智通財經 APP 獲悉，開源證券發佈研究報告稱，供給方面，據閃德資訊報道，三星、SK 海力士、美光三大原廠全力搶佔 HBM、DDR5 等新興市場，新產能均投入相關新品，逐漸退出 DDR3 市場，利基型 DRAM 產能供給減少。需求方面，近期隨着 AI、網通的需求增加，AI 技術導入後終端產品對 DDR3 有容量升級的需求。2023H2 以來，主流存儲產品價格已明顯回暖，隨着利基型市場供需結構改善，DDR3 等利基型存儲產品有望接力上漲，實現存儲芯片的全品類復甦，板塊景氣度持續提升。 開源證券觀點如下：上週覆盤：現貨市場流速緩慢，供需雙方博弈激烈指數方面：據閃存市場數據，2024 年第 11 周存儲市場有所分化，NAND 指數單週提升 0.63%，DRAM 指數單週下降 0.02%，基本持平。價格方面：NANDFlash Wafer 價格持平不變， DDR4 eTT 資源跟隨實際成交價小幅調漲;渠道市場方面，一季度淡季渠道需求平淡，渠道出現少量拋貨現象，而成本端並未下降，因此行情整體變動不大，價格持平不變;行業市場方面，近期行業市場以少量備貨需求為主，整體需求較淡，還有延遲提貨的跡象，本週行業價格持平不變;嵌入式 Flash 方面，由於嵌入式資源供應依然有限，伴隨現貨市場嵌入式產品需求穩固，本週部分嵌入式價格上調：eMCP 和 uMCP 價格全面上漲 ( 周環比 +2.8%/+5.5%)， 部分 eMMC 和 UFS 價格上調 ( 周環比 +1.5%/+1.4%)，嵌入式 LPDDR 價格持平不變。利基型市場： DDR3 供不應求，Q2 價格有望調漲 20%供給方面，據閃德資訊報道，三星、SK 海力士、美光三大原廠全力搶佔 HBM、DDR5 等新興市場，新產能均投入相關新品，逐漸退出 DDR3 市場，利基型 DRAM 產能供給減少。需求方面，近期隨着 AI、網通的需求增加，AI 技術導入後終端產品對 DDR3 有容量升級的需求。價格方面，三大原廠已陸續於 2023Q4 起喊漲 DDR3 價格，隨着市場供不應求，華邦也計劃在 2024Q2 跟進漲價，將 DDR3 價格調升 20%，幅度可觀。2023H2 以來，主流存儲產品價格已明顯回暖，隨着利基型市場供需結構改善，DDR3 等利基型存儲產品有望接力上漲，實現存儲芯片的全品類復甦，板塊景氣度持續提升。大廠近況：開工率逐步提升，中國台廠營收連續多月同比高增據閃德資訊報道，隨着庫存調整和智能手機市場需求轉好，三星西安工廠稼動率正持續提升，目前已達 70%;與此同時，鎧俠計劃在 3 月內將 NAND 稼動率提升至 90%，大廠近期稼動率調升動作頻繁，反應需求正逐步向好。大廠表現方面，隨着價格逐步回暖，韓國 2 月存儲芯片出口額同環比大幅雙增 (同比 +108%/環比 +14%)，多家中國存儲台廠營收連續多月同比上漲，南亞科技、十銓等企業連續三月同比增長 30% 以上，勢頭良好。隨着板塊持續復甦，以及 HBM 和 DDR5 等產品的需求增長，相關公司有望充分受益，受益標的：(1) 存儲芯片：兆易創新 (603986.SH)、普冉股份 (688766.SH)、東芯股份 (688110.SH) 等;(2) 存儲模組：江波龍 (301308.SZ)、德明利 (001309.SZ) 等;(3) 存儲接口：瀾起科技 (688008.SH)、聚辰股份 (688123.SH) 等;(4) 存儲封測及 HBM 產業鏈：長電科技 (600584.SH)、通富微電 (002156.SZ) 等風險提示：需求復甦不及預期，行業競爭加劇，公司新品研發進度不及預期。

三星電子

美光科技

利基型存儲市場供需改善，DDR3 等利基型存儲產品有望上漲，存儲芯片行業景氣度提升。供給方面，三星、SK 海力士、美光逐漸退出 DDR3 市場，利基型 DRAM 產能減少。需求方面，AI 技術導入後終端產品對 DDR3 有容量升級需求。主流存儲產品價格回暖，板塊景氣度持續提升。利基型市場 DDR3 供不應求，Q2 價格有望上漲 20%。

開源證券：DDR3 供不應求 漲價行情向利基存儲市場擴散

開源證券：DDR3 供不應求漲價行情向利基存儲市場擴散