三星再度回應英偉達 HBM3E 芯片報道：測試正在 “按計劃” 進行

智通財經 APP 獲悉，三星 (SSNLF.US) 對有關英偉達 (NVDA.US) 測試其高帶寬存儲芯片 (HBM) 的媒體報道再度做出了回應，表示測試正在 “按計劃” 進行。

三星的一名發言人通過電子郵件表示：“三星電子正在通過與各客户的密切合作優化我們的產品，並按計劃進行測試。”

上週有報道稱，英偉達已批准三星的 8 層 HBM3E 芯片用於其人工智能處理器。但隨後三星迴應稱，這和事實相距甚遠，“我們不能證實與我們客户相關的傳聞，但這個報道不是真的”。

HBM 是一種動態隨機存取存儲器 (DRAM) 標準，通過垂直堆疊芯片以節省空間和降低能耗，是人工智能 GPU 的關鍵組件，有助於處理複雜應用程序產生的大量數據。 HBM3 是目前新一代人工智能 GPU 中最常用的第四代 HBM 技術標準，HBM3E 芯片則使用第五代 HBM 標準。全球 HBM 芯片市場由 SK 海力士、三星主導，其次是美國芯片製造商美光科技 (MU.US)。

上個月，英偉達首席執行官黃仁勳表示，該公司正在評估美光和三星的 HBM 芯片，以確定它們是否能與 SK 海力士競爭。