<div id="readability-page-1">一款按照技術迭代規律本應逐步淡出主流市場的半導體產品——DDR4 內存（第四代雙倍數據速率內存），近期卻在存儲芯片現貨市場呈現出反常的價格走勢。 7 月 11 日，經濟觀察報記者以採購商身份在深圳華強北電子市場走訪時，注意到了一種矛盾現象：一方面，前來為工控、安防等特定訂單詢價 DDR4 內存條的需求仍然存在；另一方面，多數櫃枱仍向記者推薦新一代的 DDR5（第五代雙倍數據速率內存，系 DDR4 的換代產品）相關產品，但商家對 DDR4 的報價普遍謹慎，並頻繁以 “沒現貨”“價格一天一變” 為由婉拒需求。 根據市場研究機構閃存市場（CFM）7 月 8 日發佈的數據，DDR4 16Gb eTT 顆粒的價格已調漲至 4.50 美元，甚至超過了同日 DDR5 16Gb eTT 顆粒 4.00 美元的報價。所謂內存顆粒，指從一整塊硅晶圓上切割、封裝好的獨立芯片，是組裝成內存條前的核心半成品；eTT 顆粒則特指其中未經過原廠完整、嚴格測試的顆粒，主要在渠道現貨市場流通。 上一代產品的價格反超新一代產品，存儲市場出現了罕見的 “價格倒掛” 現象。 對於產生這種異常現象的深層原因，TrendForce 集邦諮詢分析師許家源在接受經濟觀察報記者採訪時表示，當前三星（Samsung）、SK 海力士（SK hynix）正處在製程轉換期，並且 “產能優先保障生產 Server DRAM（服務器動態隨機存取存儲器）及 HBM（高帶寬存儲器），導致 PC DRAM 及 mobile DRAM 的位元產出受限”。 他認為，供給端因 HBM 而收縮，需求端又未同步下降，這種 “供需錯配” 是 DDR4 此輪漲價行情的直接原因。 多位受訪者告訴記者，DDR4 作為上一代產品，之所以價格不降反升，甚至超過了新一代產品，其根本邏輯在於，上游原廠為聚焦高利潤的 HBM 而主動削減 DDR4 供給，造成了供給端的短缺；但在下游市場中，部分特定行業（如工控、安防）因其產品週期和認證成本，對 DDR4 仍存在無法替代的 “剛性需求”。 此外，閃存市場分析師楊伊婷亦向記者表示，DDR4 產品之所以出現供應緊俏的情況，是因為 “近期原廠相繼發佈了 DDR4 EOL（生命週期結束）通知”，但服務器和 PC 等終端對 DDR4 產品仍有一定長尾需求，下游在緊急建立 DDR4 庫存。 當持續的 “剛需” 遭遇急劇收縮的 “供給”，便最終催生了這場反常識的 “價格倒掛”。 根據公開信息，自今年二季度起，三星、SK 海力士已陸續向其客户發出部分 DDR4 產品的 EOL（End-of-Life，產品生命週期結束）通知，而美光科技（Micron）高管亦在 6 月的公開活動中確認了針對 PC 及服務器用 DDR4 的停產計劃。而這三家公司，佔據了全球 DRAM 市場超過 95% 的供應份額 原廠此舉的商業邏輯十分清晰：將寶貴的晶圓產能與研發資源，優先投入到以 HBM 為代表的、面向 AI 服務器的高附加值產品中。財報信息顯示，SK 海力士在其 2025 年第一季度實現了高達 42% 的營業利潤率，並預計 HBM 銷售額在 2025 年將佔其總內存銷售額的 50% 以上。 這場自上而下的產能切換，迅速將壓力傳導至產業鏈中下游。 “打個比方，（DDR4）你今天問我 4 塊錢，過幾天可能就 4 塊 5 了，越問越貴。” 