對通過硅通孔（TSV）相關的設施投資將比 2023 年增加一倍以上，力圖將產能翻倍，並計劃在 2024 年上半年開始生產其第五代高帶寬內存產品 HBM3E，以應對高性能 AI 產品需求的增加。

加註 AI SK 海力士計劃將 HBM 產能增加一倍以上