智通財經 APP 獲悉，TechInsights 平台上最新發布了 T1-2025 DRAM 視頻簡報。該視頻簡報提供了 DRAM 技術的詳細信息、路線圖更新、趨勢、比較以及前景展望。D1a 和 D1b 是市場上的主流產品。到 2027 年底，TechInsights 預計 DRAM 將邁入個位數納米技術節點，如 D0a，隨後將是 0b 和 0c 世代。2025 年第一季度，市場上將首次推出 D1c 的一小部分產品，首先由 SK 海力士推出。D1c 世代將在 2026 年和 2027 年佔據主導地位，包括 HBM4 DRAM 應用。從市場角度看，HBM 產品，尤其是 HBM3 和 HBM3E，性能卓越但目前價格高昂，而傳統產品如 LPDDR5 和 DDR5 器件則價格較低且性能相對較弱。未來 AI 和數據中心將需要更高的單個裸晶的內存容量，例如 32 Gb、48 Gb 或 64 Gb 芯片，但目前市場上主流仍是 16 Gb 裸晶。在更高密度的 DRAM 芯片中，應開發 3D DRAM 架構，如 4F2 垂直溝道晶體管 (VCT) 單元、IGZO DRAM 單元或 3D 堆疊 DRAM 單元，並在 10 納米以下級別節點（個位數節點）實現產品化，尤其是三星、SK 海力士和美光等主要廠商，作為下一代 DRAM 縮放的候選方案。

三星電子

美光科技

TechInsights 預計到 2027 年底，DRAM 將邁入個位數納米技術節點，主要產品包括 D1a 和 D1b。2025 年第一季度，SK 海力士將推出 D1c 產品，預計 D1c 將在 2026 年和 2027 年主導市場。未來 AI 和數據中心對內存容量的需求將增加，需開發更高密度的 3D DRAM 架構。

- TechInsights 發佈 T1-2025 DRAM 視頻簡報，涵蓋技術和市場趨勢。  
- 預計到 2027 年，DRAM 將進入個位數納米技術節點，D1c 產品將於 2025 年推出。  
- AI 和數據中心需求推動更高內存容量，3D DRAM 架構將是未來發展方向。  

TechInsights：2027 年底 DRAM 預計將邁入個位數納米技術節點