7 月 10 日，深圳一家存儲模組廠商的市場負責人向記者如是表示。 另外，閃存市場在其最新報告中亦指出，服務器等企業級客户對高價 DDR4 已產生強烈的 “牴觸心理”，除零星急單外，客户普遍拒絕 “高位接盤”，消費類市場則因此被迫加速向 DDR5 平台遷移。 那麼，在市場表象之下，HBM 的產能需求究竟如何引發了這場波及整個傳統存儲供應鏈的 “蝴蝶效應” 呢？ <h2>“最後通牒”</h2> DDR，全稱為 “雙倍數據速率同步動態隨機存取存儲器”，是決定電腦、服務器等電子設備運行速度與多任務處理能力的關鍵核心組件之一。作為其第四代產品，DDR4 自 2014 年問世以來，在長達十年的時間裏，一直扮演着市場絕對主流的角色，是支撐上一代 PC 與服務器運算體系的基石。 從產品歸屬上看，DRAM（動態隨機存取存儲器）是一個大的技術品類，而市場通常所説的 DDR4、DDR5，是 DRAM 技術在 PC 和服務器領域應用最廣泛的主流迭代產品；HBM（高帶寬內存）則是 DRAM 技術為了滿足 AI 服務器等高性能計算場景，而衍生出的一種特殊的高價產品。 按照半導體行業的技術演進規律，新一代產品 DDR5 的出現，本應依循慣例對 DDR4 形成替代，因為相較於 DDR4，DDR5 在傳輸速率、帶寬、單顆芯片容量及功耗控制上均有顯著提升，能夠更好地滿足新一代 CPU 及 AI 應用對海量數據吞吐的需求。 因此，從 2023 年開始，整個存儲市場便已進入從 DDR4 到 DDR5 的代際轉換週期。然而，這場本應平穩的代際轉換過程，在 2025 年二季度之後，逐漸走向了失序。 “DAM 的漲價很猛，尤其部分型號的 DDR3、DDR4 漲幅接近 100% 了。” 前述深圳一家存儲廠商的市場負責人向記者直言。閃存市場 7 月 8 日發佈的研究報告亦稱，近期部分供應商對 DDR4 eTT 顆粒的官價進行了 “暴力拉漲，漲幅接近五成”。 市場的瘋狂最終體現在服務器內存這一關鍵產品上，閃存市場方面指出，服務器用的 DDR4 RDIMM（帶寄存器的雙列直插式內存模組，是服務器內存的常用規格）內存條現貨價格，在經歷連續快速拉漲之後，已較今年一季度低點呈現翻倍式增長。一位華強北的檔口老闆在 7 月上旬的走訪中告訴記者，目前市場中 “炒貨行為居多且價格虛高”，進一步加劇了價格的混亂。 要理解這場價格風波的傳導機制，首先需要釐清存儲芯片的產業鏈結構。 這條產業鏈大致可以分為三個環節：上游，是技術與資本壁壘最高的晶圓原廠（IDM），如三星、SK 海力士和美光這三大巨頭，它們掌控着從設計、製造到封裝測試的全過程，並直接生產出最核心的原材料——內存顆粒；中游，則是數量眾多的存儲模組廠商和渠道商，它們向上遊採購內存顆粒，再結合自研或第三方的主控芯片與固件算法，將其設計、組裝成消費者和企業能直接使用的最終產品，比如，國內 A 股市場上的江波龍（301308.SZ）、佰維存儲（688525.SH）、德明利（001309.SZ）以及朗科科技（300042.SZ）等均是這一環節的代表性企業；下游，則連接着廣大的終端應用市場，包括 PC、服務器、智能手機等品牌製造商，以及最終在零售渠道購買產品的普通消費者。 因此，對於身處產業鏈中下游的模組廠商和渠道商而言，上游原廠的每一個動作都牽動着他們的神經。 