自從改名後，碳化硅龍頭快不行了？

昨天晚上朱晶老師，在朋友圈發了一段話。

她説：全網竟然沒有找到幾篇分析 Wolfspeed 今時今日跌下神壇的文章……那我真的要想到玄學了，他們確實是 21 年底從 Cree 改名 Wolfspeed 後市值一直往下掉，掉到原來的 2 折……

聽起來很殘酷，但是朱老師確實是句句大實話，我看了一眼，現在 Wolfspeed 的市值只剩 17 億多美金，3 年前最高峰的時候是 120 多億，差不多就真的只剩兩折了……

今天我還刷到一篇文章，叫《一手好牌打的稀爛：碳化硅晶圓巨頭 Wolfspeed 瀕臨破產》。

當然了，標題稍微誇張了一點，破產短期內不至於，但是長期來看，還真不好説！

不過原作者只是列舉了 Wolfspeed 的財務數據，比如 2024 年的 Q4 營收 2 億美金，略不及預期，虧損高達 1.74 億美金，每股虧 1.39 美金，超遠預期的 85 美分，全年虧損達到了 8.6 億美金，是整個費城半導體指數里表現最差的公司，累計下跌 69%。

説的都對，但是少了一點對於歷史的總結和未來的判斷，以及自己獨特見解，啓哥和別人最大的不同之處，就是我有我自己的思考，而且我能把我的思考過程和結論給你們整出來，今天就來聊聊 Wolfspeed，它怎麼就不行了？

起底 Wolfspeed 的歷史

三年前，還是炙手可熱的明星公司，碳化硅全球範圍內的龍頭公司，怎麼短短兩三年時間內就跌的褲衩都不剩？不知道的還以為是我大 A 的公司，當然了，二級市場的股價不能説明一切，也不能代表未來，AMD 當年還有至暗時刻呢，後面還不是鳳凰涅槃，王者歸來，一腳踩爆牙膏？

但是短期內這種看不到盡頭的一路下跌，還是很能説明一些問題的，畢竟資本市場用錢投票，這麼跌肯定是有什麼不對勁的地方。所以到底是碳化硅這個賽道不行了，還是僅僅是 Wolfspeed 不行了？還是有其他原因？

首先我們瞭解一下 Wolfspeed，Wolfspeed 前身叫 Cree，是一家成立於 1987 年的美國公司，1993 年在納斯達克上市。在以前，它也是全球最早做 LED 的公司。

在以前藍寶石上長氮化鎵的技術不成熟，所以早期 LED，特別是大功率的 LED 的襯底材料用的是碳化硅，因為碳化硅和氮化鎵的晶格適配性比較好，達到 95%，所以長出來的氮化鎵的外延層質量好所以就拿來做 LED。

Cree 的業務主要就是做碳化硅襯底，然後長氮化鎵外延層，賣 LED，做到後面就變成了我們看到的碳化硅全球龍頭！

在 2017 年的時候，全球功率半導體龍頭企業英飛凌曾經開價 8.5 億美金，收購 Cree 旗下公司 Wolfspeed Power&RF 部門，但是沒想到因為反壟斷的審查的原因被美國否了。有意思的來了，反過來英飛凌把自己旗下和 RF 相關的部分業務賣給了 Wolfspeed，於是 Wolfspeed 在一定程度上變成了全球化合物半導體應用領域的最強的公司。

在 2021 年，Cree 為了彰顯自己轉型的決心，不僅剝離了原來佔比三分之二的 LED 業務，同時把自己母公司的名字從 Cree 改成 Wolfspeed。

於是 Creed 搖身一變，從一個 LED 公司，逐漸演化成化合物半導體行業的龍頭公司，業務包括化合物材料製造，以及功率，射頻等方面的器件生產，設計和應用。

不得不説，在以前 Cree 在碳化硅行業深耕超過 30 年還是有很深厚的底藴，不過在以前這家公司一直是不温不火，反正每隔 5，6 年就有行業大佬出來喊碳化硅的時代馬上就要到來了，和現在喊硅光時代馬上就要到來了，差不多，漲一波然後就偃旗息鼓，沒下文了。

