先進微設備公司（NASDAQ: AMD）與 三星電子（OTC: SSNLF）簽署了一份合同，為其新的數據中心芯片 MI350 提供價值約 30 億美元（4 萬億韓元）的 HBM3E（第五代高帶寬內存）。
三星電子同意向 AMD 提供 12 層 HBM3E DRAM，計劃在今年上半年開始大規模生產。三星於 2 月向客户提供了樣品。這項交易價值約 30 億美元（韓元 4.134 萬億），Viva 100 報道。
另請閲讀： 美光主導高帶寬內存市場，預計收入增長顯著：分析師
作為交換條件，三星電子將購買 AMD 的圖形處理單元（GPU）
供應可能會在下半年開始，與 AMD 計劃在那時開始大規模生產芯片的計劃相一致。AMD 最初計劃在今年下半年發佈 MI350，並在明年開始大規模生產，但現已將發佈時間提前至第二季度。
Trend Force 報告稱，與前代產品 MI300 相比，MI350 的帶寬提高了 30% 以上。儘管 AMD 的芯片被認為比同類的 Nvidia Corp（納斯達克股票代碼：NVDA）芯片具有更大的容量，但在帶寬方面被認為不及。為了應對這一問題，AMD 選擇使用專門設計用於增強帶寬的 HBM3E。
這份合同可能會與三星的晶圓代工業務分開進行。
與此同時，SK Hynix 一直是 Nvidia 的主要 HBM 供應商並領先市場。今年四月，SK Hynix 宣佈計劃在西拉法葉投資 39 億美元建設先進的芯片封裝工廠
印第安納州，專注於大規模生產 HBM。
最近，英偉達首席執行官黃仁勳（Jensen Huang）背書三星電子的 HBM3E，表明未來可能會有更多合作關係。
價格走勢： AMD 股價上漲了 0.07%，報價$153.86，截至上週五最後一次檢查時。
還可閲讀： 英偉達、博通領跑人工智能：美銀證券分析師看好 AMD、美光成為新興競爭對手在爆炸性市場增長中
免責聲明： 本內容部分使用 AI 工具生成，並經 Benzinga 編輯審查和發佈。
圖片由 Pierre Lecourt 通過 Flickr 提供

英偉達

BAND

2 倍做多英偉達 ETF - GraniteShares

半導體 3 倍做多 - Direxion

AMD 已與三星合作，利用先進的內存技術提升其 MI350 數據中心芯片。根據合同，三星將向 AMD 提供價值 30 億美元的 12 層 HBM3E DRAM，同時也將購買 AMD 的 GPU。這一合作旨在將 MI350 的帶寬提高超過 30%，相較於其前身，使 AMD 能夠在帶寬容量方面與 Nvidia 競爭。GPU 的供應將於下半年開始，與 AMD 的大規模生產計劃相一致

AMD 和三星合作，利用先進的內存技術提升 MI350 芯片的性能