閃存市場分析師楊伊婷告訴經濟觀察報記者：“近期原廠相繼發佈了 DDR4 EOL（生命週期結束）通知，考慮到服務器和 PC 等終端對 DDR4 產品仍有一定長尾需求，下游緊急建立 DDR4 庫存，令近期 DDR4 產品出現供應緊俏的情況。” 在採訪中，記者還了解到，所謂 EOL 通知，是半導體行業中一份具有 “最後通牒” 意味的官方文書，它意味着上游原廠將正式停止該型號產品的接單和生產，並給出一個 “最終採購（Last Time Buy）” 的截止日期。 對於下游客户而言，這無異於一道選擇題：要麼精準預估未來數年的產品需求，投入鉅額資金進行一次性的戰略備貨；要麼，立刻投入同樣高昂的研發成本和時間成本，對現有產品進行硬件重新設計，以適配新一代的元器件。 無論是哪種選擇，都充滿了風險與不確定性。上述深圳一家存儲廠商的市場負責人就向記者表示：“部分原廠正是通過控制晶圓原材料的供應節奏和價格，對市場價格走勢產生了顯著影響。” 許家源也給出了相同的判斷，即原廠的 EOL 時程規劃，推動了模組廠積極備貨 DDR4 顆粒。 作為產業核心玩家之一，存儲模組龍頭江波龍亦在其近期發佈的一份投資者交流紀要中指出：“近期受存儲晶圓原廠決定戰略性部分退出 DDR4 業務的影響，部分 DDR4 價格在短期內明顯上揚。” 於是，恐慌性的備貨潮，疊加部分炒家的囤積居奇，迅速抽乾了市場的流動性，並最終導致了 “有價無市” 的僵局。 在 7 月上旬於華強北走訪過程中，記者瞭解到，自 6 月以來，渠道 DDR4 價格在連續上漲後，市場開始有所降温，個別產品因前期漲幅過大，買賣雙方陷入持續的拉鋸和僵持階段，出現了成交乏力的情況。 但事實上，在二季度價格反轉之前，整個存儲行業剛剛經歷了一輪殘酷的下行週期。 根據佰維存儲在其一季報中的描述，存儲市場價格在 2025 年第一季度達到了 “階段性低點”。這種市場低谷也直接反映在了產業鏈中游廠商的業績上，根據公開財報，佰維存儲當季淨虧損達 1.97 億元，而另一家存儲模組龍頭江波龍同期亦出現 1.52 億元的淨虧損。 前述存儲廠商的市場負責人告訴記者，儘管 DDR5 是未來趨勢，但在工業控制、安防監控、電視機頂盒等對性能要求不高、但對穩定性和兼容性要求極高的利基市場，DDR4 仍是更具性價比的選擇。此外，記者亦瞭解到，部分仍在服役的英特爾舊款 CPU 平台僅支持 DDR4，也構成了其需求的底層支撐，正是這部分剛性需求，為市場的詢價提供了熱度基礎。 這種需求的 “剛性”，根植於利基市場本身的產品特性：與快速迭代的消費電子不同，一套工業控制系統、一個車載娛樂模塊或是一個安防攝像頭主板，其生命週期往往長達 5 至 10 年。在此期間，任何核心元器件的微小改動，都可能意味着整個硬件方案的重新設計、軟件的重新適配，以及一整套漫長且昂貴的行業認證流程，因此，對於這些領域的製造商而言，在產品生命週期內維持供應鏈的穩定性，其重要性遠高於追逐最新的技術參數，一次性地高價備貨舊款 DDR4，其綜合成本，往往仍低於更換平台、重新認證的隱性成本。 閃存市場方面亦指出，高昂的 DDR4 RDIMM 價格已經使得服務器終端客户 “牴觸心理日漸強烈”，除了無法避免的 “零星急單” 外，大客户們普遍不願在這個時點 “高位接盤”。 而在對價格更為敏感的消費類市場，大部分終端客户則選擇了 “鬆手” 並轉換賽道。對此，閃存市場分析稱，DDR4 與 DDR5 之間日益縮小的價差乃至 “倒掛”，正在 “倒逼” PC 市場的渠道客户 “從 DDR4 升級至 DDR5”。