<p>新聞: 供應商</p>
<p>總部位於東京的信越化學株式會社已經研發出了一款 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板，並最近開始提供樣品。</p>
<p>由美國加利福尼亞州聖克拉拉的 Qromis 公司開發的 QST（Qromis 基板技術）專門用於 GaN 外延生長，並於 2019 年授權給了信越化學。信越化學此後已經銷售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）的 QST 基板以及相應直徑的 GaN-on-QST 外延基板。與此同時，為了滿足客户需求，該公司致力於進一步增加直徑，並研發了 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板。</p>
<p>儘管 GaN 器件製造商可以利用現有的硅生產線進行 GaN 生長，但由於缺乏適合 GaN 生長的大直徑基板，他們無法從材料直徑的增加中受益，信越化學指出。據稱，新的 300 毫米 QST 基板可以實現 GaN 外延生長而不會出現翹曲或裂縫（這在硅基板上是無法實現的），從而顯著降低器件成本。除了正在進行的 150 毫米和 200 毫米 QST 基板設施的增強外，信越化學還在着手大規模生產 300 毫米 QST 基板。</p>
<p>由於 QST 基板與 GaN 具有相同的熱膨脹係數，可以約束 SEMI 標準厚度的 QST 基板上 GaN 外延層的翹曲和裂縫。這種基板材料可以實現大直徑高質量和厚度的 GaN 外延生長。信越化學表示，許多客户正在評估 QST 基板和 GaN-on-QST 外延基板用於功率器件、高頻器件和 LED。儘管商業環境具有挑戰性，但客户已經進入開發階段，以應對近期對包括數據中心電源在內的功率器件日益增加的興趣。</p>
<p>該公司認為，將 300 毫米 QST 基板加入 150 毫米和 200 毫米產品線可以顯著加速 GaN 器件的推廣。</p>
<p>信越化學在 2024 年 9 月 4 日至 6 日於台灣台北舉辦的 SEMICON TAIWAN 2024 展會上展示了 300 毫米 QST 基板。</p>
<p>OKI 在信越的 QST 基板上開發了 GaN 剝離/鍵合技術</p>
<p>信越化學推出用於 GaN 功率器件生長的 QST 基板</p>
<p>信越化學獲得 Qromis 的 GaN 基板技術許可</p>
<p>信越化學 GaN-on-Si</p>
<p>www.semicontaiwan.org</p>
<p>www.shinetsu.co.jp</p>

NVTS

TGAN

<p>新日本化學公司已經研發出一種面向增強氮化鎵外延生長的 300 毫米 QST 襯底，並最近提供了樣品。這種襯底解決了氮化鎵器件製造商對更大襯底的關鍵需求，以降低成本並避免翹曲。這種 300 毫米 QST 襯底與現有硅線兼容，可實現高質量的厚氮化鎵生長。新日本化學公司正在擴大其 QST 襯底生產，並在 2024 年的 SEMICON TAIWAN 展會上展示了這一新進展。這一進步可能會顯著推動氮化鎵器件在各種應用中的採用</p>