不過，一切的轉折點出現在 2018 年。

這一年，特斯拉在其電動汽車上首次嘗試了用碳化硅功率模塊來替代傳統的硅功率模塊，於是碳化硅跟着電動汽車產業瞬間火爆起來，也帶火了當年的 Cree。

自此碳化硅結束了叫好不叫座的局面，電動汽車給碳化硅這種材料找到了一絕佳應用場景，切切實實的打開了碳化硅實際應用。

在以前碳化硅僅僅是很小眾的產品，除了極少數大功率的射頻，功率，軍工相關，基本是看不到碳化硅有什麼實際產品的應用的，但是特斯拉的這一舉動直接顛覆了行業。

大家發現，碳化硅不僅功率密度大，同時它的耐高壓能力，過大電流能力，以及高温性能都特別優秀，同時又有減輕重量，減少體積，減少周邊配件優點，完美適配內部空間寸土寸金的電動汽車，同時雖然碳化硅價格昂貴，但是整車價值高，是能承受碳化硅的這一高價，商業邏輯完全打通！

於是在電動汽車上，碳化硅終於找到了自己最佳應用場景，並迅速火爆，當年碳化硅產能極其有限，Cree 作為全世界範圍內碳化硅襯底片，外延片最大的供應商，直接原地起飛！

來自中國同行的壓迫感

不能説現在 Wolfspeed 這副慘狀完全和中國同行沒關係，但是多少還點關係，沒辦法中國同行不要命的殺價打法，把 Wolfspeed 卷的哭爹喊娘。

十年前，2014 年當年諾貝爾物理學家頒發給了三位在藍光 LED 行業做出卓越貢獻的大佬，赤崎勇，天野浩，中村修二。

那些年，隨着 LED 行業概念的大火，帶火了一波 LED 公司股價，比如三安光電，在經歷過 2015 年股災後，到 2017 年，股價依然還能屢創新高，漲幅超過 200%。

所有人都沉浸在資本狂歡之中，只可惜大家都忘記了那句話。

“在中國人眼裏，技術掌握之後就一定被幹成白菜價，中國同行才叫同行，國外的都不算。”

LED 界的摩爾定律——海茲定律

和著名的 “摩爾定律” 一樣，LED 也有自己的行業發展規律，被稱為 “海茲定律”，即 LED 的價格每 10 年降為原來的 1/10，輸出流明則增加 20 倍。

因此 LED 發展的兩大要素是價格、性能，最終實現 LED 整體性價比的提升。不過令人失望的是，中國不顧一切地非理性殺價，令 LED 失去了方向。

2015 年，大尺寸藍寶石的長晶技術、圖形襯底 PSS 技術、濺射透明導電層的技術優化、反射電極結構優化，半導體自動化設備、以及 MOCVD 設備導入，LED 產業重心慢慢轉移到大陸。

2014 年 Cree 宣佈做出 303 流明瓦的技術之後，歐美日韓台的企業基本就沒聲音了，只剩中國大陸公司，而中國大陸對海茲定律貢獻，幾乎就是以犧牲利潤為主，通過不斷的殺價，來延長，而非像集成電路行業的摩爾定律那樣，是由技術來主導行業發展前行。

以前老外形容中國是 “價格屠夫”，但凡中國人會的東西，到最後一定是白菜價，從鋼鐵到玻璃、電解鋁，多晶硅、光伏等行業，一個個都變成產能過剩行業，這次輪到 LED 了。

中國大陸的技術上投入不多，但是在降成本上可以説花了很大的力氣。硅膠國產化導致膠水成本的急速降低；為了讓 LED 更亮，大膽的老闆不管 LED 壽命好不好用大電流過載來驅動燈珠，強行讓器件的電流密度高三倍；合金線，鍍鈀銅線的替代讓成本又降低了一定的比例。

