智通財經 APP 獲悉，三星電子（SSNLF.US）在開發對人工智能市場至關重要的存儲芯片方面遭遇一系列挫折後，開始在縮小與競爭對手 SK 海力士的差距方面取得進展。據知情人士透露，這包括贏得了人工智能巨頭英偉達 (NVDA.US) 期待已久的一款名為 HBM3 的高帶寬存儲芯片的批准，此外，該公司還預計下一代 HBM3E 將在兩到四個月內獲得批准。在歷經幾個月挫折之後，三星終獲進展，此前該巨頭曾經歷開發失誤、規模較小的 SK 海力士在行業中脱穎而出並取得巨大領先地位。從歷史上看，憑藉其規模和工程專業知識，韓國最大的公司三星一直是內存芯片市場領導者，卻不尋常地被 SK 海力士迎頭趕了上來。此外，鑑於該公司在 HBM 領域舉步維艱，三星在 5 月採取了極不尋常的舉措，更換了半導體部門負責人。Tirias Research 分析師吉姆·麥格雷戈 (Jim McGregor) 表示，“我們從未見過三星處於這種境地，業界和英偉達比任何人都更需要三星，但他們需要三星全力以赴。”三星拒絕對任何具體的合作伙伴發表評論，但表示總體而言，公司正與客户密切合作，當前測試進展順利。三星電子此次取得的成果很可能是為將人工智能產品需求資本化。據摩根士丹利稱，HBM 市場預計將從去年的 40 億美元增至 2027 年的 710 億美元。三星越快得到人工智能加速器領導者英偉達的支持，便能從這一熱潮中獲得越多收入。摩根士丹利分析師 Shawn Kim 和 Duan Liu 在本月的一份研究報告中寫道，“投資者對三星的看法可能很快就會改變，情況正在迅速改善。”這兩位分析師在報告中將三星列為首選股票，他們認為，到 2025 年，三星的 HBM 市場份額至少會增加 10%，收入將增加約 40 億美元。儘管在該領域仍將落後於 SK 海力士，但這一進展可能會改變投資者的看法，股價也將隨之提振。三星將於本週三公佈第二季度財報，屆時其 HBM 戰略可能面臨質疑。目前尚不清楚該公司將提供多少細節。不過，雖然三星似乎有望在 11 月之前獲得英偉達的批准，但該公司仍在努力解決某些問題，鑑於人工智能芯片的複雜性，結果難以預測。知情人士説，其時間表有可能會滑到 2025 年。三星落後於同行發生在該公司一個不同尋常的時期。執行董事長李在鎔 (Jay Y.Lee) 花了數年時間與檢方就賄賂和腐敗指控展開鬥爭，與此同時，公司高層並未將 HBM 視為優先事項。事實上，在 OpenAI 於 2022 年底推出 ChatGPT 並引發對英偉達芯片的狂熱需求以訓練 AI 模型前，市場一直處在巨大的不確定性中。雖然 SK 海力士已經準備好迎接井噴的需求，但三星仍在努力解決新芯片的複雜工程問題。HBM 是由一組堆疊在一起的 DRAM 芯片組成的，最新一代是 8 個 (每一層都會產生大量的熱量)，隨後則被裝入英偉達的圖形處理單元 (GPU)。GPU 本身可達到 100 攝氏度，如果沒有適當的散熱和冷卻材料，整個堆棧將面臨熔化的風險。Bloomberg Intelligence 分析師傑克·西爾弗曼 (Jake Silverman) 表示:“隨着這些層數的增加，開發合理產量將變得更加困難。問題在於散熱：運行發熱是因為這是堆疊的 DRAM，它非常接近 GPU，而 GPU 的運行温度更高。”一位不願透露姓名的知情人士稱，三星在解決這種所謂的熱耦合問題上遇到了麻煩。今年 5 月，該公司採取了戲劇性的行動：宣佈半導體部門負責人 Kyung Kye-hyun 將離職，由 Jun Young-hyun 接替他的位置。Jun 於 2000 年加入三星，並幫助開發了 DRAM 和閃存芯片。現年 63 歲的他召開了一系列會議，探討技術細節，致力於找到問題的根本原因。據一位知情人士透露，在一次持續數小時不間斷的會議上，他哀嘆 HBM 可能是一個更廣泛問題的一部分。然而，不僅在內存芯片技術上具有落後的風險，三星在創新的緊迫性方面也有可能落後。為促進合作，他重組了專注於 HBM 的團隊，並任命了一位新負責人。三星使用一種稱為熱壓縮不導電膜 (TC-NCF) 的熱管理策略來隔離 DRAM 的每一層。而 SK 海力士則率先開發出了改善散熱和產量的替代方案。