今日，存儲芯片正式開始漲價浪潮。
自此，存儲市場長達多半年的低迷態勢，終於迎來轉折。
存儲芯片的兩大主力產品 NAND 與 DRAM，在新一季度的市場表現也各不相同。
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<h2> 01 NAND，開始漲價</h2>
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打響漲價第一槍的是 NAND 存儲大廠閃迪，其表示將於4 月 1 日開始實施漲價，漲幅將超 10%，該舉措適用於所有面向渠道和消費類產品。
緊接着美光也告知將針對新訂單提高價格，平均漲幅約 11%。3 月 25 日，美光直接發佈漲價函，預計此次漲價幅度將在 10%~15%。
之後，SK 海力士、三星相繼宣佈將於4 月同步上調 NAND 閃存價格。
根據渠道反饋，國產存儲公司的零售品牌致態宣佈，將於 4 月起上調提貨價格，漲幅可能超過 10%。
一系列消息接踵而至，在業內引起軒然大波。
新一季度，NAND 芯片價格出現反彈，這主要歸功於各大 NAND 龍頭果斷且迅速地調整減產措施。
隨着 2024 年 NAND 產品價格走勢疲軟，為提早應對市場供過於求問題，美光、三星、SK 海力士、鎧俠等原廠陸續從 2024 年第 4 季重啓減產措施，藉此阻止 NAND 價格的下跌趨勢。
今年 1 月，美光新加坡 NAND 廠突發斷電，導致 NAND 供貨吃緊。羣聯科技執行長潘健成亦透露，雖從 2024 年 12 月已向美光下單採購，但近期卻意外發生交貨不足的問題。三星電子和 SK 海力士兩大韓廠的減產措施也在持續發酵，其中三星在 3 月的交貨量僅有原先訂單的 20-25%。
其實，早在上個月，現貨市場的動向就透出了一些不尋常的信號。
CFM 的報價顯示，小容量的 eMMC 以及一些 SSD 產品的價格已悄然上升，個別渠道也開始了漲價的試探性動作。
TrendForce 近日發佈報告稱，預計 2025 年第二季 NAND Flash 價格將止跌回穩，環比增加 0-5%。其中 Client SSD 合約價將季增 3%-8%；Enterprise SSD 合約價將持平第一季；eMMC 合約價將與上季持平。NAND Flash Wafer 合約價將季增 10%-15%。
疊加上述存儲龍頭的最新漲價動作，市場上已經有人嗅到這一商機，開始囤積 SSD 了，盼着在 NAND 價格飆升之際大賺一筆。
<h2> 02 DRAM，跌幅收斂</h2>
再看 DRAM 市場在今年第二季度的價格走向。
先説結論，儘管 DRAM 市場還沒有明確的漲價聲音傳出，但可以確定的是，第二季度 DRAM 市場價格跌幅將同步收斂。一般型 DRAM 價格跌幅將收斂至季減 0%-5%，若納入 HBM 計算，受惠於 HBM3e 12hi 逐漸放量，預計均價為季增 3%-8%。
具體數據方面：
在 PC DRAM 領域，DDR4 價格走勢偏弱，環比下降 3%-8%；DDR5 價格環比基本持平。
在Server DRAM領域，DDR4 跌幅低於市場預期，環比下降 3%-8%；DDR5 價格也環比基本持平。
在Mobile DRAM領域，LPDDR4X 跌幅將收斂至季減 0%-5%；LPDDR5X 價格將季增 0%-5%。
在Graphics DRAM領域，GDDR6 跌勢將收斂至 3%-8%；GDDR7 價格將持平上季或緩跌，約下降 0%-5%。
在Consumer DRAM領域，DDR3 合約價環比持平，DDR4 合約價季增 0%-5%。
綜合來看，DRAM 的價格還未來到正向增長區間。DRR5 的合約價格大約是從今年 2 月起持續上漲，LPDDR5X 的價格也相對穩健，但 DDR4、DDR3、GDDR6 等產品還在給存儲市場 “拖後腿”。
近日有研究機構對 8 家相關企業進行採訪後發現，很多觀點認為 “對賣家來説，沒有能夠替代中國的市場，再加上受到低價的中國產品影響，價格正在下降”。關於接下來的 DRAM 價格，企業認為可能要到下半年才會上漲的觀點居多。
