<div id="readability-page-1">作者：周源/華爾街見聞英特爾最近更新了晶圓代工藍圖：2026-2027 年，英特爾 1.4/1nm 將先後分別投產。這是英特爾首次官宣 1nm 晶圓代工時間表。2021 年，英特爾首席執行官帕特·基辛格（Pat Gelsinger）向英特爾的客户和投資人披露了他制定的雄心勃勃的計劃，就是在 4 年內完成 5 個工藝節點（7/4/3/20A/18A）的製造，最終目標是重新奪回代工領域的領導地位。這項計劃就是到 2030 年，英特爾外部代工規模將僅次於台積電，超越 Global Foundries、UMC 和三星，成為全球第二大代工廠。<h2>押注 18A：2030 計劃的核心</h2>英特爾最新晶圓代工藍圖顯示，Intel 10A（1nm 製程）將於 2027 年底投入生產/開發（非量產），標誌着該公司首個 1nm 節點的到來；Intel 14A（1.4nm）節點將於 2026 年投入生產。<img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/40b80db7-ebce-44d9-a975-51ca113d7ea8.png/query-aW1hZ2VWaWV3Mi8yL3cvNjQw?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" width="640" height="401" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/40b80db7-ebce-44d9-a975-51ca113d7ea8.png/query-aW1hZ2VWaWV3Mi8yL3cvNjQw"/>從 2021 年 Gelsinger 披露工藝節點製造計劃至今，基於英特爾首款 EUV 節點的 Intel 4 的產品已經上市，其大批量對應產品 Intel 3 也已準備就緒。與此同時，英特爾正在對 2024 年和 2025 年首款全環柵（GAAFET）/RibbonFET 做最後的完善工作。根據最新的晶圓代工藍圖路線圖，在高性能/高密度賽道上，14A（1.4nm）將是英特爾首次使用高數值孔徑（High-NA）EUV 的節點。這一節點將在 2026 年大規模投入生產。這是業界首個使用 ASML 極紫外光刻機的工藝節點。那台重 15 噸、造價高達 27 億元的最新一代光刻機，能製造 2 納米以下的最先進製程。英特爾是目前唯一拿到這台光刻機設備的公司。英特爾將其代工業務押注於 High-NA，這與英特爾在 EUV 領域的起步相對較晚（Intel 4/Meteor Lake 是首款產品）形成鮮明對比（之前保守，現在激進）。目前，英特爾已獲得了迄今為止全球唯一的高數值孔徑掃描儀。憑藉 High-NA 的技術性能，14A 將成為英特爾繼 20A/18A 合併之後的第一個完整節點。若一切照現在的計劃推進，那麼這將是英特爾進一步鞏固其作為晶圓廠工藝技術領導者的地位的技術。當然，這還包括在 2026 年之前的風險測試中不出現意外。目前，14A 節點的變種包括 E（更高的電壓和温度，性能提升 5%）、P（Plus）（性能提升 5%-10%）和 T。值得一提的是 18A 工藝節點。Gelsinger 剛剛對外公開表示，“我將整個公司都押注在了 18A 製程上。” Gelsinger 此次重申了 18A 製程對英特爾的重要性，比 2023 年底的表態更加堅定。18A 製程是英特爾重回技術領導地位的加速路線圖中的第五個節點，2025 年投產，以此重新取得製程工藝的領先性。雖然實際上 18A 並沒有採用 1.8nm 工藝，但是英特爾卻表示自家的 18A 製程在性能和晶體管密度上，能與台積電 1.8nm 工藝相當，比台積電 2nm 製程更先進。若比較晶體管密度和 GAA（全環繞柵極）架構，其實兩者（與台積電 2nm 相比）相差無幾。與台積電 2nm 工藝相比，18A 製程具有的 “背面供電” 技術（即英特爾所稱的 PowerVia）確實比台積電先進。這項技術能從芯片的背面而不是正面為晶體管供電。Gelsinger 稱該項技術堪稱芯片行業的 “哈利路亞” 時刻。除了技術上的優勢，18A 製程也是英特爾雄心勃勃的 “2030 年成為全球第二大晶圓代工廠” 計劃的核心。目前，台積電是全球最大的晶圓代工企業，三星緊隨其後。英特爾希望通過 IFS（Intel Foundry Services）部門取代三星，18A 製程被認為是英特爾吸引客户的重要砝碼。微軟 CEO 薩蒂亞·納德拉（Satya Nadella）已宣佈 “微軟將基於 Intel 18A 工藝製造芯片”。