“三足鼎立” 的格局會演變為 “一家獨大” 嗎？據媒體 2 月 7 日報道，SK 海力士制定了 “一個團隊戰略”，其中包括與台積電合作開發第六代 HBM 芯片（HBM4）。據悉，台積電將負責部分 HBM4 的工藝製造——極有可能是封裝工藝，以提升產品兼容性。HBM（High Bandwidth Memory，高寬帶內存）的優勢是可以將專用數據處理器直接集成在 DRAM 中，將部分數據計算工作從主機處理器轉移到存儲器當中，從而滿足 AI 芯片訓練的高寬帶要求，因而 HBM 也被認為是加速下一代 AI 技術發展的領先存儲技術。相較於前三代 HBM，HBM4 擬更新為更寬的 2048 位內存接口，以解決此前 1024 位內存接口 “寬但慢” 的問題，這就需要台積電的先進封裝技術來驗證 HBM4 的佈局和速度。有業內人士向媒體表示：<blockquote>“封裝的重要性在下一代人工智能半導體中正在擴大。”“這兩家被認為是市場巨頭的公司之間的合作產生了很大的影響。”</blockquote>目前，HBM 市場呈現 “三足鼎立” 的局面：SK 海力士、三星、美光是全球僅有的三家 HBM 供應商。行業數據顯示，2022 年 HBM 市場，SK 海力士佔據 50% 的市場份額，三星佔比 40%，美光佔比 10%。2023 年下半年開始，SK 海力士、三星和美光這三家 HBM 供應商基本同步開啓了 HBM3E 的測試，預計從 2024 年第一季度能實現批量供應。華爾街見聞此前提及，SK 海力士擬擴大其 HBM 的生產設施投資，以應對高性能 AI 產品需求的增加。公司計劃，對通過硅通孔（TSV）相關的設施投資將比 2023 年增加一倍以上，力圖將產能翻倍，並計劃在 2024 年上半年開始生產其第五代高帶寬內存產品 HBM3E。今年發佈最新財報時，SK 海力士表示，公司在籌備支持 HBM3E 方面穩步地取得進展，將推進大規模生產 HBM3E，正處於開發下一代 HBM4 產品的正軌之上。有觀點認為，此次 “AI 聯盟” 是針對三星電子建立的統一戰線。此前有分析預測，三星於 2023 年底獲英偉達驗證通過後，將從 2024 年第一季開始擴大對英偉達的 HBM3 供應——在此之前，英偉達的 HBM 由 SK 海力士獨家供應，但如今三星、美光都將加入。另外，OpenAI 首席執行官 Sam Altman 近日訪問了三星電子並討論 AI 半導體的開發和生產，或進一步彰顯三星電子的優勢正在凸顯。有半導體行業相關人士向媒體表示：<blockquote>“台積電和 SK 海力士聯手，是因為決心鞏固在 AI 半導體市場對三星電子的勝利”“三星電子的司法風險已經部分化解，但仍存在不確定性……面臨巨大挑戰。”</blockquote>

台積電

該聯盟將圍繞包括開發 HBM4 進行合作，台積電可能會參與 HBM4 的部分製造過程。

SK 海力士與台積電建立 AI 芯片聯盟 合作開發 HBM4

SK 海力士與台積電建立 AI 芯片聯盟合作開發 HBM4