量價齊升,內存超級週期要來了嗎?

華爾街見聞
2024.04.02 07:45
portai
我是 PortAI,我可以總結文章信息。

野村預計,2024 年 DRAM 價格將環比高個位數增長至 10%,HBM3E/HBM3 平均售價可能增長 10-20%,若 HBM 擠壓 DRAM 供給,DRAM 價格可能會從當前低點漲超 50%。

在 AI 需求推動下,內存市場一季度傳統淡季 “不淡”,價格上漲超出市場預期。

韓國 2 月半導體產量同比激增 65.3%,創下自 2009 年以來的最高記錄,分析預計 4 月內存出口同比增長將超 100%。

野村證券在週一的報告中,內存市場可能正處於超級週期中,一季度迎來量價齊升:

價格方面,2024 年第一季度,內存價格上漲幅度超出市場預期。DRAM 混合平均售價環比增長超過 20%,而 NAND 價格更是跳漲了 25-30%,預計第二季度(2Q24F)價格將繼續上漲。

出貨量方面,一季度半導體和內存出口分別環比增長了 5% 和 12%。儘管 DRAM 出貨量預計環比下降約 15%,但商品價格預計環比上漲了 15-20%。根據我們的估計,包括 HBM 在內,混合平均售價環比增長超過 20%。

NAND 的出貨量可能保持穩定,但價格將顯著上漲 25-30%。按產品分類,AI 服務器對 HBM 的需求極強,企業 SSD 的內存需求也在增長。移動 DRAM/NAND 需求相對較弱,而 PC 內存和 SSD 需求預計將在 2024 年下半年隨着 AI PC 銷售的增長而上升。

展望今年,野村預計,今年內存價格將繼續上漲

2Q24F DRAM 價格將環比增長高個位數至 10%,一季度高價格增長放緩,但仍然高於我們認為的市場預期。由於高溢價 HBM3E/HBM3(高帶寬內存)供應的擴大,混合平均售價也可能增長 10-20%。儘管一些 NAND 廠商的利用率恢復,但我們認為,NAND 價格也將環比增長超過 10%。

HBM 的競爭加劇,預計將限制商品 DRAM 的供應,並推動商品價格上漲。海力士和美光已獲得 HBM3E 資格,三星也在進行相關資格認證。由於行業競爭加劇,HBM 容量的增長可能超出預期,這可能導致 DRAM 價格在 2Q24F 底部增加超過 50%。

野村維持對 SK 海力士和三星電子的買入評級,儘管市場對內存公司收益的預期正在上升,但仍低於野村的預期。野村認為,鑑於 AI 公司的技術進步和商業利用情況好於預期,內存市場的未來表現可能比市場當前預期更為樂觀。