有幾家知名公司，為了突破正裝極限，用料檢驗標準竟然以電流與面積比來測試，10mil*30mil 面積的芯片測試電流 300 毫安，如果電壓大於 3.4 伏特就是不合格，這樣的要求正裝芯片是很難達到的，它需要犧牲外延的結構來滿足，但是導致缺陷會更嚴重，所以這些公司的燈珠質量越來越差，價格越賣越爛，只能用產量來維持地位。

同樣除了 LED 之外，LED 產業鏈上下游，也是不斷擴產，試圖使用一輪輪的價格戰逼死競爭對手，自從 2012 年後中國掌握大尺寸藍寶石長晶技術後，4 英寸價格一路從上百元一路下滑到現在如今 20 塊一片，還不如一包老子的利羣煙的價格。MOCVD 當初高達 2000 多萬的設備，國產硬是做到低於 800 萬一台，相當於打了 4 折扣。

於是老外感嘆：世界上沒有什麼產業是中國人補貼搞不定的， 如果不行，那再加個零。

如果從行業角度而言，顯然中國這樣通過補貼，把一個高利潤的行業，活活砸成白菜價是不合適的。但是對整個社會而言，雖然補貼燒掉很多錢，但是 LED 被大量普及，普通家庭用的 LED 替代白熾燈節省的能源，還是相當可觀的，只是這一過程中，中國廠家只貢獻了低成本，技術並沒有多大提高。

補貼燒掉的錢是否是值得的，每個人都有自己的看法，灑家並不是太認可這一做法，至少我認為燒過頭了。

講道理，現在國內半導體行業也有過渡補貼的情況發生，歷史一直在重演而已。

過於激烈的競爭，導致目前行業生存太艱難，2018 後，很多中小公司已經消失，剩下的大公司日子也不太好過，別説國內了，國際巨頭也抽身上岸紛紛剝離通用照明業務，包括今天聊的 Wolfspeed，它頂不住壓力於是也把 LED 業務剝離了。

於是 Wolfspeed 走上轉型道路，從碳化硅，氮化鎵這種化合物半導體行業應用出發，從簡單的 LED， 轉型功率和射頻。

碳化硅的 68 英寸之爭

2022 年 4 月 25 日，Wolspeed 宣佈位於美國紐約州莫霍克谷的 8 英寸 SiC 製造工廠正式開業。這座工廠是全球首座且最大的 8 英寸 SiC 工廠，旨在滿足對 SiC 器件急劇增長的需求，特別是在汽車和工業應用中。

也就是説 2 年前 Wolfspeed 開始宣佈進入 8 英寸碳化硅時代，並且投入十多億美金的重金，基本屬於孤注一擲，不成功便成仁了。

自此碳化硅的 6/8 英寸之爭擺上枱面，到底是幹 6 英寸，還是直接幹 8 英寸？6 英寸材料公司和 FAB 線會不會被淘汰，什麼時候被淘汰？

確實國外大廠包括 Wolfspeed，英飛凌，安森美，X-FAB，搞碳化硅產線的清一色 8 英寸起步。

6 英寸到底還剩多少壽命，8 英寸有多大前景呢？

這個問題要這麼看。啓哥，始終秉持一條原則，商業的要按商業的規律來，成本始終要擺在最重要的一條去梳理產業邏輯。

為什麼現在國內多 6 英寸，而國外多上 8 英寸呢？

這個問題在和澎芯計老師那次直播中，計老師其實已經説的很明白了。

國內之所以還在搞 6 英寸碳化硅 FAB，是因為國內還有很多 6 英寸硅線資源，至少還有不少設備和碳化硅和硅是具備通用性的，比如光刻機尼康的 i11，i14 這種，量大管夠，但是你要找一台 8 英寸光刻機，這就非常困難了，同理清洗，量測，沉積等設備，總之 6 英寸硅線設備資源異常豐富，8 英寸的設備就稀缺多了。

