作者：周源/華爾街見聞2025 年第一季度，全球 DRAM 市場迎來自 1992 年三星電子確立行業領導地位以來，最重大的格局變動。根據市場研究機構 Omdia 統計數據，SK 海力士以 36.9% 的市佔率首次超越三星電子（34.4%），成為全球最大 DRAM 供應商。儘管第一季度全球 DRAM 銷售額因合同價格下跌、以及 HBM 出貨量下降，導致環比減少 9% 至 263.3 億美元，但 SK 海力士憑藉 97.2 億美元的營收表現逆勢上揚，而三星電子營收則同比下滑 19% 至 91 億美元。這一結果不僅終結了三星持續 33 年的市場壟斷，更標誌着 AI 驅動下的存儲技術迭代，正在重塑行業競爭邏輯。高帶寬內存（HBM）成為此次市場格局變化的核心變量。SK 海力士通過長期技術積累，在 HBM3E 領域建立起顯著優勢；第五代 HBM3E 產品採用 12 層堆疊技術，帶寬達到 1.2TB/s，單顆容量最高 36GB，主要供應英偉達 H200、B200 等 AI 加速卡。憑藉在 TSV（硅通孔）封裝技術上的先發優勢，SK 海力士自 2009 年起持續投入研發，構建了從設計、量產到測試的完整技術體系。目前，SK 海力士 HBM 產品已佔據全球市場主要份額，尤其在 HBM3 細分領域佔比超過 90%。相比之下，三星因 HBM3E 技術不過關（長時間無法通過英偉達測試）導致高單價產品出貨量驟減，直接拖累整體營收表現。在傳統 DRAM 領域，SK 海力士通過 1b nm（1α納米）製程技術的快速量產，實現了性能與成本的優化平衡。海力士 1b nm DDR5 產品能效比相比上一代提升 20%，支撐了在服務器和 PC 市場的份額擴張；三星在 1a nm 製程的良率提升上遭遇瓶頸，導致高端 DDR5 產品供應不足，被迫將部分產能轉向成熟製程，進一步削弱市場競爭力。生成式 AI 模型的參數規模呈指數級擴張，對存儲帶寬和容量提出了嚴苛要求。以英偉達 H100 GPU 為例，需配置 640GB HBM3E 和 2TB DDR5 內存，而訓練 GPT-5 級別的模型更需 EB 級存儲支持。SK 海力士通過與英偉達的深度綁定，在 AI 服務器市場佔據超過 70% 的份額，其 HBM3E 產品已被微軟 “星際之門”、谷歌 Gemini 等超大規模 AI 項目採用。HBM 生產高度依賴先進封裝技術，其中 TSV 和微凸塊（μBump）工藝佔據關鍵地位。SK 海力士通過自研 MR-MUF（金屬擴散阻擋層）技術，將 HBM3E 的堆疊層數，從 8 層提升至 12 層，同時良率表現較好。台積電作為其主要封裝合作伙伴，已將 CoWoS 產能的 70% 分配給 SK 海力士，確保了 HBM3E 的穩定供應。三星因其 12 層 HBM3E 產品的量產時間反覆推遲——最新消息是推遲至 2025 年第三季度，故而喪失市場先機。此外，HBM 生產所需的高純度銅、環氧樹脂等材料仍高度依賴進口，其中 SK 海力士 60% 的 TSV 刻蝕設備來自科林研發（Lam Research），Syndion 系列設備可實現深硅晶蝕刻，滿足 HBM 封裝需求。目前，SK 海力士和三星電子均已啓動 HBM4 研發，其中海力士計劃在 2025 年下半年推出樣品，其 16 層堆疊產品帶寬將達 2.56TB/s，單顆容量 64GB，主要面向英偉達 H300 和 AMD MI400X 等下一代 AI 加速器。三星則押注於混合鍵合技術，試圖在 HBM4E 階段實現技術反超，但由於存在 NAND 與 DRAM 聯產工藝的兼容性問題，故而其量產進度存在不確定性。在傳統 DRAM 領域，SK 海力士計劃在 2025 年底將 1b nm 產能提升至每月 9 萬片，並啓動 1c nm 工藝研發，目標將晶體管密度再提升 20%。三星則聚焦於極紫外光刻（EUV）技術的應用，其 1a nm 製程的 EUV 導入率已達 40%，但良率提升緩慢制約了規模效應的發揮。隨着 AI PC 和端側大模型的普及，SK 海力士推出專為 AI 計算設計的 LPCAMM2 存儲模塊，支持 40TOPS+ 的算力需求，並與聯想、戴爾等廠商合作推動量產。三星則通過與 AMD 合作，試圖在嵌入式 DRAM（eDRAM）領域打開新市場，但其面向車載和物聯網的 eDRAM 產品性能指標仍落後於美光科技。此次變局標誌着 DRAM 產業從規模競爭轉向技術縱深競爭。2025 年 Q1，SK 海力士、三星電子和美光科技在 DRAM 的合計市佔率超 95%+。其中，SK 海力士在 HBM 市場的份額超過 60%，形成技術寡頭格局；價格週期呈現結構性分化：普通 DRAM 均價跌超 10%，但 HBM3E 價格僅環比微降 3%，AI 相關存儲產品成為抗週期支點。隨着 AI 服務器需求的持續增長，據 TrendForce 預測，今年二季度，DRAM 價格將止跌回升——市場消息也已部分驗證這項推測——其中 HBM3E 價格漲幅有望達 5%-10%，成為行業復甦的主要驅動力。此次 SK 海力士超越三星登頂 DRAM 市場，不僅是兩家企業技術路線與市場策略的較量，更是 AI 時代存儲技術範式轉換的集中體現。隨着 HBM 和先進製程的持續迭代，行業競爭將從規模擴張轉向技術縱深，而技術卡位能力、產業鏈協同效率，也將成為決定企業長期競爭力的關鍵要素。對於整個半導體產業而言，這一事件標誌着 AI 驅動的存儲革命已進入深水區，技術創新與生態重構將共同塑造未來十年的行業格局。

三星電子

- 2025 年第一季度，SK 海力士以 36.9% 市佔率超越三星電子，成為最大 DRAM 供應商。  
- 全球 DRAM 銷售額因價格下跌環比減少 9% 至 263.3 億美元。  
- AI 驅動存儲技術迭代，行業競爭格局發生重大變化。  

賽道 Hyper | SK 海力士首超三星登頂 DRAM 市場