一位華強北的商家也向記者表示，在 DDR4 現貨短缺的情況下，會主動推薦客户轉向供應更穩定、價格差距不大的 DDR5 產品。 至此，一幅複雜的市場圖景得以呈現：上游暴力拉漲，中游恐慌搶貨，下游則在剛需、牴觸與被迫轉向之間分化。而這一切看似混亂的市場行為，最終都指向了同一個源頭——HBM。 <h2>“虹吸效應”</h2> 深圳華強北的櫃枱上，DDR4 的報價單日日更新，而在千里之外的韓國與美國，全球三大存儲原廠的業績説明會上，這個曾經的利潤支柱，卻幾乎沒有被提及，所有人的目光，都聚焦在了一個新的名字上。 比如，美光科技（Micron）總裁兼 CEO 桑傑·梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）在該公司 2025 財年第三季度業績報告中，將公司創紀錄的營收表現，直接歸因於對 “人工智能驅動下日益增長的內存需求” 的滿足。他所説的 “內存需求”，其核心正是 HBM。作為 AI 服務器中高算力 GPU 芯片不可或缺的 “左膀右臂”，HBM 已成為當前這場 AI 浪潮中最確定的增量市場之一。 事實上，存儲巨頭們對 HBM 的戰略傾斜，已經體現在了實實在在的財務數據和經營目標上。美光的財報顯示，其 2025 財年第三季度實現了創紀錄的營收，其中 “HBM 營收實現了近 50% 的環比增長”；SK 海力士則在其 2025 年第一季度業績説明中，維持了其 2025 年 HBM 需求 “同比增長 2 倍” 的展望，並已在今年 3 月向客户交付了 “全球首批 HBM4 12Hi 樣品”，以彰顯其技術領導力；三星電子同樣在其 2025 年一季度業績説明中，將 “擴大增強型 HBM3E 12H 產品的銷售” 列為核心目標 。 許家源告訴記者，正是這種超高的市場增長預期，才使得原廠做出 “產能優先保障生產 Server DRAM 及 HBM” 的決策。當然，對 HBM 的資源聚焦，也直接導致了對傳統產品線產能的 “計劃性” 壓縮，這是一項貫穿原廠所有產品線的全局性戰略。 根據閃存市場 7 月 2 日發佈的存儲市場展望報告，DRAM 方面，LPDDR4X 在手機中的需求佔比仍然較大，在原廠產線切換後，預計手機 LPDDR4X 整體存在約 15%～20% 的供應缺口，尤其 6GB 及以下低容量 LPDDR4X 供應十分有限，將推動三季度 LPDDR4X 合約出現 20% 以上的環比漲幅，並且逼近 LPDDR5X 的 ASP（Average Selling Price，平均銷售價格）。 眼下，無論是 PC 用的 DDR4，還是手機用的 LPDDR4X，這些上一代的、利潤空間相對微薄的產品，都在為 HBM 和 DDR5“讓路”。但存儲原廠的晶圓產能並非可以無限擴張，一座先進的晶圓廠投資動輒百億美元，其總產能在一個時期內是相對固定的，而在有限的總產能下，生產決策就成了一道關於成本的數學題。 更重要的是，與傳統 DRAM 相比，HBM 的製造工藝更為複雜，不僅需要佔用更多的晶圓面積，還需要額外的硅通孔（TSV）和先進封裝工藝，這意味着生產一片 HBM 晶圓所要消耗的綜合產能和資源，遠高於一片同尺寸的 DDR4 晶圓。 在這道數學題面前，當 HBM 能帶來數倍的利潤時，技術成熟、利潤空間早已被嚴重壓縮的 DDR4，便成了那個最先從產能規劃中被 “優化” 掉的選項。