出貨增長 + 漲價，野村預測存儲下半年表現更好 | AI 脱水

本文作者：申思琦

來源：硬 AI

市場都在説 HBM 供不應求，同時帶動傳統 DRAM 和 NAND 進一步漲價。

那麼以韓國為代表的存儲市場，2 季度到底表現如何，3 季度會增長多少？

野村在昨天的報告中做了簡要敍述。

2 季度出貨環比 1%，6 月環比增幅明顯

2 季度韓國半導體公司的內存收入將同比增長 137%，環比增長 29%，部分原因是美元兑韓元的升值（美元/韓元匯率在 2Q24 中分別同比上漲 9% 和環比上漲 4%）。

2 季度內存出貨量同比增長約 10%，環比增長 1%，DRAM 和 NAND 價格均上漲約 20%。

具體而言，6 月份內存出口同比增長 29%，環比增長 85% 至 88 億美元，推動 2Q 內存出口達 215 億美元（環比增長 14%，同比增長 94%）。

3 季度環比繼續增長，DRAM 和 NAND 漲價 10%

對於 3 季度，野村進一步預計韓國內存收入將同比增長 31%，環比繼續增長，主要由 HBM 產能擴張和商品價格上漲推動。

重點是，野村預計韓國半導體公司的盈利能力將在 2024 年下半年顯著提高。同時由於 HBM 產能擴張和強勁需求，DRAM 和 NAND 的商品價格上漲 10%。

昨日的AI 脱水中，硬 AI 指出了 SK Hynix 宣佈了將投資 103 萬億韓元（約合 747 億美元），計劃在 2028 年之前進一步加強其面向人工智能存儲芯片業務。

其中約 80%（即 82 萬億韓元）的投資將用於發展高帶寬內存（HBM）芯片，以推動與 AI 芯片發展的配合。

野村在報告中給出了韓國半導體企業不同產品，不同工藝下的資本開支情況。具體來看：

不同技術節點（Tech node）下，DRAM、NAND 和晶圓代工每新增 1 萬片產能所需的資本支出金額：

• 晶圓代工（Foundry）：7nm 需 20 萬億韓元，5nm 需 32 萬億韓元，3nm 需 27 萬億韓元
• 3D NAND：128L 需 10 萬億韓元，176L 需 14 萬億韓元
• DRAM：1ynm 需 9 萬億韓元，1znm 需 10 萬億韓元，1anm 需 12 萬億韓元

注：3D NAND的單位是 “層”（L），DRAM的單位是 “納米”（nm），y z A 分別代表第二、三、四代 10nm 工藝節點。

此前的業績會上，公司還強調將在今年推出基於 10 納米工藝的 32Gb DDR5 產品，這是第五代 10 納米（1bnm）技術，以加強其在高容量服務器 DRAM 市場的領導地位。