作者：李笑寅
本文來源：硬 AI
AI 浪潮驅動下，HBM 的市場需求持續高漲，“供不應求” 的局面還將持續多久？
4 月 14 日，美國銀行發佈全球內存技術主題研報，對 HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器）及 DRAM（動態隨機存取存儲器）技術的最新動態和趨勢進行了解讀。
報告表示，由於良品率較低、製造週期較長以及訂單持續強勁，預計 HBM 需要的 DRAM 晶圓產能可能要比當前的預測多出 10%-20%。此前，美銀預計 2024 年和 2025 年的全球 DRAM 晶圓產能為 18.2 萬片/月和 25.7 萬片/月。
<h2>HBM 需求越高，DRAM 消耗越大</h2>
HBM 技術可以説是 DRAM 從傳統 2D 向立體 3D 發展的主要代表產品，因其通過堆疊 8-12 個 DRAM 芯片製成，因此需要更多的 DRAM 晶圓產能。
具體來看，報告表示：
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目前 HBM 的平均良品率可能只有 70% 以上的水平，很難達到 90% 以上；
完成 HBM 的前端和後端工藝通常需要 5 個月以上的時間，這比原先預計的 4 個月內完成更為合理。這可能會導致生產效率降低，進一步增加對晶圓的需求；
在英偉達和其他大型生產商的需求推動下，預計下半年甚至到 2025 年的新訂單會更為強勁。
</blockquote>
這意味着，想要生產足量的、高質量的 HBM，就需要投入更多 DRAM 晶圓產量。報告表示，這個過程可能需要丟棄超過 30% 的晶圓，高於此前不到 30% 的預期。
<h2>非 HBM 用的 DRAM 供應面臨短缺</h2>
同時，美銀還指出，這種對 DRAM 晶圓產能的增加需求可能會導致2025 年非 HBM 用的常規 DRAM 出現供應短缺。
公開資料顯示，用於 HBM 的 DRAM 設備與商用內存（如 DDR4、DDR5）的典型 DRAM IC 完全不同，不僅要求更高的測試設備數量，在存儲體和數據架構上也進行了重新設計。
而用於 HBM 的 DRAM 設備必須具有寬接口，因此它們的物理尺寸更大，也比常規 DRAM IC 更昂貴。據媒體報道，美光首席執行官 Sanjay Mehrotra 曾表示：
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“HBM3E 芯片的尺寸大約是同等容量 DDR5 的兩倍。HBM 產品包括邏輯接口芯片，並且具有更加複雜的封裝堆棧，這會影響良品率。因此，HBM3 和 3E 需求將吸收行業晶圓供應的很大一部分。”
“HBM3 和 3E 產量的增加將降低全行業 DRAM 位供應的整體增長，尤其是對非 HBM 產品的供應影響，因為更多產能將被轉移到解決 HBM 機會上。”
</blockquote>
而作為 AI 時代的 “新寵”，HBM 的供不應求預計還將持續。高盛也在早些時候發佈研報稱，預計市場規模將從 2022 年到 2026 年前增長 10 倍（4 年複合年增長率 77%），從 2022 年的 23 億美元增長至 2026 年的 230 億美元。

美光科技

美國銀行

HBM 需求強勁，可能導致 DRAM 供應短缺。根據美銀預測，到 2025 年，非 HBM 用的常規 DRAM 將面臨供應短缺。HBM 技術需要更多的 DRAM 晶圓產能，但良品率較低、製造週期較長，預計需要比預測多出 10%-20% 的產能。此外，HBM 的需求越高，DRAM 消耗越大，對晶圓的需求增加，可能丟棄超過 30% 的晶圓。美銀指出，這種對 DRAM 產能的增加需求可能會導致 2025 年非 HBM 用的常規 DRAM 供應短缺。

HBM 需求有多強？美銀：搶產能可能導致 DRAM 供應短缺