<h2> 03 HBM，市場暴漲 880%</h2>
近日，SK 海力士表示未來 AI 內存的需求前景光明。
預計今年 HBM 在 SK 海力士 DRAM 總銷售額中的佔比將超過 50%。SK 海力士 CEO 兼總裁
郭魯正表示：“大型科技公司正在擴大投資，以確保在人工智能市場的領導地位。由於圖形處理單元 (GPU) 和定製芯片 (ASIC) 的增加，我們預計 HBM 的需求將出現爆炸式增長。” 他補充道，“今年的 HBM 市場預計將比 2023 年增長 8.8 倍以上，另一種 AI 存儲器企業固態硬盤 (SSD) 市場預計也將增長 3.5 倍”。此外，對於 ‘DeepSeek 衝擊’，他持樂觀態度，並表示，如果各種 AI 生態系統被激活，將有助於在中長期內增加（對 HBM 的）需求”。
為了繼續引領 AI 市場，SK 海力士還將繼續準備 CXL 等下一代技術和產品。郭魯正表示：“除了 HBM 以外，我們還準備了 CXL、LPCAMM2、SOCAMM 等多種解決方案，從而不僅僅作為 AI 內存供應商，還能提供綜合解決方案。”
<h2> 04 國產存儲廠商，蓄勢待發</h2>
如果説，以前的存儲市場主要被國際廠商所包攬，如今國產廠商的強勢出擊，硬生生把這一格局，撕開一道大口子。
在三星和 SK 海力士對華出口的存儲產品組合中，三星主要向中國供應 LPDDR、NAND Flash、圖像傳感器和顯示驅動器 IC 等。SK 海力士則專注於 DRAM 和 NAND 產品的生產和銷售。
從去年開始，隨着國產廠商競爭加劇，DDR3 和 DDR4 內存收益下滑，三星、SK 海力士、美光便在中國大陸的這一市場中逐漸淡出。
預計從今年夏季開始，由於這些主要廠商的退出，市場上 DDR3 和 DDR4 的供應將顯著減少。而這些需求的承接方，正是大批國產存儲芯片公司。
因此，在存儲市場復甦之際，國產廠商有望迎來新的機遇。
從國內市場來看，國產 NAND 產品近期漲價基本已成事實。
近日，一家國內存儲模組廠商負責人表示，今年所有存儲芯片原廠的價格都在漲。幾家存儲芯片原廠的報價，在同一時期內都會比較接近，差異不會很大。其中，“小容量 NAND 是這一輪漲價裏最先有反應的品類，也是最早反彈的品種”。
目前存儲芯片製造商轉向大容量 NAND 生產，小容量 eMMC 等產品製造轉由模組廠商承擔，受原廠晶圓定價影響。比如佰維存儲、江波龍等模組廠商均基於原廠 NAND 推出 eMMC 產品。
因此，在小容量市場復甦之際，這兩家公司將同步受益。
佰維存儲在接受 23 家機構調研時表示，在嵌入式存儲領域，公司 BGASSD 已通過 Google 准入供應商名單認證；在 PC 存儲領域，公司 SSD 產品目前已經進入聯想、宏碁、惠普、同方等國內外知名 PC 廠商，此前佰維存儲就表示，其旗下 SP406/416 系列企業級 PCIe4.0 SSD、SS621 系列企業級 SATA SSD，與聯想服務器完成兼容性測試並獲認證，強化企業級市場佈局。
技術研發層面，3 月初，佰維存儲宣佈，其自研的 eMMC 主控芯片 SP1800 已完成批量驗證支持 QLC 顆粒並針對智能穿戴設備優化功耗，同時具備端到端數據保護能力，適用於車規級應用場景。
據悉，2024 年，佰維存儲智能穿戴存儲業務收入同比大幅增長，2025 年將深化與 Meta 等客户在 AI 眼鏡領域的合作。
江波龍近日正式向香港聯交所遞交了發行境外上市外資股（H 股），並在香港聯交所主板掛牌上市的申請。目前，江波龍在產品佈局上持續發力，其首顆 32Gbit 2D MLC NAND 完成流片驗證，覆蓋 SLC/MLC 多容量產品，適用於網絡通信、安防監控等領域。該公司目前擁有嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲和內存條四大產品線，經營三個主要品牌，分別是 FORESEE、Zilia、雷克沙。
其次，目前國內多家芯片廠商佈局 NAND 存儲芯片。包括兆易創新、東芯股份、江波龍等。不過，兆易創新、東芯股份 NAND 產品均為 2D SLC NAND。而本輪 NAND 漲價主要以 3D NAND 產品為主，而 2D NAND 今年價格始終平穩，未見明顯價格拐點。
