作者：周源/華爾街見聞GAI（生成式人工智能技術：Generative Artificial Intelligence）概念股在 A 股表現反覆，但產業鏈上游熱度不減。無論是智能設備移動端還是服務器，涉及的多規格 DDR 或 DRAM 仍在全線漲價。華爾街見聞從供應鏈獨家獲悉，儘管下半年 DRAM 因 HBM 需求過高佔用產能導致供應可能出現短缺，但存儲器龍頭公司始於 2023 年第三季度多規格 DRAM 價格大幅上漲的趨勢將不會延續，“下半年 SK 海力士 DRAM 價格上漲幅度將收斂”，供應鏈人士對華爾街見聞説。與服務器 DRAM（Standard DDR）需求量相比，HBM 的需求量更大。SK 海力士首席執行官 Kwak No-jeong 在 5 月 2 日的 “AI 半導體願景與戰略” 會上透露，2025 年生產的 HBM 產品已售罄，HBM3E 12-Hi 產品樣品將於 6 月發佈，今年第三季度開始量產。<h2>DRAM 價格大漲推升巨頭業績</h2>GAI 技術的市場前景目前表現為殺手級應用缺失，但上游存儲器價格連續大幅上漲。5 月 2 日消息，TrendForce（集邦諮詢）將今年第二季度服務器 DRAM 合約價格預測從最初的 3%-8% 修正為 15%-20%。這標誌着自 2023 年第四季度以來連續第三個季度實現兩位數百分比增長。今年 4 月，所有產品類別的服務器 DRAM 價格約上漲 10%-20%。本輪 DRAM 價格上漲，最初是因為下游需求增加，但今年以來，中國台灣地區強震影響超過市場需求；此外，供應鏈人士表示，“HBM 需求量太高，致使行業開始尋求性能替代品，比如 DDR5，價格相對更便宜，能耗更低。”DDR5 DRAM 是一種計算機內存技術。與DDR4內存相比，DDR5 標準性能更強，功耗更低。美光（Micron）科技在英偉達 GTC 2024 大會上展示了最新的 256GB 單條 MCRDIMM DDR5-8800 內存模塊，這是目前市場上容量最大的單條內存模塊：採用 DDR5 技術，運行速度高達 8800MHz，遠超現有的 DDR4 內存模塊。美光科技的這款內存模塊，主要為了配合英特爾即將推出的新一代 Xeon Scalable Granite Rapids 服務器處理器而設計。英特爾這款服務器搭載的 Granite Rapids 處理器（CPU）採用全新架構，能承載 AI 負載；配置美光這款內存模塊的服務器，內存將高達 3T-6T，可輕鬆實現 GAI 的訓練任務。JEDEC 定義了應用廣泛的三類 DRAM 標準，以滿足各種應用的設計要求：標準 DDR5、移動 DDR（LPDDR）和圖形 DDR。根據系統要求，DDR5 以不同的形式被使用在不同的終端中。標準 DDR 面向服務器、雲計算、網絡、筆記本電腦、台式機和消費類應用，支持更寬的通道寬度、更高的密度和不同的形狀尺寸。據 TrendForce 預計，HBM3E 在三星電子第 4 代 DRAM 工藝中的份額將從今年的 30% 大幅提升至 2025 年的 70%。三星電子和 SK 海力士在最近的財報中表示，除了 HBM 之外，預計下半年其他 DRAM 產品將出現供應短缺。實際上，DRAM 多個品種的漲幅從去年四季度開始到今年 5 月，已連續上漲 3 個季度，累計漲幅高達 50%-60%。供應鏈人士告訴華爾街見聞，“像 SK 海力士這種 DRAM 大廠，目前庫存仍未能恢復到正常水平，故而海力士下半年 DRAM 價格上漲幅度並不能延續。”DRAM 價格在最近 3 個季度的持續大幅上漲，正在給 DRAM 大廠帶來豐厚利潤。