<p>News: Suppliers</p>
<div class="lb-trans"><p>新聞: 供應商</p>
</div><p>Tokyo-based Shin-Etsu Chemical Co Ltd has created a 300mm (12-inch) QST substrate, and recently started supplying samples.</p>
<div class="lb-trans"><p>總部位於東京的信越化學株式會社已經研發出了一款 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板，並最近開始提供樣品。</p>
</div><p>Developed by Qromis Inc of Santa Clara, CA, USA, QST (Qromis Substrate Technology) is dedicated to GaN epitaxial growth and was licensed to Shin-Etsu Chemical in 2019. Shin-Etsu Chemical has since sold 150mm (6-inch) and 200mm (8-inch) QST substrates and GaN-on-QST epitaxial substrates of each diameter. Meanwhile, in response to customer demand, the firm worked on further increasing the diameter and developed a 300mm (12-inch) QST substrate.</p>
<div class="lb-trans"><p>由美國加利福尼亞州聖克拉拉的 Qromis 公司開發的 QST（Qromis 基板技術）專門用於 GaN 外延生長，並於 2019 年授權給了信越化學。信越化學此後已經銷售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）的 QST 基板以及相應直徑的 GaN-on-QST 外延基板。與此同時，為了滿足客户需求，該公司致力於進一步增加直徑，並研發了 300 毫米（12 英寸）的 QST 基板。</p>
</div><p>GaN device manufacturers cannot benefit from increasing the diameter of materials because of the lack of a large-diameter substrate suitable for GaN growth, despite the fact that they can use existing silicon production lines for GaN, notes Shin-Etsu Chemical. The new 300mm QST substrate is said to enable GaN epitaxial growth without warping or cracks (which was unattainable on silicon substrates), significantly reducing device costs. In addition to the enhancement of facilities for 150mm and 200mm QST substrates already in progress, Shin-Etsu Chemical is working on mass-producing 300mm QST substrates.</p>
<div class="lb-trans"><p>儘管 GaN 器件製造商可以利用現有的硅生產線進行 GaN 生長，但由於缺乏適合 GaN 生長的大直徑基板，他們無法從材料直徑的增加中受益，信越化學指出。據稱，新的 300 毫米 QST 基板可以實現 GaN 外延生長而不會出現翹曲或裂縫（這在硅基板上是無法實現的），從而顯著降低器件成本。除了正在進行的 150 毫米和 200 毫米 QST 基板設施的增強外，信越化學還在着手大規模生產 300 毫米 QST 基板。</p>
</div><p>Since QST substrates have the same coefficient of thermal expansion as that of GaN, it is possible to constrain warping and cracks of GaN epitaxial layer on QST substrate of the SEMI standard thickness. This substrate material allows for high-quality and thick GaN epitaxial growth with a large diameter. Leveraging this feature, many customers are evaluating QST substrates and GaN-on-QST epitaxial substrates for power devices, high-frequency devices, and LEDs, says Shin-Etsu Chemical. Despite the challenging business environment, customers have entered the development phase to address the recently increasing interest in power devices, including power supplies for data centers.</p>
<div class="lb-trans"><p>由於 QST 基板與 GaN 具有相同的熱膨脹係數，可以約束 SEMI 標準厚度的 QST 基板上 GaN 外延層的翹曲和裂縫。這種基板材料可以實現大直徑高質量和厚度的 GaN 外延生長。信越化學表示，許多客户正在評估 QST 基板和 GaN-on-QST 外延基板用於功率器件、高頻器件和 LED。儘管商業環境具有挑戰性，但客户已經進入開發階段，以應對近期對包括數據中心電源在內的功率器件日益增加的興趣。</p>
</div><p>The addition of the 300mm QST substrate to the 150mm and 200mm lineup can significantly accelerate the spread of GaN devices, reckons the firm.</p>
<div class="lb-trans"><p>該公司認為，將 300 毫米 QST 基板加入 150 毫米和 200 毫米產品線可以顯著加速 GaN 器件的推廣。</p>
</div><p>Shin-Etsu Chemical exhibited the 300mm QST substrate at SEMICON TAIWAN 2024 in Taipei, Taiwan (4–6 September).</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化學在 2024 年 9 月 4 日至 6 日於台灣台北舉辦的 SEMICON TAIWAN 2024 展會上展示了 300 毫米 QST 基板。</p>
</div><p>OKI develops GaN lifting-off/bonding technology on Shin-Etsu’s QST substrates</p>
<div class="lb-trans"><p>OKI 在信越的 QST 基板上開發了 GaN 剝離/鍵合技術</p>
</div><p>Shin-Etsu Chemical launches QST substrates for GaN power device growth</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化學推出用於 GaN 功率器件生長的 QST 基板</p>
</div><p>Shin-Etsu licenses Qromis’ GaN substrate technology</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化學獲得 Qromis 的 GaN 基板技術許可</p>
</div><p>Shin-Etsu Chemical GaN-on-Si</p>
<div class="lb-trans"><p>信越化學 GaN-on-Si</p>
</div><p>www.semicontaiwan.org</p>
<div class="lb-trans"><p>www.semicontaiwan.org</p>
</div><p>www.shinetsu.co.jp</p>
<div class="lb-trans"><p>www.shinetsu.co.jp</p>
</div>

信越化學將開發用於 300 毫米氮化鎵（GaN）的 QST 基板