<p>要了解過去一個月在複合半導體和先進硅材料及設備方面的所有關鍵商業和技術發展，請訂閲《半導體今日》雜誌。</p>
<p>今天發佈且免費，《半導體今日》的最新一期涵蓋了砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化物、碳化硅（SiC）、鍺硅（SiGe）及其他複合半導體材料的最新動態。該雜誌還涵蓋了這些材料所支持的設備和應用。</p>
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<ul>
<li>降低 L 波段量子點激光二極管的閾值</li>
<li>GaN HEMT 在 2.45GHz 時達到 85.2% 的 PAE 記錄</li>
<li>首個後處理的金剛石在 GaN HEMT 上</li>
<li>通過 p-氧化物增強 GaN 二極管性能</li>
<li>AlGaN 肖特基勢壘二極管的 ALE 表面處理</li>
<li>東芝和全球電力技術加速 SiC 功率器件專利申請</li>
<li>基於 2D 半導體 FET 的 RISC 處理器</li>
</ul>
<p>此外，還有來自以下組織的新聞：III-V Epi、A*STAR、Aeluma、Aixtron、AlixLabs、Altum RF、ams Osram、AquiSense、Beneq、BluGlass、Busch、CEA-Leti、CISSOID、CSA Catapult、Finwave、Fraunhofer IAF、Gelest、imec、Indium Corp、Infineon、InnoScience、KLA、Midsummer、Navitas、Nexperia、Nichia、Nimy Resources、Nitride Global、NUBURU、Pfeiffer Vacuum+Fab Solutions、POET、Porotech、Polar Light Technologies、雷神、Riber、ROHM、Scintil Photonics、Semikron Danfoss、首爾半導體、Skyworks、SMA Solar Technology、SuperLight Photonics、Thorlabs、東芝、Uviquity、Veeco、Viper RF、VueReal、Wolfspeed 等更多信息。</p>
<p>如果您的公司是複合半導體晶圓和設備製造的設備、材料或服務供應商，並且您參與這些產品的營銷，請查看《半導體今日》的 2025 年媒體工具包。</p>
<p>《半導體今日》對所有人免費開放。要了解更多信息並訂閲，請訪問：免費訂閲。</p>

DIOD

<p>最新一期的《半導體今日》雜誌現已免費提供，涵蓋了化合物半導體和先進硅材料的關鍵發展。亮點包括砷化鎵、磷化銦和碳化硅的進展，以及來自半導體行業各個組織的新聞。本期內容涉及量子點激光二極管、氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）性能以及碳化硅功率器件的專利申請。參與半導體制造的公司可以獲取 2025 年媒體工具包，以尋找營銷機會</p>

<p>For coverage of all the key business and technology developments in compound semiconductors and advanced silicon materials and devices over the last month, subscribe to Semiconductor Today magazine.</p>
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</div><p>Published today and free of charge, Semiconductor Today’s latest issue covers all that is new in gallium arsenide (GaAs), indium phosphide (InP), nitrides, silicon carbide (SiC), silicon germanium (SiGe) and other compound semiconductor materials. The magazine also covers the devices and applications that these materials enable.</p>
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</div><ul>
<li>Reducing thresholds for L-band quantum dot lasers diodes</li>
<li>GaN HEMT hits 85.2% PAE record at 2.45GHz</li>
<li>First post-process diamond on GaN HEMT</li>
<li>Enhancing GaN diode performance with p-oxides</li>
<li>ALE surface treatment for AlGaN Schottky barrier diodes</li>
<li>Toshiba and Global Power Technology accelerate SiC power device patent filings</li>
<li>RISC processor based on 2D semiconductor FETs</li>
</ul>
<div class="lb-trans"><ul>
<li>降低 L 波段量子點激光二極管的閾值</li>
<li>GaN HEMT 在 2.45GHz 時達到 85.2% 的 PAE 記錄</li>
<li>首個後處理的金剛石在 GaN HEMT 上</li>
<li>通過 p-氧化物增強 GaN 二極管性能</li>
<li>AlGaN 肖特基勢壘二極管的 ALE 表面處理</li>
<li>東芝和全球電力技術加速 SiC 功率器件專利申請</li>
<li>基於 2D 半導體 FET 的 RISC 處理器</li>
</ul>
</div><p>Plus, there's the news from organisations such as: III-V Epi, A*STAR, Aeluma, Aixtron, AlixLabs, Altum RF, ams Osram, AquiSense, Beneq, BluGlass, Busch, CEA-Leti, CISSOID, CSA Catapult, Finwave, Fraunhofer IAF, Gelest, imec, Indium Corp, Infineon, InnoScience, KLA, Midsummer, Navitas, Nexperia, Nichia, Nimy Resources, Nitride Global, NUBURU, Pfeiffer Vacuum+Fab Solutions, POET, Porotech, Polar Light Technologies, Raytheon, Riber, ROHM, Scintil Photonics, Semikron Danfoss, Seoul Semiconductor, Skyworks, SMA Solar Technology, SuperLight Photonics, Thorlabs, Toshiba, Uviquity, Veeco, Viper RF, VueReal, Wolfspeed, and much more.</p>
<div class="lb-trans"><p>此外，還有來自以下組織的新聞：III-V Epi、A*STAR、Aeluma、Aixtron、AlixLabs、Altum RF、ams Osram、AquiSense、Beneq、BluGlass、Busch、CEA-Leti、CISSOID、CSA Catapult、Finwave、Fraunhofer IAF、Gelest、imec、Indium Corp、Infineon、InnoScience、KLA、Midsummer、Navitas、Nexperia、Nichia、Nimy Resources、Nitride Global、NUBURU、Pfeiffer Vacuum+Fab Solutions、POET、Porotech、Polar Light Technologies、雷神、Riber、ROHM、Scintil Photonics、Semikron Danfoss、首爾半導體、Skyworks、SMA Solar Technology、SuperLight Photonics、Thorlabs、東芝、Uviquity、Veeco、Viper RF、VueReal、Wolfspeed 等更多信息。</p>
</div><p>If your company is a supplier of equipment, materials, or services for the manufacture of compound semiconductor wafers and devices, and you are involved in marketing those products, then please seeSemiconductor Today's 2025 Media Kit.</p>
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