然而，三星選擇堅持使用 TC-NCF 並對其進行改進，並未選擇其他方式。一位公司發言人表示，TC-NCF 是一項 “經過驗證的技術”，將用於未來的產品中。知情人士説，最終，該公司修改了 HBM 的設計，以解決熱量和電力消耗問題。這使得 HBM3 獲得了英偉達的批准。三星表示，Jun 自上任以來，一直將公司集體商議和堅持解決問題的文化放在首位。該公司補充説，“我們的 HBM 產品沒有與熱量和電力消耗相關問題”，也沒有針對特定客户 “進行設計更改”。三星的 “救命稻草” 可能在於，人工智能大部分增長都在未來。微軟 (MSFT.US)、谷歌母公司 Alphabet(GOOGL.US)、亞馬遜 (AMZN.US)、蘋果 (AAPL.US) 和 Meta Platforms(META.US) 等科技巨頭都在斥巨資以發展自身能力。根據三星季度報告的細節，該公司從去年下半年開始生產 HBM3 芯片。像谷歌這樣自己設計芯片功能的公司，預計在今年的大部分時間裏將繼續使用 HBM3。三星已開始向英偉達供應 HBM3，用於其 H20 芯片，這是一款為中國定製的產品，以滿足美國的出口管制。至於 HBM3E，因為英偉達將 SK 海力士芯片與自己的 H200 芯片配對，該技術今年首次進入市場。Sanford C. Bernstein 分析師在 7 月份的一份報告中表示，到 2025 年，英偉達幾乎所有的產品都將繼續使用 HBM3E，而其芯片競爭對手甚至在 2026 年也將繼續使用。以馬克·李 (Mark Li) 為首的分析師寫道:“三星姍姍來遲，但 HBM3E 的窗口仍將為盡力追趕的三星所保留。”美光科技 (MU.US) 今年早些時候宣佈，英偉達已批准將其 HBM3E 芯片用於該公司的人工智能設備。在規模上歷來落後於韓國競爭對手的美光，如今聲稱在一些內存製造和產品推出領域處於領先地位，這進一步表明三星的主導地位正在受到侵蝕。然而，三星擁有的一個顯著優勢是其財務資源和生產能力。一旦達到英偉達的批准標準，三星便能迅速提升產量，解決阻礙英偉達和其他人工智能倡導者的短缺問題。Bloomberg Intelligence 的 Silverman 表示，“美光和海力士還沒有能力支撐整個市場，” 他補充説，英偉達首席執行官黃仁勳 “希望鼓勵他們”，因為英偉達需要更多供給。SK 海力士並沒有放棄，更是罕見地從其知名度更高的競爭對手那裏搶佔了風頭，自 2023 年初以來，該公司股價飆升了 150% 以上，是三星股價表現的三倍多。SK 海力士上週表示，目前正加快 HBM3E 產品的生產，以期實現超 300% 的增長。該公司還表示，計劃於本季度量產下一代 12 層 HBM3E 芯片，並在第四季度開始向一家客户供貨，這或許表明英偉達的認證即將到來。與此同時，在 Jun 的領導下，三星正在取得進步。它開發了自己的 12 層 HBM3E 技術，並正在努力獲得英偉達對這一代芯片以及 8 層 HBM3E 的批准。這也是未來市場前景的一個跡象。摩根士丹利的分析師寫道:“據我們估計，到 2027 年，這將是一個價值 710 億美元的營收機會，而且還在不斷增長，這在兩年前是不存在的。對三星來説，關鍵的爭論在於，它能否成為英偉達之後強有力的第二供應商。”

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三星電子在縮小與競爭對手 SK 海力士的差距方面取得進展，贏得了英偉達期待已久的一款高帶寬存儲芯片的批准。三星此舉有望從人工智能市場中獲得更多收入，並改變投資者對其的看法。摩根士丹利分析師認為，三星的情況正在迅速改善，將其列為首選股票。

- 三星電子在人工智能市場存儲芯片開發中取得進展，贏得了英偉達期待的 HBM3 批准，預計下一代 HBM3E 也將獲批。  
- 三星曆經挫折，SK 海力士脱穎而出，但三星仍努力縮小差距，更換半導體部門負責人以解決問題。  
- 三星的進展可能改變投資者看法，預計 HBM 市場將增至 2027 年的 710 億美元，英偉達支持將帶來更多收入。

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