賽道 Hyper | SK 海力士 DDR5 提價 15%-20%

作者：周源/華爾街見聞

儘管英偉達股價已從 6 月 20 日的高點跌了近 20%（截至 8 月 12 日），但 HBM（高帶寬內存）卻仍在告急。

8 月 13 日，華爾街見聞從供應鏈獨家獲悉，SK 海力士已將其 DDR5（DRAM）提價 15%-20%。供應鏈人士告訴華爾街見聞，海力士 DDR5 漲價，主要是因為被 HBM3/3E 產能擠佔所致。同時，由於下游 AI 服務器加單，也推升了 SK 海力士決定提高 DDR5 價格的決心。

今年 5 月，SK 海力士曾對外宣佈，他們家 2024 年和 2025 年大部分 HBM（High Bandwidth Memory）產能供應已被預定一空。美光科技在今年 3 月份也發佈過類似聲明。

最近，據 TrendForce（集邦諮詢）預測，2024 年，HBM 在整個內存市場的份額將有約 2.5 倍的增長：也就是從 2023 年的 2% 增至今年的 5%。預計到 2025 年，HBM 的市場滲透率將佔整個內存市場的約 10%。

簡單回顧下 HBM 在英偉達 AI 加速卡中的作用：AI 加速卡（顯卡或 GPU）在封裝時，將多個 HBM（DARM）與 GPU 封裝在一起。

其中，HBM 位於 GPU 兩側，以堆疊方式排列，這些 HBM 相互之間以 TSV 方式連接，而 GPU 和 HBM 則通過 uBump 和 Interposer（起互聯功能的硅片）連通；之後，Interposer 再通過 Bump 和 Substrate（封裝基板）連通到 BALL；最 BGA BALL 連接到 PCB 上。

HBM 比 GDDR 節省約 94% 的表面積，每瓦帶寬比 GDDR5 高 300%+，也就是功耗降低 3 倍。

這種存儲器最初的設計目的，是為 GPU 提供更快速的數據傳輸速度和大容量的內存空間。在 AI 加速卡出現之前，HBM 的強悍性能缺乏必要的匹配場景，故而沒有市場。在 ChatGPT-3.5 出現後，AI 訓練和推理速度需求爆發，HBM 也找到了適合的市場空間。

由於此次興起的 AI 技術對數據傳輸速率有着極高要求，故而 HBM 具有的內存高帶寬技術特性也成為了 “香餑餑”，加上封裝時採用的異構集成路線（在減少物理空間佔用的同時，也方便在更靠近處理器的位置包含更多內存），大幅提高了內存訪問速率。

在採用了這些技術手段之後，導致的直接結果就是 HBM 內存接口更寬，下方互聯的觸點數量遠多於 DDR 內存連接到 CPU 的線路數量。因此，與傳統內存技術相比，HBM 具有更高帶寬、更多 I/O 數量、更低功耗和更小的物理尺寸。

目前，HBM 發展到了第五代的 HBM3E；此前為 HBM（第一代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）和 HBM3（第四代）。第六代的 HBM4 正在研發中，從 SK 海力士傳出的消息，該公司將在 2025 年下半年實現 HBM4 的量產，三星電子卻宣稱其將領先一步，於 2025 年上半年推出 HBM4。

HBM3E 的速率為 8Gbps：每秒能處理 1.225TB 數據。舉個例子：在 1 秒不到的時間內，就能下載一部 163 分鐘的全高清（Full-HD）電影（1TB）。三星電子已推出 12 層堆棧的 HBM3E，存儲容量高達 36GB。SK 海力士和美光科技也有同類產品，帶寬都超過了 1TB/s。

在全球範圍內，能生產這種存儲器的公司只有 SK 海力士、三星電子和美光科技。市佔率方面，SK 海力士目前佔據最大份額約 52.5%，三星電子約有 42.4% 市佔率，美光科技份額為 5.1%。

回到市場本身，據 TrendForce 預測，HBM 在今年，市場價值會佔 DRAM 總市場價值的 20%+，2025 年將躥升至 30%+。

AI 浪潮對 AI 加速卡的需求量，並沒有因為英偉達最新產品 Blackwell 的延遲推出而減弱。

作為本輪 AI 浪潮興起的最大受益方 SK 海力士，因為 HBM 產能的市場需求爆棚而不得不去減少 DDR5 的產能，原因是因為新的 HBM 生產線要求遠超標準 DRAM，故而需要更多時間。

另外有個消息也不樂觀，除了英偉達 AI 加速卡對 HBM 有極強的吞噬力，AMD 的 Versal 系列 FPGA 處理器也使用 HBM，所以這種高性能內存產品會更進一步短缺。