但另一方面，存儲三巨頭的此次戰略上的調整，在為自身開創 HBM 高利潤時代的同時，也客觀上在 DDR4 等傳統市場留下了一個巨大的、有待填補的真空。 “國際大廠如美光、三星等逐步退出部分中低階或特定類型產品的市場競爭，客觀上為本土廠商提供了寶貴的市場空間和客户導入機會。” 前述深圳存儲廠商的市場負責人向記者表示。 在企業級市場，江波龍在近日發佈的投資者交流紀要中亦稱，隨着 AI 應用的不斷加速，客户基於 “本地化、信息安全和供應安全等因素，也將會考慮更多地採用國產企業級存儲產品”。該公司已具備 “eSSD+RDIMM”（即企業級固態硬盤與服務器內存條，均為數據中心的核心存儲部件）的產品設計與規模供應能力，並正積極推進 TCM（技術合約製造）模式，以 “部分地降低價格波動產生的影響”。 佰維存儲則在其近日披露的投資者交流紀要中表示，公司正依託 “研發封測一體化” 的佈局，在 AI 手機、AI PC、AI 眼鏡等新興 AI 端側領域獲得先發優勢，其 ePOP（一種將閃存與內存芯片集成封裝的嵌入式存儲技術，因其小尺寸、低功耗，並可通過堆疊節省大量內部空間，被廣泛應用於智能手錶、AI 眼鏡等小型智能設備）系列產品已進入 Google、Meta、小米等知名企業的供應鏈體系。 “目前國內存儲晶圓廠、存儲模組廠、存儲控制芯片廠、封測廠正通力合作，營造存儲產業生態，形成產業閉環。” 德明利在其 5 月份舉辦的業績説明會上也表示，隨着國內存儲器產業鏈的逐步發展和完善，“國內下游存儲模組及控制芯片廠商迎來重要發展機遇”。 眼下，對於中國的存儲產業鏈而言，三大原廠的 “HBM 產能大遷徙”，或許不僅僅是一次市場重構，也為已具備技術實力和市場準備的本土廠商提供了難得的機遇。但前述深圳存儲廠商的市場負責人在接受記者採訪時也坦言，儘管國際大廠的退出讓出了市場空間，但本土廠商依然面臨許多現實上的挑戰。比如，目前國內企業與國際巨頭在 HBM 以及最先進的 DRAM 製程等高性能存儲領域，“仍存在一定差距，研發和生產能力還需要進一步提升”。 與此同時，一位長期關注半導體產業的分析師也向記者表示，供應鏈的自主可控能力，特別是上游關鍵的製造設備、核心材料等，仍是制約部分本土企業發展的關鍵瓶頸。因此，能否在抓住 DDR4 這一輪結構性市場機遇的同時，補上在 HBM 等下一代技術上的核心短板，將是中國存儲廠商在這場由 AI 帶來的產業重構中，亟待回答的考題。風險提示及免責條款 市場有風險，投資需謹慎。本文不構成個人投資建議，也未考慮到個別用户特殊的投資目標、財務狀況或需要。用户應考慮本文中的任何意見、觀點或結論是否符合其特定狀況。據此投資，責任自負。</div>

三星電子

DDR4 內存近期在市場上出現價格倒掛現象，16Gb eTT 顆粒價格已漲至 4.50 美元，超過了新一代 DDR5 的 4.00 美元。市場需求仍存在，但商家對 DDR4 報價謹慎，頻繁缺貨。分析師指出，三星和 SK 海力士的產能優先保障高帶寬存儲器（HBM），導致 PC DRAM 和 mobile DRAM 產出受限，供需錯配是 DDR4 漲價的直接原因。

- DDR4 內存近期在市場上出現價格反常現象，反超 DDR5。  
- 供需錯配導致價格上漲，部分行業對 DDR4 存在剛性需求。  
- 三大存儲廠商逐步退出 DDR4 業務，為本土廠商提供市場機會。

DDR4 價格倒掛調查：HBM 芯片如何引爆 “過時” 內存漲價潮？