智通財經 APP 獲悉，三星 (SSNLF.US) 對有關英偉達 (NVDA.US) 測試其高帶寬存儲芯片 (HBM) 的媒體報道再度做出了回應，表示測試正在 “按計劃” 進行。 三星的一名發言人通過電子郵件表示：“三星電子正在通過與各客户的密切合作優化我們的產品，並按計劃進行測試。”上週有報道稱，英偉達已批准三星的 8 層 HBM3E 芯片用於其人工智能處理器。但隨後三星迴應稱，這和事實相距甚遠，“我們不能證實與我們客户相關的傳聞，但這個報道不是真的”。HBM 是一種動態隨機存取存儲器 (DRAM) 標準，通過垂直堆疊芯片以節省空間和降低能耗，是人工智能 GPU 的關鍵組件，有助於處理複雜應用程序產生的大量數據。 HBM3 是目前新一代人工智能 GPU 中最常用的第四代 HBM 技術標準，HBM3E 芯片則使用第五代 HBM 標準。全球 HBM 芯片市場由 SK 海力士、三星主導，其次是美國芯片製造商美光科技 (MU.US)。上個月，英偉達首席執行官黃仁勳表示，該公司正在評估美光和三星的 HBM 芯片，以確定它們是否能與 SK 海力士競爭。

三星電子

三星迴應英偉達 HBM3E 芯片報道，表示測試正在 “按計劃” 進行。HBM 是人工智能 GPU 的關鍵組件，有助於處理大量數據。HBM3E 芯片使用第五代 HBM 標準。全球 HBM 芯片市場由 SK 海力士、三星主導。英偉達正在評估三星的 HBM 芯片，以確定是否能與 SK 海力士競爭。

- 三星對英偉達測試其高帶寬存儲芯片的報道做出回應，稱測試正在 “按計劃” 進行。
- 三星發言人表示正在優化產品並與客户合作，但否認英偉達已批准其 HBM3E 芯片用於人工智能處理器。
- HBM 是人工智能 GPU 關鍵組件，HBM3 是新一代 GPU 中常用的第四代技術，HBM3E 則使用第五代標準，市場由 SK 海力士、三星主導。

三星再度回應英偉達 HBM3E 芯片報道：測試正在 “按計劃” 進行