<div id="readability-page-1">據報道，台積電在 2nm 製程節點上取得了重大突破，將首次引入 Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管技術。N2 工藝還結合了 NanoFlex 技術，為芯片設計人員提供了前所未有的標準元件靈活性。相較於當前的 N3E 工藝，N2 工藝預計將在相同功率下實現 10% 至 15% 的性能提升，或在相同頻率下將功耗降低 25% 至 30%。更令人矚目的是，晶體管密度將提升 15%，這標誌着台積電在半導體技術領域的又一次飛躍。據報道，台積電每片 300mm 的 2nm 晶圓的價格可能超過 3 萬美元，高於之前預期的 2.5 萬美元。相比之下，目前 3nm 晶圓的價格大概在 1.85 萬至 2 萬美元，而 4/5nm 晶圓的價格在 1.5 到 1.6 萬美元之間。</div>

台積電

<p>台積電的 2nm 工藝將繼續漲價，每片晶圓價格預計超過 3 萬美元，是 4/5nm 工藝的兩倍。該工藝引入了 GAAFET 晶體管技術，結合 NanoFlex 技術，預計在相同功率下性能提升 10% 至 15%，或在相同頻率下功耗降低 25% 至 30%。晶體管密度提升 15%，標誌着台積電在半導體技術領域的重大突破。</p>

- 台積電在 2nm 製程節點上引入 GAAFET 技術，取得重大突破。  
- N2 工藝預計在相同功率下性能提升 10% 至 15%，功耗降低 25% 至 30%。  
- 每片 300mm 的 2nm 晶圓價格可能超過 3 萬美元，高於預期的 2.5 萬美元。  

台積電 2nm 工藝將繼續漲價：每片晶圓超 3 萬美元 為 4/5nm 兩倍

台積電 2nm 工藝將繼續漲價：每片晶圓超 3 萬美元為 4/5nm 兩倍