雖然碳化硅還有自己專用的設備比如外延，刻蝕，注入，退火，PVD 等，必須上新設備，且國外大廠都是直接上 8 英寸的，6 英寸都是過渡型，實驗型設備，但是有些東西還是可以通過魔改硅設備降成本，你先別管它魔改 6 英寸設備到底和全新 8 英寸設備的效率差多少，良率差多少，只要能用，能流片，用起來再説！一邊用一邊改，反正有補貼。全用 8 英寸且不説貴，當下也沒看出強多少倍，講實話，有很多 8 英寸設備真不算成熟，盲目上 8 容易當小白鼠。

總之，8 英寸設備很貴，建廠成本比 6 英寸高多了。

這點像極了光伏的 Topcon 和 HJT 異質結路線之爭，

你看，老牌光伏企業都是偏 Topcon，新來的愣頭青都是幹 HJT，為什麼？還不是因為 Topcon 線可以在 prec 線通用性好麼，改造成本低……

所以事實情況還不是 Topcon 佔 7 成以上的大頭！

國外為什麼不搞 6，因為它們 6 英寸線都淘汰了，都沒資源了，這種情況下還搞 6 的幹嘛，不如直接上 8 了，畢竟 6 和 8 的面積比差不多是 1:1.77，優勢還是很明顯的，缺點是，8 英寸線建廠的成本比 6 英寸線貴了不知道多少倍，一個全是重金砸新設備，一個是省錢的縫縫補補再戰撒年，能比嗎？

所以這條就註定了，6 英寸上做 MOSFET 肯定比 8 英寸線做 MOSFET 成本低多 ，當然未來肯定是 8 英寸的天下，但是我個人認為，從商業第一邏輯成本上考慮，6 英寸線短期內不可能被 8 英寸淘汰且將長期存在，無他，成本優先。

8 英寸出路只能説做高端的 MOSFET，此外還得搞類似 Trench 結構，想盡一切辦法增加功率密度，減小芯片面積，增加單 wafer 上 die 的產出，才能賺錢。

所以這裏引出第二個話題，碳化硅 MOS 上的溝槽和平面的結構之爭。

目前全世界範圍內，在這個問題上分三派，平面 MOS 派如 Cree（Wolfspeed），以及國內絕大多數搞碳化硅的；溝槽派，主要就是羅姆，雙溝槽名聲在外，技術確實很屌，但是成本也不低，主要問題是碳化硅各向異性的問題，刻蝕形貌難度遠超硅，因為太硬了，所以刻蝕要上高能量的 CCP，ICP 是不夠看的。

第三個介於兩者之間，比如英飛凌，它的溝槽結構和羅姆不一樣，溝槽柵是帶角度的，4C，這派好像沒有準確的叫法，國內有個研究碳化硅的大哥，叫它們半包結構。

就目前而言，你單純從器件性能上講，肯定是溝槽結構好，但是溝槽和平面一比，工藝難度指數上升，溝槽工藝太過複雜，不好做。

當然在柵極可靠性問題上，溝槽結構還是很有優勢的，SiC-SiO2 界面和 Si-SiO2 的界面相比，差太多了。

也就是説如果要保持同等柵氧可靠性，平面與溝槽需同時使用同樣厚度的柵氧化層，平面型 MOS 面積要顯著大於溝槽柵；如果要保持相同的芯片面積，為了維持低導通電阻，平面型 MOS 需要更薄的柵極氧化層，但是柵氧應力高，可靠性變差。

所以當下各有千秋，不好説溝槽一定幹不過/乾的過平面，還是那句話，看應用，看客户，看場景，最終還是看成本。

計老師直播的時候也説了，看似平面似乎在溝槽面前缺點很多，但是工藝成熟，良率高，且技術路線遠遠沒有走到盡頭，還有很大潛力可以挖，那如果潛力挖起來了，是不是又能給 6 英寸 FAB 續命了？