4 月 30 日，三星電子公佈的 2024 年第一季度財報顯示，三星電子 2024 年第一季營收為 71.9156 萬億韓元（約合人民幣 384.26 億元），高於上一個季度的 67.78 萬億韓元（約合人民幣 362.92 億元），較 2023 年同期的 63.75 萬億韓元（約合人民幣 340.23 億元）增長 12.82%。三星電子一季度存儲業務營收 17.49 萬億韓元（約合人民幣 90.73 億元），環比增長 11%，同比暴漲 96%，在整體的半導體業務營收當中的佔比高達 75.58%。SK 海力士今年 3 月財季的營收達到 12.4 萬億韓元（約合人民幣 651.7 億元），高於預期，較上年同期增長 144%，為 2010 年以來最快增速。<h2>海力士台積電聯盟再升級</h2>與 HBM 相比，服務器 DDR DARM 的需求量就是小巫見大巫。SK 海力士在 2025 年產的 HBM 新品已售罄，這是 SK 海力士首席執行官 Kwak No-jeong 在 5 月 2 日透露的。更重要的是，Kwak 指出，雖然 AI 產品目前以數據中心（IDC）為中心，但 AI 技術正在迅速蔓延到智能手機、個人電腦、汽車和其他設備。“專門用於 AI 應用的超快、大容量、低功耗存儲器的需求將激增”，Kwak 説。SK 海力士基礎設施總裁 Kim Ju-seon 指出，“HBM 和大容量 DRAM 模塊在 2023 年約佔整個內存市場的 5%，預計到 2028 年將佔 61%。”為此，SK 海力士準備了包括 eSSD 和 LPDDR5 在內的多類產品組合。eSSD（Enterprise Solid State Drive）是指企業級固態硬盤，這是一種使用閃存作為數據存儲介質的存儲設備。與傳統的機械硬盤（HDD）相比，eSSD 具有更快的數據讀寫速度、更低的功耗、更小的體積和重量，以及更好的抗震性能。這些特性使得 eSSD 非常適合用於需要高速數據訪問和高可靠性的應用場景，如數據中心、服務器、高性能計算和企業級存儲解決方案。與 DRAM 不同，HBM 相當於先由需求方做出產能預訂，再由供應方生產，故而沒有像 DRAM 那樣的庫存問題，也不存在產能過剩。在 HBM3 或 HBM3E 代際，SK 海力士是全球無可爭議的技術領導者。實際上，海力士正是通過逆勢增加對 HBM 的投資，故而在今年一季度（3 月財季）營業利潤超越了三星電子約 7 億美元。此前十年，SK 海力士在存儲半導體領域排名第二，之後其抓住 2022 年下半年 AI 熱潮帶來的機遇，超越三星電子，坐穩了 AI 存儲領域的第一寶座。“HBM 技術並不是從天上掉下來的。” Kwak 在 5 月 2 日的新聞發佈會上説，“2012 年，當其他公司因內存衰退而削減 10% 的投資時，我們增加了投資，包括前途未卜的 HBM。”到了 HBM4，海力士的技術優勢遇到了原先的霸主三星電子強有力的挑戰。SK 海力士的對策是提高 HBM 封裝技術和做混合鍵合技術的探索。SK 海力士計劃從 2028 年下半年開始在美國印第安納州的先進封裝製造基地開始量產 HBM4，副總裁 Choi Woo-jin 提到，正在討論該工廠是否會採用類似於台積電 CoWoS 的工藝，涉及 Nvidia（英偉達）、Apple（蘋果）等公司應用的先進芯片封裝技術，即 2.5D 技術。5 月 2 日，海力士進一步提升了在 HBM 領域的聯盟實力。繼 4 月與台積電簽署諒解備忘錄（MOU）以聯合開發新一代封裝技術之後，海力士在 5 月 2 日宣佈，與英偉達和台積電結成戰略聯盟，旨在與全球系統半導體和代工合作伙伴作為一個團隊開發和供應頂級產品。

三星電子

美光科技

DRAM 下半年漲價幅度將放緩，但 HBM 仍難求產能。

賽道 Hyper | DRAM 劇漲價：海力士和三星齊吃飽