據韓國每日經濟報道，全球兩大內存芯片製造商三星電子公司和 SK 海力士公司預測，由於人工智能應用對高性能芯片的需求不斷增長，2024 年 DRAM 和高帶寬內存（HBM）價格將保持堅挺。為滿足市場需求，他們已將超過 20% 的 DRAM 生產線轉為 HBM 生產線。這一舉措將導致 DRAM 產量減少，而 HBM 芯片的產能增加。5 月 9 日至 10 日，在由三星證券主辦的投資者關係會議上， SK 海力士首席執行官郭能靜（Kwak Noh-jung）透露，今年和 2025 年 HBM 芯片訂單幾乎售罄，顯示出高 HBM 芯片需求。一位 SK 海力士官員表示，公司已與客户簽訂具約束力的 HBM 芯片供應合同，確保供應量和利潤率穩定。<img src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/2a1df617-43a3-430a-a238-7e0dd9f19654.jpeg?x-oss-process=image/auto-orient,1/interlace,1/resize,w_1440,h_1440/quality,q_95/format,jpg" alt="" title="" width="700" height="466" original-src="https://imageproxy.pbkrs.com/https://wpimg-wscn.awtmt.com/2a1df617-43a3-430a-a238-7e0dd9f19654.jpeg"/>據悉，八層 HBM3E 芯片佔據主要客户 Nvidia 訂單的大部分。儘管 HBM3 價格下跌，但 HBM3E 價格上漲將抵消這一影響，有望維持利潤率水平。三星電子官員表示，其 HBM 產出已售罄，而 2025 年 HBM 不會出現供過於求的情況。此外，三星計劃在第二季度開始生產 12 層 HBM3E 芯片，展示其在 HBM3E 市場的領先地位。未來，三星將開發第六代 HBM（HBM4）並於 2026 年量產，採用混合鍵合技術連接 DRAM 的頂部和底部。三星內部人士表示，DRAM 價格短期不會下跌，而 SSD 的需求增長也是長期趨勢。

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為滿足不斷增長的人工智能應用對高性能芯片的需求，三星和 SK 海力士已轉換超過 20% 的 DRAM 產線為 HBM 產線，預計 2024 年 DRAM 和 HBM 價格將保持堅挺。

報道：三星和 SK 海力士將超過 20% 的 DRAM 產線轉換為 HBM 產線