講到這裏，我引出第三個不是問題的問題，也就是 6，8 英寸的襯底和外延片之爭。

6 英寸現在不用多説了，國內做做碳化硅 SBD，那種簡單的，垃圾一點的 6 英寸襯底，最低價格已經到 4000 元以內，質量好一點就拿來長外延做 MOS，也就 5000 不到，但是目前 8 英寸碳化硅襯底普遍 9000 以上。

也就是説 6/8 面積比是 1:1.77，但是成本是 1:2 以上，所以用 8 英寸明顯虧一點，當然了 8 英寸的最終可使用面積要大於 6，稍微彌補了一下面積成本比的缺點。

最最最關鍵是 6 英寸目前量大管夠，8 英寸國內剛開始建，襯底也沒啥產量，當然以後肯定有充足襯底產能，FAB 線都還沒蓋起來，問題來了，誰來當勇士？還是勇士沒當成當了烈士？兄弟們，這不是搞科研，這是搞生意，賺錢永遠是第一要素，你可以短期內不賺錢，但是長期不賺錢，這就肯定幹不下去了，就像現在 Wolfspeed 的艱難。

現在 Wolfspeed 就卡在這個節骨眼上，儘管它賬上還有 20 多億美金的現金，但是它一個季度也要虧上 6 億，這些錢支撐不了多久。

説完襯底説外延，6 英寸它可以不長 epi 就搞低端的 SBD，但是上 MOS，就必須得長 epi，現在 6 英寸的外延技術，自從國內搞來 LPE（注，這裏的 LPE 是一家意大利的設備公司，目前已經被 ASMi 收購了）的設備並且吃透之後，已經能國產化，且能做的很便宜了，國產現在幹到 500 萬以內一台了，技術方向叫水平氣流；

8 英寸 Epi 用水平技術也可以做，但是均勻性，一致性，極差，這種片子拿來做 MOS，特別是那種 3300V1200A 這種高端，能用有鬼！

所以 8 英寸高端 MOS 需要高端 Epi，技術路線叫垂直氣流路線，以日本紐弗萊為代表，缺點是這玩意兒極其昂貴，3000 多萬人民幣一台，有國產的幹到 2500 左右。

所以總結起來，就是從 6 英寸的襯底，到外延，到蓋 FAB，到產品線，就是便宜，產業成熟程度高，缺點是卷王太多，價格戰亂來，硬生生把一個高毛利的行業，弄成誰都賺不了錢，和隔壁光伏一毛一樣，這裏提一句，中環不行，所有同行都盼着中環倒下，然後給同行留口喘氣的空間。

8 英寸，襯底，外延，到蓋 FAB 的成本，到工藝難度，統統都是挑戰，國內產業成熟低，當然國外也不高，也就領先國內 1-2 年而已，所以這個問題就變成從 6 轉變 8 的過程，挑戰是什麼，挑戰成本要多少錢，多少年，誰當烈士，誰當勇士，誰吃肉，誰喝西北風的問題。

目前來看，我個人觀點，6 英寸碳化硅應該在相當長的時間內是主流，8 英寸看似很美好，但是實際上還有很多問題要解決，問題不解決，成本下不來，就註定是邊緣化，説好聽點那是詩和遠方，説難聽點就是還沒看到黎明的曙光就 G 了。

回到朱老師最初的靈魂拷問的問題上，Wolfspeed 怎麼就在短短兩三年內跌下神壇了？

Wolfspeed 尷尬就尷尬在這個地方，還沒有怎麼賺錢，還沒有完全掌握技術上壟斷地位（或者有技術代差被中國同行追很近很近了），還沒有掌握產能上的壟斷地位，已經感受到來自中國國內同行的死亡凝視。

從 LED 開始，到現在碳化硅功率半導體，Wolfspeed 的吹的牛一直沒有完全兑現，路也從沒走順過。

本文作者：陳啓，來源：啓哥有何妙計，原文標題：《自從改名後，碳化硅龍頭快不行了？》