2 月 22 日，英特爾宣佈已完成 18A 主要產品 Clearwater Forest 的流片。Clearwater 是基於英特爾第二代 E 核的 Xeon（Sierra Forest 後繼產品），是英特爾代工技術的出色產品。由於英特爾工藝節點取得了較為顯著的進展，故而英特爾代工集團換了新名稱——由原先的代工團隊改成了英特爾代工服務（Intel Foundry Services），由此開啓了英特爾 “系統代工” 發展的全新階段。英特爾整個代工服務系列，從晶圓廠到測試再到先進封裝，現在都被置於這個新改名的英特爾代工旗幟下。看上去英特爾正在借鑑台積電的做法。比如，強調英特爾提供服務，不但希望為客户製造芯片，而且希望成為芯片生產的一站式商店。所以，除了為客户提供晶圓光刻技術，英特爾還向潛在客户開放先進封裝、芯片組裝和測試的完整生態。如果客户願意，他們將能從英特爾獲得完整的芯片，甚至只是利用英特爾提供的個性化服務，以達成自己的目標。<h2>超越三星：成為全球第二</h2>成為僅次於台積電的全球第二大代工廠，這是英特爾當今掌門 Gelsinger 的雄心。他於 2 月 26 日在加州舉行的晶圓代工大會上對此做了詳細解釋，“當我説到 2030 年成為第二大代工廠時，我的意思是 ‘針對我們的’ 外部代工廠（僅限商業）。”根據 Gelsinger 在 2021 年制定的 “4 年 5 個節點” 技術路線圖，英特爾共有 5 項製程節點技術（再加上此次增加的 14A 和 10A）。其中包括，第一，傳統成熟製程的 10 納米和 7 納米，對應 Intel 7 和 Intel 4 已投放市場；第二，先進製程 3 納米（對應 Intel 3）已準備就緒，隨時可大批量生產，該製程旨在追趕台積電與三星。第三，未來製程 2nm（對應 Intel 20A）和 1.8nm（對應 Intel 18A）也將如期上市。英特爾預計，將於 2025 年通過 intel 18A 製程節點會重獲製程領先性。作為美國本土少數擁有晶圓廠、兼具設計和代工能力的芯片 IDM（另一種是將設計與生產分離的 Fabless 無晶圓廠模式）廠商，英特爾因 “死磕” 10nm 芯片製程造成研發上的戰略失誤，被迅速崛起的對手台積電、三星趕超並甩至身後。2020 年，英特爾不得不將 7nm 芯片的代工業務外包給台積電，5nm 及 3nm 的大部分訂單都要依賴台積電完成。2021 年，英特爾本代掌門 Gelsinger 上任後，最重要的戰略決策就是要帶領英特爾重拾芯片代工業務。為此，Gelsinger 制定了三大關鍵戰略能力：芯片設計、技術架構、工藝技術和大規模製造能力。隨後，英特爾同步在全球建廠擴充產能。目前，英特爾在美國、以色列和愛爾蘭等地都傳出投建與改造晶圓廠的計劃，投資額已經超過 250 億美元。2024 年，英特爾與位於中國台灣的全球第四大晶圓代工廠聯電（台積電宿敵）宣佈合作。自從美國、歐盟芯片法案相繼出台後，芯片生產能力成為扶持本土半導體產業、保障供應鏈安全的關鍵。英特爾被認為是兩項法案當前最大的受益方之一，收到了美國和歐盟的補貼大禮包，其中美國 100 億美元，歐盟 68 億歐元。據 TrendForce 統計數據顯示，2023 年第二季度，英特爾首次躋身全球前十大晶圓廠，排名第九，約佔 1% 的全球代工市場份額。排名前三的廠商分別是台積電、三星和格芯，分別佔 57.9%、12.4% 和 6.2%。“按收入（包括封裝業務收入）計算，我們將成為第二大代工廠。這是我為我們團隊設定的目標，這高於我從內部代工業務獲得的收入。所以它是兩者的結合。” Gelsinger 説，“我相信若做適當地比較，我的外部代工廠將在行業中排名第二。”風險提示及免責條款 市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。</div>

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英特爾最近更新了晶圓代工藍圖，計劃在 2030 年超越三星，成為全球第二大代工廠。該計劃將於 2027 年底投入生產首個 1nm 節點，並在 2026 年投入生產 1.4nm 節點。英特爾還在對 2024 年和 2025 年首款全環柵（GAAFET）/RibbonFET 做最後的完善工作。在高性能/高密度賽道上，英特爾將首次使用高數值孔徑（High-NA）EUV 的節點，該節點將在 2026 年大規模投入生產。

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