DRAM 方面，北京君正於投資者互動平台表示，公司正在積極推進 DRAM 產品的更新迭代，採用 20nm 工藝的新產品預計將在 2025 年推出樣品，後續還將陸續推出更新工藝的 DRAM 產品。此外，北京君正還計劃在 20nm 工藝產品之後，繼續推進更先進工藝的 DRAM 產品研發。
<h2> 05 存儲龍頭，期待回春</h2>
在剛剛過去的第一季度，存儲巨頭們過的可並不算如意。
美光：存儲業務營收狂跌 20%
近日，美光發佈了截至 2025 年 2 月 27 日的 2025 財年第二財季財報，儘管在這一季度中美光實現營收 80.5 億美元，同比增長 38%。但單拎出來其存儲業務部門（SBU）看，可以發現美光也面臨着存儲市場逆風的壓力。
財報顯示，美光 SBU 營收 14 億美元，環比下降 20%。
三星、SK 海力士：對華出口暴跌
2024 年，韓國芯片出口總額高達 1330 億美元，其中近四成來自中國訂單。
去年，三星和 SK 海力士這兩家公司依託中國《推動大規模設備更新和消費品以舊換新行動方案》相關舉措，在華銷售額實現大幅增長。
三星電子 3 月 12 日公佈的業務報告顯示，公司去年對華出口額同比增加 53.9%，為 64.9275 萬億韓元，超過對美出口額 61.3533 萬億韓元。在公司對華出口額中，芯片銷售佔絕大部分。另據三星電子審計報告數據，公司在中國西安的 NAND 工廠（銷售額 11.1802 萬億韓元，營業利潤 1.1954 萬億韓元）和上海的半導體銷售分公司（銷售額 30.0684 萬億韓元）去年銷售額也大幅提升。
SK 海力士同樣在中國市場取得了穩健增長。其無錫 DRAM 工廠去年不僅成功扭虧為盈，營業利潤達到 5985 億韓元，銷售額也同比增長 64.3%，淨利潤同比大增 65.4%。SK 海力士在中國的銷售額為 5.6 萬億韓元，較前年有所增加。
暴漲之後，在 2025 年開年，形勢急轉直下。
最新數據顯示，今年一月，韓國對華芯片出口暴跌 22.5%，2 月跌幅擴大至驚人的 31.8%。行業預測，3 月跌幅可能突破 30%，芯片出口量或將創十年新低。
&#34;以前是訂單接到手軟，現在倉庫堆滿芯片賣不出去。&#34;韓國半導體行業人士近日感嘆，這個曾憑藉存儲芯片傲視全球的產業，正經歷着前所未有的寒冬。
三星、美光、SK 海力士等廠商此前已經退出 SLC NAND Flash 市場。出於成本效率因素考慮，市場預計後續海外存儲原廠可能逐漸退出 MLC NAND Flash 市場。隨着國際巨頭的逐漸淡出，國產存儲公司的發揮空間便更大了。
隨着三大存儲龍頭逐步轉向附加值更高的 HBM、DDR5 等領域。上個月，SK 海力士宣佈推出面向 AI 的超高性能 DRAM 新產品 12 層（12Hi）HBM4 內存，並在全球率先向主要客户出樣了 12Hi HBM4。
AI 大模型訓練催生海量算力需求，HBM 在 DRAM 市場的佔比已近 30%，預計到 2026 年 HBM4 將推動定製化需求爆發。英偉達、AMD 的新品發佈週期，與三星、SK 海力士的技術迭代形成共振，在此背景下，國際存儲龍頭便可在存儲市場的復甦浪潮中享受更為豐厚的紅利。
本文作者：豐寧，來源：半導體產業縱橫，原文標題：《存儲芯片，正式漲價》<div>風險提示及免責條款</div>
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今日，存儲芯片正式開始漲價，結束了長達多半年的低迷。NAND 存儲大廠閃迪宣佈自 4 月 1 日起漲價超 10%，美光也將提高新訂單價格約 11%。SK 海力士、三星等也將同步上調價格。由於減產措施的實施，NAND 芯片價格出現反彈，預計 2025 年第二季價格將止跌回穩。

- 存儲芯片市場開始漲價，NAND 和 DRAM 產品表現各異。  
- NAND 產品漲價幅度超 10%，主要因減產措施和供貨緊張。  
- DRAM 市場價格跌幅收斂，預計下半年可能上漲。  